Ключ

Ключ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

748875

Союз Советсиил

Социалистических

Реслублии

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.06.78 (2l ) 262454 7/18-21 с присоединением заявки М— (23) Приоритет—

Опубликовано 15,07.80. Бюллетень,% 26 (51)М. Кд.

Н 03 К 17/56 йоудеротееииый комитет

СССР до делам изооретеиий и открытий (53) УДК621.316.

56(088 8) Дата опубликования описания 18.07.80 (22) Авторы изобретения

И. М. Полковский и В. А. Логинов (2I) Заявитель (54) КЛЮЧ

Йзобретение относится к области авто матики.

Известны ключи, содержащие транзисторы одного типа проводимости, резисторы, диодно-мостовую схему и переключа5 тель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы последовательно включены первый и второй резисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого транэис1о тора, эмиттер которого непосредственно, а база через третий резистор подключены к обшей шине, одна из точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с общей точкой эмиттеров второго и третьего транзисторов, а другая точка объ динения анодов диодов диодно-мостовой схе- мы подключена к общей точке э митте ров чет вертого и пятого транзисторов причем одна из точек объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор — со вто. рой входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены соответственно с первой и вто рой входными клеммами, другая точка объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через десятый резистор — с базой третьего транзистора, а через одиннадпатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и «ятого транзисторов соединены соответственно с первой и второй выходными клеммами (Х1.

Недостаток известного устройствабольшая потребляемая мощность.

Бель изобретения — уменьшение потребляемой мощности ключа.

Бель достигается тем, что в ключ, содержащий транзисторы одного типа проводимости, резисторы, диодно-мостовую схему и пер еключ втель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы последовательно включены первыйй и второй резисторы, общая точка коI тбрых соединена c коллектором первого транзистора, эмиттер которого непосредсч венно, а база через третий резистор подключены к общей шине, одна из точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена с общей точкой эмит 1о теров второго и третьего транзисторов, а другая точка объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов, причем одна из точек 15 объединения катодов диодов диодно-мостовой схемы через четвертый резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор - со второй входной клеммой, через шестой резистор — с ба- 2о эой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем коллекторы второго и четвертого транзисторов соединены соответственно с первой H второй BxogHblMH 25 клеммами, другая точка объединения катодов диодов диоднэ-мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор - со второй выходной клеммой, через 30 десятый резистор - с базой третьего транзистора, а через одиннадиатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и пятого транзисторов соединены соответственно 55 с первой и второй выходными клеммами, введены первый дополнительный транзистор того же типа проводимости, второй дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, диод и дополнитель-4О ные резисторы, при этом база первогодополнитепьного транзистора через первый допопнительный резистор соединена с коллектором первого транзистора, эмиттерс общей шиной, а коллектор подключен 45 к точкам объединения катодов диодов

50 резистор — к плюсовой шине источника питанйя, эмйттер второго дополнительного транзистора соединен через ка55

74М75

4 шестой дополнительный резистор - к коллектору первого транзистора, база которого через последовательно включенные седьмой дополнительный резистор и переключатель соединена с плюсовой шиной источника питания.

Рриндипиальнаа схема ключа представлена на чертеже.

Схема содержит диоды 1, 2, 3, 4 диодно-мостовой схемы, между точками объединения анодов диодов которой последовательно включены первый и второй ре» эисторы 5 и 6, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора 7, эмиттер которого непосредственно, а база через третий резистор 8 подключены к общей шине 9; точка объединения анодов диодов 1 и 2 соединена с общей точкой эмиттеров второго и третьего транзисторов 10 и 11, а точка объединения анодов диодов 3 и 4 подключена к общей точке эмиттеров четвертого и пятого транзисторов 12 и 13, точка объединения катодов диодов 1 и 3 через четвертый резистор 14 соединена с первой входной клеммой 15, через пятый резистор 16со второй входной клеммой 1 7, через шестой резистор 18 - с базой второго транзистора 10, а через седьмой резистор 19 подключена к базе четвертого транзистора 12, причем коллекторы транзисторов 10 и 12 соединены соответст венно с входными клеммами 15 и 17, точка объединения камрадов диодов 2 и 4 через восьмой резистор 20 соединена с первой выходной клеммой 21, через девятый резистор 22 - со второй выходной клеммой 23, через десятый резистор 24 с базой транзистора 11, а через одиннадцатый резистор 25 подключена к базе транзистора 13, причем коллекторы транзисторов 11 и 13 соединены соответственно с выходными клеммами 21 и 23; 26первый дополнительный транзистор, база которого через первый дополнительный резистор 27 соединена с коллектором диодно-мостовой схемы, к коллектору в транзистора 7, эмиттер - с общей шиной

9, а коллектор подключен к точкам объединения катодов диодов 1, 3 и 2, 4, к коллектору второго дополнительного транзистора 28, через второй дополнительный резистор 29 - к общей шине 9, а через дополнительный резистор 30 - к плюсовой

