Материал для пропитки конденсаторов

Материал для пропитки конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советсник

Соцналнстнческнк

Республик рн 728737 (6I ) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 21.03.77 (2I) 2471354/18-21 (23) Приоритет — (32) 24. 03. 76 (3)) 669755 (33) США (53) М. Кл.

Н 01 В 3/18

Государственный коми е1

СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК678.026.2 (088.8) Опубликовано150480. Бюллетень Ah 14

Лата опубликования описания 20.0430 (72) Автор изобретения

Иностранец

Дэвид Гленн Шоу (США) Иностранная фирма н

"Дженерал Электрик Компани (США) (7!) Заявитель (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ПРОПИТКИ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к технологии производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении конденсаторов °

Известен материал для пропитки кон- 5 денсаторов, содержащий сложный эфир ароматического ряда, эпбксидную смолу (1) .

Однако этот материал имеет недостаточное газопоглощение.I

Цель изобретения — повышение газопоглощения.

Для этого материал для пропитки конденсаторов, содержащий сложный эфир ароматического ряда, эпоксидную смолу, содержит соединение из группы деценов, а именно децен или додецен, или тетрадецен, или гексадецен, или октадецен при следующем содержании ингредиентов, вес.Ъ:

Эпоксидная смола 0,01-10

Одно соединение из группы деценов 5,0 -30

Сложный эфир ароматического ряда Остальное.

В качестве сложного эфира ароматического ряда материал может содержать диоктилфталат, бифенил, сульфон.

Сложный эфир ароматического ряда содержит антиокислитель °

Перед пропиткой конденсаторов пропитывающее вещество нагревают до 50120 С, а после пропитки конденсаторы или выдерживают при этой температуре от 8 до 16 ч или нагревают в течение такого же времени.

728737

Конденсатор Пропитывающее ве

ышло из строя (испытано) Пример 1 по"ле 1000 ч на

400 в перзменного тока при 100 С

18 (49) 4 мкф х 290 в Дноктилфтолат + 1Ъ эпоксидной смолы

45 (7) Эпоксидная смола 1Ъ

Децен 20%

Диоктилфталат - остальное

Пример 2

Диоктилфтолат + после 1800 ч

1Ъ эпоксидной смолы 11 (14)

Эпоксидная смола 1%

Гексадецен 20%

ДиoRтилфтолат ocòàëьное

2 мкф х 525 в

8мкф х 525 в

Пример 3

Диоктилфтолат + 1Ъ после 644 ч на эпоксидной смолы 1000 в переменЭпоксидная смола 1В ного тока при 80 С

Тетрадецен 10% 9 (20)

Диоктилфталат — осталь- 0 (20) ное

2 мкф х 660 в сложного эфира ароматического ряда он содержит диоктилфталат.

3. Материал по и, 1 и и. 2, о тл и ч а ю шийся тем, что сложный эфир ароматического ряда содержит бифенил.

Составитель Ю. Еркин

Редактор Э. Шибаева Техред Н.Бабурка Корректор О. Ковинска.я

Подписное

Тираж 844

Заказ 1185/55

ЦНИИПИ Государственного комитета. СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент r, Ужгород, ул. Проектная„ 4

Формула и з об ре т е ни я

1, Материал для пропитки конденсаторов, содержащий сложный эфир ароматического ряда, эпоксидную смолу, отличающийся тем, что, с целью повышения газопоглощения, он сбдержит соединение из группы деценов, а именно децен или додецен, или тетрадецен, или гексадецен, или октадецен 40 при следующем содержании ингредиентов, вес.Ъ:

Эпоксидная смола 0,01-10

Одно соединение из группы деценов 5,0 -30 45

Сложный эфир ароматического ряда Остальное

2..Материал по п. 1, о т л и ч а ю шийся тем, что B качестве

4. Материал по пп. 1 и 2, о тч а ю шийся тем, что сложный эфир ароматического ряда содержит сульфон.

5. Материал по п. 1 — 4, отличающийся тем, что сложный эфир ардматического ряда содержит антиокис— литель.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3 754 173, кл. 317-259, опублик. 19 73 (прототип) .