Магнитный аналоговый элемент памяти

Магнитный аналоговый элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

4 пмтен и

ИО то.:ннчфсьыл б от РЛ А, Союз Советскнк

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кл. (22) Заявлено 30,1Х.78 (21) 2694266/18-24 с присоединением заявки N

11 С 27/00

Государственный комитет

СССР во делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК681. 327.6 (088. 8) Опубликовано 150480. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 180480 (72) Авторы изобретения

Ю.A. Íåç àìàåâ, Г. И, Семушенков и В.M. Ñèäîðaâ

Новосибирский электротехнический институт (71) Заявитель (54) МАГНИТНЫЙ АНАЛОГОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении аналоговых запоминающих устройств временных функций напряжения.

Известен магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий трансфлюксоре прошитые обмотками записи, установки, строба записи и дифференциально включенными выходными обмотками (1). В таком элементе памяти характеристика записи информации нереверсивна, т.е. обеспечивается запись сигналов только одной полярности.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является магнит.ный аналоговый элемент памяти, содержащий два двухотверстных трансфлюксора прошитых обмотками записи, установки, строба записи, считывания и дифференциально включенными выходными обмотками, а также два стабилитрона, разноименные электроды которых соединены с одной входной клеммой устройства, а другие разноименные электроды подключены к другой входной клемме устройства через включенные встречно стабилитронам диоды и соответствующие обмотки записи (21. При записи методом интегрирования напряжения в таком элементе памяти необходимо наличие двух многовитковых обмоток записи.

Целью изобретения является упрощение магнитного аналогового элемента памяти.

Поставленная цель достигается тем, что в магнитный аналоговый элемент памяти, содержащий сдвоенный трансфлюксор с четыръмя отверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считываний и дифференциально включенными выходными обмотками, введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке записи, охватывающей перемычку .трансфлюксора между большими отверстиями.

На чертеже представлена Принципиальная схема магнитного аналогово728165 го элемента памяти, выполненная согласно изобретению, Магнитный аналоговый элемент памя"ти содержиr сдвоенный трансфлюксор

1, средняя перемычка которого охвачена обмотками установки 2, строба записи 3, записи 4, крайние перемычки охвачены обмоткой управления 5 так, чтО одно большое отверстие она прошивает согласно, а другое — встречно с обмоткой,строба записи, а малые отверстия прошиты обмотками считывания 6 и дифференциально включенными выходными обмотками 7. Начало и конец обмотки управления 5 соединены с входными клеммами элемента памяти, а начало и конец обмотки записи 4 соединены между собой через встреч но включенные диод 8 и стабилитрон 9, причем, если начало обмотки записи соединено с анодом дИода, то конец— с анодом стабилитрона. . 20

В процессе работы импульсами тока установки через обмотку 2 обе половины трансфлюксора устанавливаются в состояние насыщения, соответствующее максимальному значению остаточного потока — Ф . При подаче в обмотку

3 импульса тока строба записи диод

8 открывается, стабилитрон 9 пробивается и, если ток управления в обмотке

4I> О, в обеих половинах трансфлюк- у3 сора устанавливается значение магнитного потока

Ф = — cp +

Д где 0 — напряжение стабилизации ст а билитро н а; длительность импульса тока строба записи; — число витков обмотки записи 4.

При этом „= —, в этом слу-.

4 чае при 1„ = О в обеих половинах трансфлюксора устанавливается значе- 4$ ние магнитного потока, соответствуюtqeR -середине рабочего диапазона.

Поскольку выходная обмотка 7 включена по дифференциальной схеме, среднее значение выходного напряжения на основ-Я ной частоте равно нулю. Если ток управления I„ = О, то подача импульса тока строба записи в обмотку 3 ведет к неодинаковой разблокировке половин трансфлюксора и при считывании вы55

l ходное напряжение на выходной обмотке пропорционально величине тока I „. При изменении направления тока I напряжение на выходе меняет полярность.

Предлагаемый элемент памяти обладает реверсивной характеристикой записи,имеет одну обмотку записи 4 с числом витков,в два раза меньшим,чем в одной обмотке из двух имеющихся у известного элемента памяти, один диод и один стабилитрон . Обмотка управления 5 выполняется одновитковой. При построении аналогового запоминающего устройства на основе такого элемента памяти стабилитрон является общим для всего запоминающего устройства,а обмотка управления прошивает последовательно все элементы памяти.

Так как число диодов и стабилитронов в данном элементе памяти меньше в два раза, а общее число витков меньше практически в три раза, чем у известного элемента памяти, то упрощается элемент памяти при той же точности записи.

Формула изобретения

Магнитный аналоговый элемент па- мяти, содержащий сдвоенный трансфлюксор с четырьмя отверстиями, обмотку записи, обмотку установки, обмотку строба записи, прошивающие большие отверстия трансфлюксора, малые отверстия которого прошиты обмотками считывания и дифференциально включенными выходными отмобками, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения элемента памяти, в него введены обмотка управления, которая подключена к входу элемента памяти и пропущена через одно большое отверстие трансфлюксора согласно, а через другое встречно с обмоткой строба записи, и включенные встречно диод и стабилитрон, одноименные электроды которых подключены к обмотке занисИ, охватывающей перемычку трансфлюксора между большими отверстиями, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

У 396720, кл.G 11 С 27/00, 1974.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 435564, кл.G 11 С 27/00, 1974, 728165

Satx

Составитель В.Муратов

Редактор Т.Юрчикова Техред М.Петко Корректор И ° Муска

Эакаэ 1144/49 Тираж 662 . Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП Патент., r.Óæãoðîä, ул.Проектная,4