Устройство для управления полупроводниковой памятью

Устройство для управления полупроводниковой памятью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВЫДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

I (22) Заявлено 15.07.77 (21) 2507749/18-24 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет—

Опубликовано 07. 07. 80. Бюллетень ¹ 25

Дата опубликования описания 1Q Q7 80 (51) M. Кл.

G 06 9/00 11 С 11/34

Гасударственный комитет оо делем изобретений н открытий (53) УДК 681.327 (088.8) 1 .

Ю, С. Яковлев, А. А, Юрасов и О. А, Присяжнюк (72) Авторы изобретения

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТЬЮ

Изобретение относится к области цифровых вычислительных машин, может быть использовано в полупроводниковых запоминающих устройствах (ЗУ) íà МДПтранзисторах.

Известно устройство, которое предназначено для формирования определен- . ной последовательности выходных управляющих сигналов, необходимых для работы запоминающих элементов на МДПтранзисторах 1). При этом оно может о быть применено в ЗУ, содержащем ячейки памяти на МДП - транзисторах толь ко одного типа, обладаюших одинаковой предельной частотой работы и требую15 ших одинаковую последовательность и длительность управляющих сигналов.

Известно также устройство для управления полупроводниковой памятью, содержашее блок ввода - вывода информации и блок регенерации информации, подключенные к блоку управления f2).

B этом устройстве задается жесткая последовательность и фиксированные па1 раметры выходных управляющих сигналов, настроенные на один определенный тип ячейки памяти.

При этом изменить параметры, также как и изменить последовательность управляющих сигналов невозможно без технологического вмешательства в устройство для управления памятью. При выполнении устройства в виде больших интегральных схем (БИС) такое вмешательство практически невозможно; а поэтому любая разработка накопителя на ячейках памяти, выполненных на МДП - транзисторах с новой временной диаграммой их работы, требует разработки нового типа БИС устройства управления, что серьезно сказывается на сроках и стоимости разработки.

Недостатками известного устройства являются отсутствие автоматической настройКи параметров выходных управляющих сигналов и невозможность унификации устройства для накопителей с различными временными диаграммами рабо

3 16,э ты ячеек памяти, что существенно снижает область применейия устройства.

Целью изобретения является расширение области применения устройства за счет обеспечения возможности автоматиЭ ческой перестройки параметров управляющих импульсов.

Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит элементы И и

ИЛИ, генераторы импульсов и блок местного управления, первый и второй входы которого подключены к соответствующим входам блока ввода - вывода информации, третий и четвертый входы - к выходам блока регенерации информации, выходы блока местного управления соединень1 с одними из входов элементов И, другие входы которых подключены к выходам генераторов импульсов, а выходы через первый элемент ИЛИ - к входу блока 2О управления, входы t енераторбв"Импуль- . сов соединены с выходом второго элемента ИЛИ, входы которого подключены к одному из входов блока ввода - вывода информации и четвертому входу блока местного управления.

На чертеже изображена блок-схема предложенного устройства.

Устройство содержит блок 1 управления, в состав которого входят счетчик 2 тактовых импульсов, дешифратор 3 тактовых импульсов, узел 4 формирования и выдачи управляющих сигналов; блок 5 регенерации информации, в состав котоpot o включаются генератор 6 регенерации, узел 7 управления регенерации, счетчик 8 адресов регенерации; блок 8 ввода — вывода, состоящий из генератора 10 тактовых импульсов, регистра 11

attpeca и регистра 12 слова, элементы

И 13, первый 14 и второй 15 элементы

ИЛИ, генераторы 16 импульсов и блок

17 местного уп1равпения.

Первый и второй входы блока 17 подключены к соответствующим входам блока 9, выходы соединены с одними из входов элементов И 13, другие входы которых подключены к выходам генераторов 16 импульсов, а выходы через элемент ИЛИ 14 - к вЫду блока 1. Входы генераторов 16 импульсов соединены с выходом элемента ИЛИ 15, входы которого подключены к одному из входов блока 9 и четвертому входу блока 1 7.

В устройстве вместо генераторов 16

55 могут быть применены соответствующие схемы деления или умножения частоты генератора, а в качестве блока 17 воз

15 ф ! можно использование дешифратора кода адреса.

