Мультивибратор

Мультивибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

ЖЭ „(»

1 (61) Дополнительное к авт. свид-яу (1 (22) Заявлено 03.01.78 (21) 2561706/18-21 с присоединением заявки РЙ (28) Приоритет (51) М. Кл.

Н 03 К 3/282

Гоеударстаенный комитет

СССР яо делам изобретений и открытий

Опубликовано 05.06.80. Бюллетень ¹ 21

Дата опубликования описания 05.06.80 (53) УДК 621.373..52 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. С. Гуренко, В. П. Чернышев и В. Б. Белов (71) Заявитель (54) МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной техни ке, в частности к генераторам импульсов, и может использоваться в преобразователях напряжения в частоту, системах фазовой автоподстройки частоты и генераторных частотно5 модулированных колебании.

Известен мультивибратор, содержащий два основных транзистора с эмиттерной связью через конденсатор, два дополнительных транзистора,базы которыхчереэ резисторы соединенЫ

10 с коллекторами основных транзисторов и через резисторы — с источником питания, причем эмиттеры основных транзисторов подключены к управляемым исто4никам тока, выполненным на транзисторах 11).

Этот мультивибратор выполнен на базе мультивибратора с эмиттерной связью, в которой два основных транзистора образуют усилительный каскад с положительной обратной связью, В любой момент времени один из основных транзисторов открыт и времязадающий конденсатор попеременно то заряжается, то разряжается током постоянной величины, который определяется управляемыми источниками тока.

- -- - -:"--- 2

Для температурной стабилизации частоты генерируемых колебаний в мультивибратор введен дифференциальный эмиттерный повторитель на двух дополнительных транзисторах с источником тока в эмиттерной цепи. Настройка схемы достигается путем подгонки элементов источников тока и резистивных делителей в цепях без дополнительных транзисторов. Получение высокой температурной стабильности частоты (20 10 1/град) обеспечивается только при тщательной настройке схемы и осуществляется лишь в узком диапазоне температур. Наличие же реэистивных делителей в базах дополнительных транзисторов ограничивает рабочую частоту мультивибратора. которая не превышает 2 МГц, Недостатком схемы является также малый динамический диапазон управления частотой.

Известны мультивибраторы, содержащие первый и второй основные транзисторы с эмиттерной связью через конденсатор, два дополнительных транзистора, базы которых соединены с коллекторами основных транзисто1я в и через резисторы — с источником питания, причем

39717 4 ния на резисторе 8 будет равно: Ug=2JgRg, где Jg — ток источников 11, 12; В9 — сопротивление резистора 8.

Таким образом, при Uo) 2Ч » напряжение

Ug, до которого заряжается конденсатор, остается неизменным и формула для частоты генерируемых колебаний будет следующей

1о

ncu+

10. Предельную частоту мультивибратора по предложенной схеме можно повысить за счет выбора Ug (0бq (где 0бэ — напряжение перехода база-эмиттер), при одинаковых прочих условиях. Минимально допустимая величина

15 Ug, необходиМая для переключения основных транзисторов, составляет 2 Ч, Следовательно, верхняя предельная частота генерируемых колебаний в предложенном мультивибраторе будет в Обэ/2 г . раз выше, чем у в из20 вестном (21.

Для кремниевых транзисторов Обэ — 0,6 В.

Величина Ч составляет 26 мВ при нормальной т (20 С) температуре. Следовательно, можно повысить предельную частоту в 10 — 12 раз. Это

25 расширяет диапазон рабочих частот мультивибратора.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит первый и второй основные транзисторы 1 и 2, конденсатор 3, дополнительные транзисторы 4 и 5, резисторы

:6 — 9, управляемые источники 10 — 13 тока.

Мультивибратор работает следующим образом, При переключении транзисторов 1 и 5 в открытое, а транзисторов 4 и 2 в закрытое состояние происходит заряд конденсатора 3 через источник 13 и транзистор 1. В следующий полупериод транзисторы 1, и 5 закрываются, а транзисторы 4 и 2 открываются и происходит перезаряд конденсатора 3 через транзистор 2 и источник 10.

Pai псдучения симметричных импульсов не- 40 обходимо, чтобы номиналы резисторов 6 — 9, а также токи Jo источников 13 и 10 были попарно одинаковыми. В момент перехода, например, транзистора 1 из закрытого состояния

- в открытое падение напряжения на резисторе 6 45 будет составлять: 0о = 2.1ойо, где Яо — сопротивление резисторов 6 и 9. Если Оо> 2 „. где Ч.„— температурный потенциал, то под действйем этого напряжения переключается дифференциальный каскад, образованный транзис- 50 торами 4 и 5 и источниками 11 и 12. При этом проявляются ограничительные свойства дифференциального каскада и падение напряже3 7 эмиттеры основных и дополнительных транзисторов подключены к управляемым источникам тока (2}.

Эти мультивибраторы имеют недостаточно высокую верхнюю предельную частоту.

Белью изобретения является увеличение частоты генерации.

Для достижения цели в мультивибратор, содержащий два основных транзистора с эмиттерной связью через конденсатор и два дополнительных транзистора, базы которых соединены с коллекторами основных транзисторов и че . рез резисторы — с источником питания, а эмиттеры основных и дополнительных транзис" тбров подкачены к управляемым источникам тока, введены два дополнительных резистора; при этом коллекторы первого и второго дополнительных транзисторов соединены соответственно с базами первого и второго основнь1х трайзисторов и через дополнительные резисторы "подключены к источнику питания, причем эмиттеры дополнительных транзисторов соединены между собой.

Формула изобретения

Мультивибратор, содержащий первый и второй основные транзисторы с эмиттерной связью через конденсатор, два дополнительных транзистора, базы которых соединены с коллекторами основных транзисторов и через резиСторы— с источником питания, причем эмиттеры основных и дополнительных транзисторов подключены к управляемым источникам тока, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения частоты генерации, в него введены два дополнительных резистора, при этом коллекторы первого и второго допопнительных транзисторов соединены соответственно с базами первого и второго основных транзисторов и через дополнительные резисторы подключены к источнику питания, причем эмиттеры дополнительных транзисторов соединены между собой.

Источники информации, . принятые во внимание при экспертизе

1. Патент ГДР У 104684, кл. 21 а и 8/01, .1974.

2. Патент ФРГ л= 2540867, кл. Н 03 К 3/232, 1976 (прототип) .

739717

Заказ 2957/50

Тираж 995 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул, Проектная, 4

Составитель В. Бугров

Редактор 3. Бородкина - Техред А. Щепанская Корректор . СЛйомак