Сегнетоэлектрический материал

Сегнетоэлектрический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕДЬСТВУ -.

Союз Советских

Социалистических

Республик (и>729167, (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 260578 (21) 2658833/29-33 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет (51)М. Кл.

С 04 В 35/00

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий

Опубликовано 250480. Бюллетень № ) 5

Дата опубликования описания 280480 (53) УДК 666. 655 (088.8); (72) Авторы изобретения

С.И.Урбанович и Л.Г.Никифоров

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики

AH Белорусской CCP (71) Заявитель (54 ) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, в частности, для изготовления ,конденсаторов.

Известны различные сегнетоэлектрические материалы для изготовления конденсаторов на основе титаната 10 бария. Их основным недостатком явля» ется относительно невысокий верхний предел рабочих температур.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является сегнетоэлектрик РЬ Вi Та Ов

Недостатком этого материала является то, что он имеет низкое значение диэлектрической проницаемости.

Целью изобретения является повышение диэлектрической проницаемости.

Это достигается тем, что материал на основе Pb BiTa0в дополнительно содержит Li О при следующем соотног шенин компонентов, Вес, о.

Pb В1ТаОа 95-98

Li О 2-5

Для получения сегнетоэлектричес-, кого материала составов, содержащих, вес.Ъ:

1,Pb> BiTa0< -95 2.РЬ В1Та06 — 96, 5

Li Π— 5 Li О - Зу5

З,РЬ ВйаО, -98 г

Li Π— 2 г смесь окислов Pb0, Тагор В1203 ° взятых B стехиометрическом cooTHQшении, отвечающем составу соединения

Pb BiTa0, смешивают с L1 0, после чего формуют заготовки и подвергают их обжигу по обычной керамической технологии и затем повторному обжигу под давлением 20-30 кбар, тЕмпературе 700-900оС в течение 1-10 мин.

Затем на материал нанОсят электропроводящую пасту и образцы подвергают измерениям.

Полученный материал обладает следующими характеристиками:

Диэлектрическая проницаемость,Е/ео 200

Тангенс угла диэлектрических о- 2 10 терь

О

Удельное сопротив- 3 10 ом.см ление

Электрическая прочность более 30 кв/см

Температурный коэффициент ди- -< электрической

729167 проницаемости

Удельное сопротивление для температуры +300 >С о

10 ом см

Составитель Н.Фельдман

Редактор А.Морозова ТехредС.Мигай Корректор Я.Весел<>вская

Заказ 1903/21 Тирам 671 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4

Эаметного влияния электрического поля на величину диэлектрической .проницаемости до величины полей в 30 кв/см не обнаружен о .

Формула изобретения

Сегнетоэлектрический материал на основе РЬ BiTa0, о т и и ч а ю в шийся тем, что с целью повышения диэлектрической проницаемости, дополнительно coAep®HT I i. 0 при следующем соотношении компонентов,вес.Ъ

Pb BiT806. 95-98 ,?,1 0 2-5