Устройство для наблюдения процессов на поверхности образцов

Устройство для наблюдения процессов на поверхности образцов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

29692 (б1) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 1711.78 (21) 2709130/18.-25 с присоединением заявки ¹â€” (23).Приоритет

Опубликовано 2504.80. Бюллетень ¹ 15

Дата опубликования описания 280480

01 Т 37/26

Государствеииый комитет

СССР по лелам изобретеиий и открытий

ДК 621. 388. 8 (088.8) (72) Авторы изобретения

P. Фулрас. и В.Н, Шуменко (71) Заявитель

Московский ордена Трудового Красного Знамени институт стали и сплавов (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАБЛЮДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ

НА ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦОВ

Изобретение относится к технике электронной микроскопии и может быть использовано при разработке устано- вок для наблюдения поверхности образ- 5 цов в металлургии, металловеленни, при физических и химических исследованиях ° .Известны устройства для наблюдения поверхности образцов с помощью элект-1О ронных микроскопов (1). Однако в этих устройствах температура рабочей поверхности образца, как правило, ограничена. Вместе с тем в целом ряде исследований необходимо иметь образцы с повышенной температурой поверхности.

Наиболее близким к изобретению являетс я устройство для наблюдения поверхности образцов, содержащее сканирующий электронный микроскоп, детектор вторичных электронов и блок нагрева с рабочей поверхностью для размещения образца (2). Это устройство также не обеспечивает широкого диапазона температур наблюдаемой поверхности из-за того, что разогретая поверхность образца является источником термоэлектронов, маскирующих нужное изображение.

Целью изобретения является расширение диапазона возможных температур наблюдаемой поверхности образца, Это достигается тем, что устройство снабжено фильтром электронов термоэмиссии, расположенным между упомянутой рабочей поверхностью и детектором вторичных электронов.

На чертеже дана схема устройства.

Оно состоит из блока нагрева 1, фильтра-сетки 2 электронов термоэмиссии, детектора 3 вторичных электронов, столика 4, пушки 5 микроскопа, линии 6 откачки внутренней полости устройства.

Фильтр электронов термоэмиссии представляет собой латунное кольцо диаметром 80-120 мм (в зависимости от размеров нагревателя), на котором натянута латунная сетка с размером ячеек 2-5 мм. Сетка выполнена из латунной проволоки диаметром 0,2-0,5мм.

Латунная сетка через изолятор крепится к панели микроскопа. К сетке присоединен электропров од, соединенный с дополнительным регулируемым источником напряжения.

Работает устройство следующим образом.

729б92

ЦНИИПИ Эакаэ 1295/47 Тираж 844 Подписное

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул.Проектная, 4

После установки образца на столик начинается его разогрев до необходимой температуры, после чего включается пушка электронного микроскопа, а на фильтр-сетку подается отрицательный по отношению к образцу потенциал. Величина его подбирается таким образом, что обеспечивается запирание всех термоэлектронов . При этом достаточно энергичные вторичные электроны проходят через фильтр и, попадая в детектор вторичных электронов, формируют изображение.

Как показали испытания., предложенное устройство позволяет наблюдать поверхности образцов вплоть до 2500 С, т.е. его использование существенно расширяет диапазон возможных температур наблюдения.

Формула изобретения

Устройство для наблюдения процессов на поверхности образцов, содер- 20 жащее сканирующий электронныи микрбскоп, детектор вторичных электронов и блок нагрева с рабочей поверхностью для размещения образца, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения диапазона возможных температур наблюдаемой поверхности образца, оно снабжено фильтром электронов термоэмиссии, расположенным между упомянутой рабочей поверхностью и детектором вторичных электронов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Шиммель Г. Методика электронной микроскопии. M., Мир, 1972.

2, Gudenau Heinrich — Wilhelm, Buckhard Willi-Gunter. Zusatspekat

zum Raster-Electronemikroskop mit

der Noglichkeit der Hochenhitzund

und Gasbehandlung Shah und Eisen .

1977, Р 20, 996-998 (прототип) .