Устройство для глубокой очистки деионизованной воды

Устройство для глубокой очистки деионизованной воды

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАИИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз .Советских

Социалистических

Республик (Ь1) Дополнительное к авт. свмд-ву (22) Заявлено 1302.78 (21) 2581027/29-26

)„г

С 02 С 1/40

G 05 0 27/00 с присоединением заявки Мо (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 250430. Бюллетень Р 15

Дата опубликования описания 2504.80 (53) УДК66,012-52 (088, 8) (72) Авторы изобретения

O.Ì.Áîðècoâ, А,Л,Фейгенсск и Е.Ф,Лысенко (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ГЛУБОКОЙ ОЧИСТКИ

ДЕИОНИЗОВАННОЙ ВОД ) Изобретение относится к устройствам для глубокой очистки деиониэованной воды и может быть применено в электронной промышленности в производстве различных классов полупроводниковых приборов.

Современная технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС) включает отмывку деионизсванной воля после большинства операций фотолитографии, химической обработки, глубокого травления, Известно устройство для глубокой 15 очистки деионизованной воды, основанное на применении для очистки ионообманных смол, в которых очишаемая вода последовательно проходит блоки с катионитовыми и анионитовыми смо- 2О лами (1), Известно устройство для глубокой очистки деионизованкой воды, содержашее блок преварительной фильтрации, блок адсорбции органических веШеств, 25 блок очистки на актионитовых и катионитовых смолах, мембранный фильтр (2), Такие устоойства Hp позволяют получать деиониэонаккую воду с удельным 10 сопротивлением, большим 20 МОм .см, при комнаткой температуре, Целью изобретения является улучшение качества очистки деионизованной воды ст исккых примесей, Цель изобретения достигается тем, что устройство снабжено дополнительным блоком очистки, выполненным в виде термостатируемой емкости с размещенными в кей мснокристаллическими пластинами полупроводникового материала, Для улучшения активной поверхности пластины полупроводникового материала выполнены с V-образными канавками.

Глубокая степень очистки воды обусловлена значительной адсорбцией (до 10 см ) ионов различных примесей на аморфиэированной ионной имплантациейповерхности полупроводйиковых материалов. Переход поверхности иэ монокристаллического в аморфное состояние возмсжен при превышении пороговых концентраций имплантируемых ионов и зависит от соотношения массы иона и массы атома мишени энергии иона и температуры мишени.

Эффективность очистки пропорциональна плошади аморфиэированной поверхности поэтому в устройстве приме729133!

"t

IQTHKIH 3ar

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 иены адсорбирующие тела в форме тонких пластин, имеющих максимальное отношение поверхность/объем.

Дальнейшее повышение эффективности очистки достигается эа счет развития (увеличения) площади адсорбирующей поверхности нытравливанием н пластине Ч-образных канавок.

Эффектинность очистки повышается также при снижении температуры адсорбирующих пластин, поэтому в устройстве применено кермостатиронание стенок корпуса блока потоком жидкости или газа.

На фиг. 1 изображен блок финишной очистки воды; на фиг. 2 — пластина иэ полупроводникового материала, Блок финишной очистки устройства представляет собой цилиндр 1 с двойными стенками и входным штуцером, с крышкой 2, снабженной выходным штуцером. Внутри цилиндра расположены перегородки 3 с пазами, в которые вставлены монокристаллические кремниевые пластины 4 с аморфиэированной понерхностью. На обеих сТоро нах пластин вытравлены V-образные канавки. В пространство 5 между стенками цилинк ра поступает охлаждающий поток жидкости или газа, Все детали блока изготовлены из кварцевого стекла высокой чистоты.

Формула изобретения

1. Устройство для глубокой очист ки деиониэонанной воды, включающее блок предварительной фильтрации, блок адсорбции органических ьешеств, блок очистки на анионитовых и катионитовых смолах, о т л и ч а ю m eе с я тем, что, с целью улучшения качестна очистки деиониэонанной воды от ионных примесей, оно снабжено дополнительным блоком очистки, выполненным н виде термостатируемой емкости с размещенными в ней монокристаллическими пластинами полупронодникового материала.

2, Устройство по п.1, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью увеличения активной поверхности, пластины полупроводникового материала выполнены с V-образными канавками.

Источники информации, принятые но внимание при экспертизе

1. Курносов A.И. и др. Технология производства полупроводниковых приборов, М., с.бб-бЗ.

2. Мазель E.3. и др. Лланарная технология кремниевых приборов, М., 1974, с.74,