Оптический управляемый канал связи для логического оптоэлектронного устройства

Оптический управляемый канал связи для логического оптоэлектронного устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П C- "Ô "Â";È, Е (ii)746785

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 17.04.78 (21) 2609767/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М.Кл в

Н 01 P 5/00

Государственный квинтет

СССР лю делам нэввретеннй н еткрмтнй (53) УДК 681.327, .6 (088.8) Опубликовано 07.07.80. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 17.07.80 (72) Авторы изобретения

В. И. Бусурин, А. В. Миловзоров и Н. П. Удалов

Рязанский радиотехнический институтиМосковский ордена Ленина авиационный институт имени Орджоникидзе (71) Заявители (54) ОПТИЧЕСКИЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ КАНАЛ СВЯЗИ

ДЛЯ ЛОГИЧЕСКОГО ОПТОЭЛЕКТРОННОГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к оптоэлектронике, может быть использовано в логических оптоэлектронных устройствах систем обработки информации и автоматического управления.

Известен оптический управляемый канал связи для логического оптоэлектронного устройства, по которому осуществляется управляемая оптическая связь источника излучения с фотоприемником (1).

Известен также оптический управляемый канал связи, выполненный в виде диэлектрического волновода с изменяемым скачком показателя преломления на границе, который содержит подложку, на которой нанесен диэлектрический волноводный слой с коэффициентом преломления, большим, чем коэффициент преломления подложки. На диэлектрический слой нанесена пленка жидкокристаллического материала с изменяемым коэффициентом преломления (2).

Недостатками известного устройства являются отсутствие возможности запоминания информации и низкое быстродействие, обусловленное низким быстродействием переключения коэффициента преломления жидких кристаллов.

Целью изобретения является устранение указанных недостатков.

Поставленная цель достигается тем, что на поверхность диэлектрического волноводного слоя, нанесенного на подложку с коэффициентом преломления меньшим, чем коэффициент преломления диэлектрического слоя, нанесена пленка магнитооптического материала. Коэффициент преломления магнитооптического материала зависит от напряженности магнитного поля, создаваемого с помощью токо проводящих шин. Гистерезисные магнитные свойства материала пленки обеспечивают возможность запоминания информации, а малая инерционность магнитооптических эффектов — высокое быстродействие.

На чертеже изображен предлагаемый оптический управляемый канал.

Оптический управляемый канал содержит подложку 1, на которую нанесен диэлектрический волноводный слой 2 с коэффициентом преломления, большим, чем коэффициент преломления материала подложки. На диэлектрический слой нанесена пленка магнитооптического материала 3 с токопроводящими шинами 4. ется намагниченной. Это позволяет реализовать функцию памяти о состоянии пропускания оптического канала связи.

Работа оптического управляемого канала связи основана на магнитооптических эффектах, инерционность которых по данным, приведенным в литературе, составляет менее 1 наносекунды, поэтому быстродействие предлагаемого устройства будет определяться скоростью перемагничивания пленки магнитооптического материала.

Формула изобретения

Оптический управляемый канал связи для логического оптоэлектронного устройства, содержащий подложку и нанесенный на нее диэлектрический слой с коэффициентом преломления, большим коэффициента преломления подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и расширения функциональных возможностей устройства за счет реализации функции памяти, на диэлектрический слой нанесена пленка магнитооптического материала с токопроводящими шинйми.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Приборы и системы управления 1973, № 9, с. 32 — 33.

2. Квантовая электроника 1976, № 2, с. 448 — 450 (прототип).

Ф,а 4й з

746T85 г

Устройство работает следующим образом.

Плоскополяризованный свет; поступающий на вход оптического управляемого ка-" -нала; испытывает полное внутренйее отражение на границах диэлектрического слоя 2 с подложкой 1 и магнитооптической пленкой 3 и распространяется вдоль диэлектрического слоя. Полное внутреннее отражение света на границах диэлектрического слоя обусловлено тем, что коэффициент преломления и диэлектрического слоя больше, чем у материала подложки и магнитооптического материала.

При пропускании тока по токопроводящим шинам 4 пленка магнитооптического материала 3 намагничивается. При наличии магнитного поля показатель преломления магнитооптического материала для право- и лево- циркулярно-поляризованного света изменяется соответственно на + Ь и и — Лп. Это приведет к нарушению условия полного внутреннего отражения на границе волноводного диэлектрического слоя 2 и магнитооптической пленки 3. Световая энергия начнет вытекать через поверхность волноводного слоя 2 и-интенсивность света на выходе оптического канала уменьшится.

Магнитооптический материал обладает гистерезистными магнитными свойствами, поэтому после прекращения протекания электрического тока по токопроводящим шинам 4 пленка магнитооптического материала 3 оста1

Составитель Л. Загинайко

Редактор Г. Петрова Техред К. Шуфрич Корректор В. Синицкая

Заказ 3964 47 Тираж 844 Подписное

ЦНИЙПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4