Генератор импульсов

Генератор импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (ii) 748813 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву— (22)Заявлено 31.03.78 (21) 2596590/18-21 с присоединением заявки М(23) Приоритет—

Опубликовано 15.07.80. Бюллетень М 26

Дата опубликования описания 17.07.80 (51)М. Кл.

Н 03 К 3/353

Веудерствеииый комитет

СССР ао делам изебретеиий и открытий (53} УДК 621.374. .44(088.8) (72) А втор изобретения

М. И. Богданович (7I) Заявитель (54) ГЕН-ЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к области автоматики, телемеханики, вычислительной техники и может быть использовано в раз личных электронных устройствах.

Известен генератор импульсов с симметричной мостовой времязадаюшей цепью и нуль-органом, выполненным на .биполярных транзисторах (11. Однако такой генератор не может работать в секундном ди-апазоне при небольших величинах (до 0,1 мкФ) времязадаюших конденса1о торов, так как максимальная величина времязадаюших резисторов ограничена величиной тока возбуждения биполярных транзисторов.

Известен генератор импульсов, содер15 жаший два МДП транзистора, противоположных типов проводимости, истоки которых обьединены, сток первого МДП-транзистора подключен к шине питания, а зат. вор - K одной обкладхе первого конденсатора, и первый резистор (2), Такой генератор сложен и недостаточgQ надежен

11елью изобретения является упрощение и повышение нвдежности генератора.

Для достижения указанной цели в генератор импульсов,содержаший два MQIIтранзистора противоположных типов проводимости, истоки которых объединены, сток первого МДП-транзистора подключен к шине питания, а затвор- к одной обкладке первого конденсатора, и первый р зистор, введены второй конденсатор и второй и третий резисторы, причем второй конденсатор включен между затвором второго МДП-транзистора и шиной питания, первый резистор шцпочен между затвором первого МДП-транзистора и шиной питания, другая обкладка первого конденсатора подключена к стоку второго МДП-транзистора и через второй резистор к обшей шине, а третий резистор включен между затвором и стоком второго МДП-транзисTOP8„

На фиг, 1 приведена принципиальная схема генератора импульсов; на фиг. 2

Генератор импульсов, содержащий два

МДП-транзистора противоположнйх типов проводимости, истоки которых обьединены, сток первого МДП-транзистора подключен к шине питания, а затвор - к одной обкладке первого конденсатора, и первый резистор, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью упрошения генератора и повышения его надежности, в него введены второй конденсатор и второй и третий резисторы, причем второй конденсатор включен между затвором второго МДПтранзистора и шиной питания, первый резистор включен между затвором пер« вого МДП-транзистора и шиной питания, другая обкладка первого конденсатора подключена к стоку второго МДП--транзистора и через второй резистор к обшей шине, в третий резистор включен между затвором и стоком второго МДП-транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Ильин В. А. и др, Импульсные уст . ройства с мостовыми времязадаюшими цепями, М., Энергия, 1972, с. 150, рис. 3-19.

2. Патент США М 3568091, кл. 331-113, 1969 (прототип).!

3 7488 1 иэобраЖейЫ "осциллограммы выходного напряжения генератора.

Генератор содержит МДП-транзисторы

1 и 2, конденсаторы 3 и 4, резисторы

5-7, клемму 8 шины питания, клемму 9 выходного напряжен и. Конденсатор 3, резистор 5 и конденсатор 4, резистор 7 образуют RC-цепи.

Генератор импульсов работает следуюшим образом.

При включении питания конденсаторы

3 и 4 разряжены, оба МДП-транэ истора закрыты, на выходной клемме 9 - низкий потенциал, на истоках обоих транэисторовпотенциал, равный половине напряжения питания.

Конденсаторы 3 и 4 заряжаются от источника питания через резисторы 5 и 7.

Когда напряжение на конденсаторах пре» высит половийу напряжения питания на ве- 20 личину порогового напряжения одного из

МДП- т айзйстороь; этот транзистор начинает открываться. Предположим, что начал открываться NQII-транзистор 2 с рканалом. Открывание МДП-транзистора 2 2s ведет к уменьшению потенциала на обоих истоках. В результате этого умейьшейия разность потенциалов между истоком и затвором у МДП-транзистора 1 начинает увеличиваться быстрее и достигает по- 30 рогового напряжения открывания МДП-транзистора l. Открывание обоих МДП-транзисторов ведет к уменьшению напряжения на ВС-цепях за счет падения напряжения на резисторе 6 нагрузки. Это, в свою ы очередь, ведет к увеличению разности потенциалов между истоками и затворами обоих МДП-транзисторов, так как напряжение на конденсаторах не может измениться скачком в силу закона коммутации,4о и способствует еше большему открыванию обойх МДП-транзисторов. В результате этого лавинообразного процесса оба МДП« транзистора переключаются в режим насыщения в течение времени, определяемого 4 их частотными свойствами. На выходной клемме 9 возникает высокий потенциал.

После насыщения обоих МДП-транзисторов напряжение на обоих КС-цепях уменьшается и конденсаторы 3, 4 начинают раэ- 5с

3 4 ряжаться через резисторы 5, 7 и откры-тые МДП-транзисторы. Разность потенциалов между истоками и затворами у обоих МДП-транзисторов уменьшается.

Когда напряжение на конденсаторах станет меньше, чем необходимое для уде ьжания МДП-транзисторов в насышенном состоянии, возникает лавинообразный процесс их закрывания, так как уменьшение тока одного из МДП»транзисторов приводит к уменьшению тока через другой

МДП-трайзистор и увеличению напряжения на РС-.цепях, а следовательно, к уменьшению разности потенциалов между истоками и затворами.

После перехода обоих МДП-транзисторов в режим отсечки конденсаторы. 3 и

4 начинают заряжаться и в дальнейшем процессы в генераторе повторяются.

Формула изобретения

748813

Фиг.2

Составителв В. Бугров

Техред А. Куликовская .Корректор И. Муска

Редактор Т. Юрчикова (Филиал ППП Пат нт, г. Ужгород, ул. Проектн, 4

Заказ 4260/4 8 Тираж 995 Подписное

ЦПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж38, Раушскан наб., д. 4/5