Работу устройства рассмотрим на примере формирования выходных управляющих сигналов в режиме записи для двух типов накопителей, кристаллы которых отличаются по частотным свойствам. При обращении к устройству по. сигналу обращение запускаются генераторы 16 и

10. При этом код адреса запоминается на регистре 11 адреса. В соответствии с определенными разрядами кода адреса ., на одном из выходов блока 17 появляется управляющий сигнал, который подключает соответствующий генератор 16 через элемент ИЛИ 14, на вход блока 1 управления. Для выполнения одного из режимов, например, записи, на другой вход блока 1 и второй вход блока 17 поступает сигнал "запись". Тактовые импульсы,, поступающие на вход блока 1t запускают счетчик 2 тактовых импульсов, выходные сигналы. счетчика дешифрируются дешифратором 3, при этом на каждом из выходов дешифратора формируется последовательность тактовых импульсов, сдвинутая во времени относительно последовательности на любом другом выходе дешифратора.

Узел 4 воспринимает определенные импульсы на выходах дешифратора 3 и формирует уцравляющие сигналы, поступающие на выход устройства, а также синхронизирующие сигналы, поступающие на входы блоков 5 и 8. Код слова поступает на входы блока 8, запоминается на регистре 12 слова и выдается на .выходы устройства при наличии соответствующего сигнала на одном из управляющих входов.

При обращении по адресу другого накопителя, ячейки памяти которого требуют для своей работы другой диаграммы, блок 17 в соответствии с кодом адреса вырабатывает управляющий сигнал на соответствующем выходе и подключает

L соответствующий генератор 16 на вход блока 1. Так как частота тактовых импульсов на входе блока 1 изменилась по сравнению с предыдущим обращением, то .естественно изменяются и параметры выходных управляющих сигналов.

В режиме регенерации информации генератор 6 блока 5 выдает управляющие сигналы, указывающие на необходимость регенерации информации, так как в ячей,ках памяти динамического типа, выполненных на МДП-гранзисторах, информа6 изобретения

Формула

l.. Патент Великобритании

N» 1311997, кл. 6 11 С 7/00, 197.3.

2. Старос Ф. Г., Крайзмер Л. П. По лупрОводниковые запоминающие устройст ва, Л., Энергия, 1973, с. 64-76 (прототип),5 7465 ция сохраняется ограниченное время (например, 2 млс) и ее необходимо восстанавливать каждые 2 млс. Этот сигнал. запускает узел 7 управления регенерацией и счетчик,8 адресов регенерации, который изменяет свое состояние на единицу после каждого цикла регенерации, а также запускает генератор 10 и через элемент ИЛИ 15 генераторы 16. В соответствии с кодом адреса регенерации, 10 поступающим на третий вход блока .17, на er î соответствующем выходе вырабатывается сигнал, который через элементы

И 13 и ИЛИ 14 подключает соответствую-. щий генератор 16 на вход блока 1 для формирования временной диаграммы работы устройства в режиме регенерации. Код адреса регенерации поступает также

1на входы блока 9, где заносится на регистр адреса 11 при наличии управляю 20 щего сигнала на одном из его входов, который одновременно запрещает прием кода. адреса на регистр 11 по другим входам в течение цикла регенерации. Так как управляющий сигнал регенерации по . ступает на вход блока 1, то блок 1 вы дает на его выход управляющие сигналы, параметры, последовательность поступдения которых соответствует режиму регенерации информации в ячейках памяти выб-ЗО раиного накопителя.

Таким образом, предложенное устройство обладает возможностью автоматической перестройки временной диаграммы, что позволяет унифицировать его для по- 35 лупроводниковых оперативных запоминаю щих устройств, накопители которых выполнены на ячейках памяти, требующих для своей работы различных временных диаграмм.

Устройство для управления полупроводниковой памятью, содержащее блок ,ввода - вывода информации и блок регенерации информации, подключенные к блоку управления, о т л и ч- а ю щ е е с я тем, что, с целью расширения области применения устройства за счет обеспечения возможности автоматической перестройки параметров управляющих импульсов, оно содержит элементы И и ИЛИ, генераторы импульсов и блок местного управления, первый и второй входы которого подключены к соответствующим входам блока ввода ° — вывода информации, третий и четвертый входы - к выходам блока регенерации информации, выходы блока мест» ного управления соединены с одним из входом элементов И, другие входы которых-подключеньг к выходам генераторов импульсов, а вйходы через первый, элемент ИЛИ к входу блока управления, входы генераторов импульсов. соединены с с выходом второго элемента ИЛИ, входы которого подключены к одному из входов блока ввода - вывода информации и четвертому входу блока местного управления.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

746515

Составитель B. Рудаков

Редактор Г. Петрова Техред Я. Бнрчак Корректор И. Муска

Заказ 3949/39 Тираж 75 1 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР

-по делам изобретений и открытий

l13035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4