Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Сов1иаиистнческих

Республик р >748250

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, саид-ву (22) Заявлено 04,1177 (21) 2541173/18-25 с присоединением заявки No (51)М. Кл.2

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДН 821. 382. .2(088.8) Опубликовано 150780 Бюллетень Но 26

Дата опубликования описания 150780 (72) Авторы изобретения

A.Â.Ïèñàðñêèé, Г.А.Райхцаум, А.Н.Смирнов и A.A.Óâàðîâ

Специальное конструкторское бюро Ордена Ленина физикотехнического института им. A.Ô.Èîôôå AM СССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ HEOCHOBHhlX

НОСИТЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использЬвано для измерения парамет - * " ров мощных диодов и тиристоров, йа- 5 пример для экспресс-контроля временных характеристик.

Известны способы и устройства (1) для определения времени жизни неосновных носителей Ср в диодах, однако все они предназначены для измерения Фр в быстродействующих маломощных диодах.

Известно устройство (2) для иэмеренкя времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов, содержащее генератор тока, генератор переключающих импульсов, .подключенный к аноду испытуемого прибора, токосъемный элемент, вход которого подключен к катоду йспйтуемого полупроводникового прибора, а выход — к последовательно соеди- . ненным усилителю и блоку регистрации.

Недостатком этого устройства является его сложность при обеспечении высокой точности измерения.

Цель изобретения — упрощение устройства.

Эта цель достигается тем, что в устройство, введен электронный ключ, вход которого соединен с генератором тока, выход — с анодом испытуе- мого полупроводникового прибора, а управляющий вход — с усилителем.

На фиг.1 представлена структурная схема описываемого устройства; на фиг. 2 — временные диаграммы работы блоков устройства при определении р путем измерения времени рассасывания.

Генератор тока 1 подключен ко входу электронного ключа 2, выход которого соединен с анодом испытуемого полупроводникового прибора 3.

Катод испытуемого полупроводникового прибора через токосъемный элемент 4 подключен к общей шине. Выход токосъемного элемента 4 подключен к усилителю 5. один выход которого соединен с управляющим входом элект- ронного ключа 2, а другой выход— с блоком регистрации б. Генератор переключающих импульсов 7 подключен к аноду испытуемого полупроводникового прибора 3.

Устройство работает следующим образом.

748250

В исходном состоянии с генератора 1 импульса тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт

I сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.

При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы- ® туемый прибор 3.открывается и через него начинает протекать прямой ток.

В и. †ба испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда. )5

По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора начи- () нается рассасывание неосновных носителей тока, или извлечение накопленного заряда, которое вызывает изменение потенциала на токосъемном элементе 4. Импульс напряжения с токосъемного элемента поступает на вход усилителя 5.

Усилитель выделяет и,усиливает отрицательную полярность изменяющегося перепада потенциалов и подает импульс на управляющий вход электронного ключа 2. Электронный ключ закрывается и открывает цепь: испытуемый полупроводниковый прибор 3 — генератор 1, не допуская утечки заряда на внутреннее сопротивление генера- З5 тора 1.

Усиленный сигнал с усилителя 5 подается через другой выход также на устройство регистрации.

По извлечении всего накопленного,щ заряда из п-базы испытуемого полупроводникового прибора 3 он запирается, и сигнал на входе усилителя становится равен нулю. Электронный ключ 2 открывается и устройство .возвращается в исходное состояние.

При измерении L путем определения времени рассасывания усилитель 5 выделяет интервал времени, соответствующий времени рассасывания, а устройство регистрации б измеряет этот .временный интервал.

При измерении 1р путем определения извлеченного заряда усилитель 5 выделяет сигнал, пропорциональный площади ограниченной кривой обратного тока испытуемого полупроводникового прибора, а устройство регистрации б измеряет величину этого сигнала.

Формула изобретения

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов, содержащее генератор тока, генератор переключающих импульсов, подключенный к аноду испытуемого полупроводникового прибора, токосъемный элемент, вход которого подключен к катоду испытуемого полупроводникового прибора, а .выход— к последовательно соединенным усилителю и блоку регистрации, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, в него введен электронный ключ, вход которого соединен с генератором тока, выход — с анодом испытуемого полупроводникового прибора, а управляющий .вход— с усилителем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Думгус А.А., Дайлиденас В.М.

Сравнительный анализ методов измерения времени жизни носителей в диодах с накоплением заряда. Сб. "Радиоэлектроника", V Всесоюзная научнотехническая конференция, Каунас-Вильнюс, 1973, т.2.

2. Авторское свидетельство СССР

337738, . G 01 R 31/26, 1970 (прототип).

748250 гсн. f

Составитель В..Немцев

Редактор Т.Орловская Техред М. Петко Корректор Е.Папп

Заказ 4229/31 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская. наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4.