Способ отбраковки резисторов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-в у (22) Заявлено 310877 (21) 2522074/18-21 с присоединенйем заявки ¹
Н 01 С 17/00
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет
Опубликовано 150680. Бюллетень ¹? 2
{53) УДК621. 396..69 (088; 8) Дата опубликования описания 1506.80 (72) Авторы изобретения
В И ° Пружинина, В. B. Александров, З.П. Куклина и И.A. Нартовская (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОТБРАКОВКИ РЕЗИСТОРОВ
Изобретение относится к радиоэлектронике и может, в частности, быть использовано при производстве высоконелинейных резисторов для разрядников и ограничителей перенапряжений .
Известен способ обработки резисторов, включающий определение их пропускной способности, заключающийся в том, что выборка иэ партии резисторов испытывается гарантированным или несколько большим током, понижающим или исчерпывающим ресурс пропускной способности (1) .
Недостатком этого способа является то, что резисторы после испытаний не пригодны к использованию.
Кроме того, вероятность появления бракованных резисторов в партии остается и зависит от величины выборки.
Известен способ отбраковки резисторов, при котором пропускную способность резисторов определяют по изменению падения напряжения между концом электрода и краем резистора при приложении коротковолнового длительностью от 10 до 20 мкс импульса тоха номинальной величины (5 кА и выше) и полученное значение сравнивают с предварительно определен н ой предельной для данного типа резисторов величиной (2) .
Недостатком данного способа является его трудоемкость и невозможность .обнаружения трещин в дисках резисторов, которые могут образовываться в процессе прессования резисторов.
Цель изобретения — обеспечение воэможности нераэрушающего контроля и упрощение способа.
Указанная цель достигается тем, что в способе отбраковки резисторов включающем опр едел ение пропуски ой способности резисторов путем измеренйя электричвских параметров, определение пропускной способности производят путем измерения емкости и проводимости при напряжении 8-10 В и частоте О, 9-1, 1 кГц.
Измерение емкости выявляет такие технологические дефекты оксидноцинковых нелинейных резисторов, как трещинки, неплотности и слоистость структуры, не обнаруживаемые вн ешн им осмотром и не проявляющиеся в вольт,амперн ой характ ери стик е, но рез ко снижающие токовую пропускную способ3() ность. Эти дефекты сказываются на
741327
Таблица
200
240
0,030
0,018
20
200
20
0,020 200
0,018 200
0,014 200
2943
20
2944
2945
240
2946
200
0 015
0,013
0,016
0,012
20
2947
200
20
2948
200
20
2949
200
2950
0,014 200
0,014 200
2951
2952
20+
О, 014
200
240 величине емкости резисторов, потому что представляют собой воздушные емкости, включенные последовательно с емкостью тела резистора.
Одновременно с измерением емкости на мосте переменного тока измеряется и проводимость резистора при малом напряжении, поскольку нелинейный резистор может быть представлен емкостью, шунтированной линейным резистором.
Если резистор имеет участки повышенной электропроводности, т. е. дефекты, появившиеся при случайном попадании в резистор проводящих окислов или при местном нарушении окислительного характера газовой среды в процессе спекани я, то происходит существенное ухудшение нелинейности егб вольт-амперн ой характери стихи .
Это ухудшение проявляется в увеличении на порядок проводимости, измеренной на мосте переменного тока.
Таким образом, измерения емкости и проводимости на мосте переменного тока позволяют проводить отбраковку резисторов как по пропускной способности, так и по нелинейности
Для примера в табл. 1 приведены .результаты измерения емкости и проводимости и итоги испытания пропускной способности. Резисторы Ф 34 мм нагружались токами 200 и ?40 А на пр ямоу гольной волне, длит ел ьн ост ью
2 мкс.
2941 1463 0,010
2942 1484 0,011
1538 0,011
564 0,004
1474 . 0,010
1601 0,010
1517 0,011
1512 0,010
804 0,005
1476 0,011
924 . 0,006
1559 0,011
В таблице указано число импульсов- -. нагрузки, которые диски выдержали.
Импульс, который вызвал пробой, помечен крестом. Коэффициент нелинейности вычислен для диапазона токов 0,1 и 1,0 мА.
Резисторы 99 2944, 2949 и 2951, обладавшие малой емкостью пробились на токе 200 л, в то время как остальные резисторы выдержали нагруэ.<у током и 200 и 240 л. Таким образом, уровень гарантированных токов в партии может быть поднят до 240 h.
В табл. 2 представлено влияние проводимости на коэффициент нелинейности. Резисторы 99 3318-3326 имеют
15 проводимость более чем на порядок превышающую проводимость резисторов
99 3167-3174. При этом у первых коэффициент нелинейности также почти в 6 раз больше, чем у резисторов
gp ММ 3167-3174.
Таким образом, измеряя емкость и проводимость резисторов на мосте переменного тока можно отбраковывать диски, обладающие как пониженной способностью, так и пониженной нелинейностью
Использование предложенного способа контроля резисторов позволяет проводить 100%-ный контроль производимых резисторов. Способ Прост, измеЗО рения по данному способу производятся с минимальной тратой времени и при этом не расходуется ресурс резисторов.
741327
Табли ца 2
Нелинейность, О, 1-li 0 MA
Диск
Емкость, пФ
Проиэводимость, l0
3318
2343
О, 202
О, 145
0, 110
2297
3319
3320
1963
О, 155
3321
2174
3322
2251
3323
2133
3324
2354
3325
2323
3326
2319
Среднее
3167
1631
3168
1654
3169
1726
3170
1665
3171
1709
0,006
3172
1733
3173
1640
3174
1569
0,005
0,006
Среднее формула изобретения способа, определение пропускной способности производят путем измерения емкости и проводимости при напряжении 8-10 В и частоте 0,9-1,1 кГц.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. PTM OAA. 688.012.71, 1971.
2. Патент ФРГ М 1541854, кл. 21 с 31/12, 1970 (прототип).
Составитель Н. Солодова
Редактор П. Макаревич Техред Н.Ковалева Корректор С. Шекмар
Заказ 3331/8 Тираж 844 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д..4/5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Способ отбраковки резисторов, включающий определение пропускной способности резисторов путем измерения электрических параметров, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля резисторов и упрощения
О, 226
О, 186
О, 141
О, 178
О, 196
О, 156
О, 211
0,208
О, 221
О, 191
О, 006
0,006
О, 006.
О; 169
О, 138
О, 178
0,180
О, 194
О, 164
0,027
0,028
0,027
0,027
0,027
0,029
0,034
0,026
0,028