Устройство для защиты магнитотранзисторного преобразователя от перенапряжений

Устройство для защиты магнитотранзисторного преобразователя от перенапряжений

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 728197

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву № 603046 (22) Заявлено 05 10 78 (21) 2671321/24-07 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.04.80. Бюллетень №14 (51) М. Кл.

Н 02 Н 7/10

Н 02 М 1/18

Государственный комитет

СССР

{ 53) УДК 621.316. .9 25.4: 6 21. .314,572 (088.8) по делам изобретений,. к открытнй

Дата опубликования описания 17.04.80 (72) Авторы изобретения

Г. В. Бейдин и А. А. Туча (7l) Заявитель. (54) УСТРОЙСТВО lUIH ЗАШИТЫ МАГНИТО-ТРАНЗИСТОРНОГО

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ

Изобретение относится к устройствам . питания аппаратуры.

Из основного, авт. св. № 603046 известно устройство для защиты магнитогранзисторного преобразователя от

5 перенапряжений, содержащее транзистор защиты, включенный между одним из зажимов источника питания и средним выводом обмотки отрицательной обратной связи, крайние выводы которой через диоды соединены с базами транзисторов преобразователя, и стабилитрон, один из ,электродов которого через резистор: подключен к базе транзистора защиты, причем параллельно базо.-эмиттерному пе т5 реходу транзистора защиты - туннелъный диод и конденсатор.

Недостатком этого устройства является понижение чувствительности иэ-за отсутствия стабилизации режима работы стабилитрона.

Цель дополнительного изобретения повышение чувствительности.

Эта цель достигается тем, что усч ройство защиты .снабжено дополнительным резистором, включенным между коллектором транзистора затциты и зажимом источника питания

Схема устройства приведена на чертеже.

Преобразователь выполнен на транзисторах 1, 2, силовом трансформаторе 3 и схеме управления 4; Питание преобразо-, вателя осуществляется через стабилизатор напряжения 5. Ê вйходу трансформа« тора 3 подключены выпрямитель 6, филер

7 и нагрузка 8. Трансформатор 3. снаб жен обмоткой 9, крайние выводы которой через диоды 10, 11 подключены к базам транзисторов 1, 2, а средний — к катоду стабилитрона 12 и коллектору транзистора защиты 13, эмиттер которого сое» динен с отрйцательной шиной питания преобразователя,. кроме того, катод стабилитрона 12 через токоэадающий резистор 14 подсоединен к положительной шине питания .преобразователя. Обмотка

7281

0 совместно с диодами 10, 13 и транзистором 13 образует цепь отрицательной обратной связи, предназначенной для зак рывания транзисторов 1, 2 при срабатывании схемы защиты. База транзистора

13 через резистор 15 соединена с анодом стабилитрона 12. Параллельно выводам база-эмиттер транзистора защиты

13 подключен конденсатор 16 и туннельный диод 1-7. Дополнительный резио 10 тор 18 включен между положительной

S шиной питания и преобразователя и бжюй .транзистора 13.

При номинальном напряжении на обмотке отрицательной обратной связи 9 трансформатора 3 через стабилитрон 12 протекает ток, определяемый значением сопротивления резистора 14. При этом ток через туннельный диод 17 не превышает пикового тока, напряжение на тун,нельном диоде 17 мало, транзистор 13 закрыт и элементы схемы защиты не оказывают влияния на работу преобразователя. При повышении напряжения на обмотке отрицательной обратной связи 9 р5 увеличивается ток стабилитрона 12 и, . соответственно, . увеличивается ток тун4 нельного диода 17. При достижении значения пикового тока туннельного диода

17 происходит скачкообразное увеличение напряжения на туннельном диоде 17, транзистор 13 открывается и под действием отрицательной обратной связи колебания преобразователя срываются.

Устойчивое состояние схемы после срабатывания защиты обеспечивается током, протекающим через резистор 18.

Возврат схемы в исходное состояние возможен после отключения и повторного включения питания преобразователя.

Формула изобретения

Устройство для защиты магнитотранзисторного преобразователя от перенапряжений по авт. св. №603046, отличающееся тем,что, с целью повышения чувствительности, оно снабжено дополнительным резистором, включенным между коллектором транзистораа защ иты и заж имом исто чн HKB питания.

ЦНИИПИ Заказ 1149/51

Тираж 783 Подписное

Филиал ППП "Патент", r.Óæò ород, чл.Проектная,4