Нейристор

Нейристор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

< 744982 (6l ) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено24,03.78 (21) 2597701/18-21 (51) М. Кл.

Н 03 K 17/56

Н 03 К 17/72 с присоединением заявки ¹

Гасударственный комитет ессеи (23) Приоритет

Опубликовано 30.06.80. Бюллетень № 24 но делом нзобретеннй н отхрытнй (53) Àt(621 374 .335.2 (088.8) Дата опубликования описания 02.07.80 (72) Автор изобретения

H. T. Гурин

Ульяновский политехнический институт (7!) Заявитель (54) НЕИРИСТСР

Изобретение относится к нейристорной технике и может быть использовано в усч ройствах вычислительной техники, в автоматике и оптоэлектронике. Известен нейристор, содержащий параллельно включен5 ные ячейки из последовательно соединенных лазера, фотодиода и фоторезистора (1). Также известен нейристор, содержащий параллельно включенные ячейки приборов с S -образной характеристикой j2).

1о

Известные схемы имеют узкие функциональные возможности.

Белью изобретения является расширение функциональных возможностей.

Бель достигается тем, что в нейристор,, содержащий1параллельно включенные ячейки приборов с 5-образной характеристикой, введены оптроны, причем последовательно с каждым прибором с 5-образной характеристикой включены светоизлучаюший элемент одного оптрона и фоточувсч вительный элемент другого оптрона, светоизлучающий элемент которого включен в

i предыдущей ячейке.

На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема нейристора: фоточувсч вительный элемент 1, светоизлучающий элемент 2, приборы с 5-образной характеристикой 3, источник питания 4; на фиг. 2 — вольтамперная характеристика с нагрузочными прямыми.

Нейристор работает следующим образом.

При подаче на вход устройства импултсов с длительностью, большей дтительноо ти нейристорного импульса, после включения прибора с S --образной характеристикой 3, он останется в низкоомном состоянии в течение всего времени действия входного импульса; соответственно, в течение этого времени светоизлучаюший элемент 2 будет излучать свет, что приведет к переводу прибора с S -образной характеристикой 3 во включенное состояние, получению светоизлучаюших элементов 2 и т.д. Раостояние, на которое распространится фронт зоны возбуждения и, соответственно, излу чения при открытых оптронах определяется длительностью Входного импульса и времеНеМ выключения каждой ячейки от,заднего фронта входного импульса, При равенстве времен включения и выключения ячейки в целом, вдоль нейристо5 ра может распространяться нейристорный импульс и, соответстве1шо светящаяся область, с длительностью и размерами, равной и пропорциональными длительности Входнхххго импульса.

При времени выключения ячейки, много меньшем времени включения ее, число включенных ячеек будет пропорционально длительности входного импульса и, соотВетственно, длина светящегося столбика

15 будет пропорциональна длительности входного импульса при Открьхтх>1х оптронах.

При импульсном напряжении питания с амплитудой импульса 1. и положепии ли-нии нагрузки В исходном состоянии 3 и при подаче па Вход импульса запуска Одновременно с подачей импульса питания, вдоль нейристора будет распространяться зона возбуэкдешхя и, соответственно, "светящХхйся . столбик", длительность и длина которьхх пропорциональна длительности импульса питания, П1эп хэыпол11енххи Опт1эОехОВ n 1 I< phiтыми для входа излучения возможно управление временами включения и Выключешьч ячеек, т.е. 311 скоростью распрострапеш я нейристорцогo импульса ххли < хронта зоххы aoa6y>iK элементов, протекающего через светоизлучаюхцие элементы, протекающего через све тоизлучаюшХхе элементы и к измепенэцо интенсивности их излучения.

Кроме того, возможны различные комбинации вышеуказанных режимов.

Предложенное устройство может быть реализовано как а дискретном, так ив микроэлектронном исполнении.

При источнике питания постоянного напряжения амплитудой Е и пересечении БАХ линией нагрузки В положении 2 фиг. 2), а также при длительности иХ.хпульса запуска меньшей длительности нейристорного импульса, реализуется режим самопроизвольного распространения нейристорного импульса. При подаче электрического импульса запуска на прибор с 5 -образ ной характеристикой 3 илп светового импульса па фоточувствительный элемент 1, достаточпо1 о для уменьшения его сопр 1 ления до перевода линии нагрузки в положение 4 прибор с 5-образной характеристикой 3 переключится в низкоомноесостоя,ние. Начнется заряд собственной емкости фоточувствительного элемента 1, В результате чего будет уменьшаться напряжение на приборе с 5 -образной характеристикой 3 до величиХВ1, при которой ток через него станет равным току выключения. Прибор с 5-образной характеристикой 3 Выключится. Начнется разряд собственной емкости фоточувствительного элемента 1 на его сопротивление, в результате чего повышается напряжение иа приборе C -образной характ рххстикой З„подготавливая его к новому циклу запуска. При протекании тока через светоххзлучахоший элемент 2

an время нахождения прибора с 5 -образной характеристиххой 3 в низкоомном состоянии элемент 2 излучает свет, который падает на фоточувствительнъхй элемент 1 данного оптропа. Парах.хетрьх оптрона выбираются такими, чтобы обеспечить перевод линии ххагрузкхх ячейки в положение 4..

При этом Включится прибор с -образной характеристикой 3. Начнется заряд. собстВенной емкости фоточувствительного элемента 1 и т.д.

В случае выполнения оптронов открытыми для Выхода излучения, одновременно с распространением пейристорного импульса, вдоль него будет распространяться

"светящееся пятно", обусловленное выходом. части излучения.

Форму — à изобретения

Нейристор, содержащий параллельно включенные ячейки приборов с 5 -образной характеристикой, о т л и ч à In ш и и с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него Введень1 оптроны, причем последовательпо с кам<дым прибором с 5 -образной характеристикой включены светоизлучаюший элемент одного Оптрона и фоточувствительный элемент другого оптрона, светоизлучающий элемент кото» рого включен в предыдущей ячейке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Бузанов,/1. К. и др. Полупроводниковые фотоприемники. "Энергия, М., 197б, с. 49, рис. 31, 2. Журнал ТИРИ 19б2, т. 50, К. 10, с, 2090 (прототххп) .

744982

Составитель B. Трубников

Редактор Г. Улыбина Техред М. Петко Корректор H. Степ

Заказ 3683/16 Тираж 995 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4