-тод-анод диода с плюсовой шиной источ- шине 31 источника питания эмиттер транника питания, а через четвертый допол" зистора 28 соединен через катод-анод нительный резистор - с общей шиной а диода 32 с плюсовой шиной 31 источника база подключена к переключателю через питания, а чепэ,четвертый дополнительный пятый дополнительный резистор - к плю- резистор 33 «с общей шиной 9, а баЖ под совой а не источника питания, а через ключенакпереключателю34,череэпятыйдсКлюч, содержащий транзисторы одного гипа проводимости, резисторы, диодномостовую схему и переключатель, при этом между точками объединения анодов диодов диодно мостовой схемы последовательно включены первый и второй резисторы, общая точка которых соединена с коллектором первого транзистора, эммет тер которого непосредственно, а база через третий резистор подключены к общей шине, одна из точек объединения анодов диодов диодно-мостовой схемы соединена " с общей точкой эмиттеров второго и тр тьего транзисторов, а другая точка объе- динения анодов диодов диодно-мостовой схемы подключена к общей точке эмитт ров четвертого и пятого транзисторов, причем одна из точек объединения катодов диодно-мостовой схемы через четвертью резистор соединена с первой входной клеммой, через пятый резистор — со второй входной клеммой, через шестой резистор - с базой второго транзистора, а через седьмой резистор подключена к базе четвертого транзистора, причем кол- лекторы второго и четвертого траНзисторов соединены соответственно с первой и второй вхолными клеммами, другая точка объединения катодов диодов диодно- мостовой схемы через восьмой резистор соединена с первой выходной клеммой, через девятый резистор — со второй выходной клеммой, через десятый резисторс базой третьего транзистора, а через одиннадпатый резистор подключена к базе пятого транзистора, причем коллекторы третьего и питого транзисторов соединены соответственно с первой и второй

5 7488 полнительный резистор 35- к плюсовой шине

31 источника питания, а через шестой дополнительный резистор 36- к коллектору транзистора 7, база которого через последовательно включенные седьмой дополнительный резистор 37 и переключатель 34 соединена с плюсовой шиной 31 источника питания.

Работа ключа осуществляется следующим образом. 10

Ключ находится в закрытом состоянии, когда переключатель 34 разомкнут. В этом случае транзистор 26 под действием положительного смещения, поступающего через резисторы 27, 35, 36; открыт, à 15 транзисторы 7 и 28 заперты. Последнее обусловлено тем, что переключатель 34 разомкнут и на базу транзистора 7 не подается положительное смещение, a a транзисторе 28 имеет место отрипатель- .2о ная обратная связь по току через резистор 33. С коллектора транзистора 7 через делитеЛь на резисторах 5 и 6 подает —. ся положительное смещение на аноды диодов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 25

10, 11, 12, 13, а с коллектора транзистора 26 — отридательное смещение на катоды диодов 1, 2, 3, 4 и через резисторы 18, 19, 24, 25 — соответственно на базы транзисторов 10, 11, 12 и 13. Зо

Благодаря этому достигается надежное запирание транзисторов 10, 11, 12 и 13 и полное отпирание диодов 1, 2, 3 и 4, Ключ находится в открытом состоянии при установке переключателя 34 в одно из двух положений. В одном положении переключателя 34 на базу транзистора 7 подается отпирающее напряжение от плюсовой шины 31 источника питания через резистор 35 и делитель на резисторах 4Î

8 и 37, а в другом положении переключатели 34 отпирающее напряжение на базу транзистора 7 подается от плюсовой шины

31 источника питания через делитель на резисторах 8 и 37. Так как к плюсовой 45 шине 31 источника питания через резисторы 35 и 36 подключен также коллектор транзистора 7, то он отпирается. В результате этого через резистор 27 на базу транзистора 26 и на среднюю точку дели- 5о теля на резисторах 5 и 6 подается потенпиал общей шины 9. Сйновременно, потенпиал общей шины 9 подается также через резисторы 5 и 6 на аноды диодов 1, 2, 3, 4 и эмиттеры транзисторов 10, 11 55

12, 13. Транзистор 26 запирается, сйимается шунтирование с резистора 29 и под действием отпирающего напряжения, поступающего на базу транзистора 28

75 6 через резистор 35, последний отпирается.

Вследствие этого через диод 32 и эмитетер-коллектор транзистора 28, шунтирующий резистор 30, подается положительное смещение на катоды диодов 1, 2, 3 и 4, через резисторы 18, 19, 24 и 25 - на базы, и через резисторы 14, 16, 20 и 22 - на коллекторы транзисторов 10, 11, 12 и 13. При этом подача положительного смещения на эмиттер транзистора 28 ослабляет действие отрипательной обратной связи через резистор 33 и тем самым способствует более полному отпиранию транзистора 28. Поэтому в откры том состоянии ключа происходит надежное запирание диодов 1, 2,. 3 и 4 и полное отпирание транзисторов 10, 11, 12 и 13.

Формула изобретения

74 88 выходными клеммами, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с пелью уменьшения потребляемой мощности, в него введены первый, дополнительный транзистор того же типа проводимости, второй дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, диод и дополнительные резисторы, при этом база первого дополнительного транзистора через первый дополнительный резистор соединена с коллекто- о ром первого транзистора, эмиттер - с общей шиной, а коллектор подключен к точкам объединения катодов диодов диодномостовой схемы, к коллектору второго дополнительного транзистора, через второй 15 дополнительный резистор — к общей шине, а через третий дополнительный резисторк плюсовой шине источника питания, эми1

75 тер второго дополнительного транзистора соединен через катод-анод диода с плюсовой шиной источника питания, а через четвертый дополнительный резистор — с общей шиной, а база подключена к переключатеmo, через пятый дополнительный резисторк плюсовой шине источника питания, а через шестой дополнительный резистор — к коллектору первого транзистора, база которого через последовательно включенные седьмой дополнительный резистор и переключатель соединена с плюсовой шиной источника питания.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

% 423244, кл. Н 03 К 17/56, l8.09.74 (прототип).

ПНИИПИ Заказ 4384/22 . Тираж 995 Подписное

Филиал ППП "Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4