Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока

Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

<тт> 750746 (6 I ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 0901,, 8 (21) 2568189/18-21 с присоединением заявки Мо (23) Приоритет

Опубликовано 230780. Бюллетень ) (о 27 (51) М. Кл.

Н 03 К 1/02

Госуттарстаеииый комитет

СССР по келам и тооретеиий и открытий (53) УДК 621. 373.. 52 (088.8) Дата опубликования описания 2 3.0 7.80 (72) Авторы изобретения

В.В.Александров,В.М.Колобков и В.В.Куцвв (71) Заявитель (54 ) ТЕР (ОКО(тПЕНСИРОВАННЫИ ГЕНЕРАТОР СТАБИЛИЗИРОВАННОГО

ТОКА

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к устройствам модуляторов и демодуляторов, применяемым в многоканальных линиях связи с время-импульсной и кодово-импульсной модуляцией.

Известен термокомпенсированный генератор стабилизированногo тока, содержащий транзисторы, первые два из которых образуют составной транзистор, токозадающий резиcòoð, источник смещения на двух последовательно соединенных транзисторах в диодном включении, резистор, источник опорного напряжения, два источника питания (1) .

Недостатком такого устройства является относительно невысокая стабильность выходного тока, вызванная 20 различными изменениями падений напряжения от изменения окружающей температуры на всех четырех переходах база-эмиттер стабилизирующих и термокомпенсирующих транзисторов.

Целью изобретения является повышение температурной стабильности генератора тока.

Это достигается тем, что в термокомпенсированный генератор стабили- 30 зированного тока, содержащий . транзисторы, первые два из которых соединены с шиной источника питания, а эмиттер первого транзистора через коллекторно-эмиттерный переход третьего транзистора соединен с базой четвертого транзистора, коллектор которого соединен с эмиттером составного транзистора, а эмиттер четвертого транзистора через токозадающий резистор подключен к первому источнику питания, источник смещения-на двух последовательно соединенных транзисторах н диодном включении, резистор, источник опорного напряжения, второй источник питания, введены два транзистора, базовоэмиттерный переход первого иэ которых соединен параллельно коллекторно-базовому переходу второго, эмиттер которого через источник опорного напряжения соединен с общей шиной источника питания, база соединена с эмиттером третьего транзистора, база которого соединена с базой первого дополнительного транзистора, а коллекторы дополнительных транзисторов соединены с эмиттерами транзисторов источника смещения, коллектор первого из которых соединен с ба75074á

Формула - изобретения

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9451171, кл, Й 03 К 1/02, 1971 (прототип). зой составного транзистора и через резистор — с шиной второго источника питания.

На чертеже дана принципиальная схема устройства.

Устройство содержит транзисторы

1 — 8, резисторы 9, 10, источники питания 11, 12, выходная клемма устройства 13, источник 14 опорного напряжения.

Устройство работает следующим образом.

Выходной стабильный ток генерируется генератором, содержащим транзисторы 8, 7, 3, 4. Собственно генератором тока являются транзистор 8, стабильный токозадающий резистор 10 ис- 15 точник 14 опорного (эталонного) напряжения. Транзисторы 3, 4, 7 обеспечивают термокомпенсацию.

Транзистор 8 включен по схеме с общей базой, ток эмиттера его опре- 20 деляется величиной опорного напряжения источника 14, величиной токозадающего резистора 10 и падением напряжения на переходе база-эмиттер,,которое изменяется при изменении окружающей температуры.,Цля температурной компенсации напряжения база-змиттер транзистора 8 служит термокомпенсирующий транзистор 3.В этом случае на стабильность влияет уже не абсолютное значение напряжение база-эмиттер Пбэз транзистора 2, а разность (1бэ3-11бэ2.

Ток через базово-эмиттерный переход транзистора 3 с помощью резистора 9 и источников питания 12 и 11

35 выбирается равным соответствующему току транзистора 8. Все транзисторы в устройстве одного типа, а наилучшие результаты дает использование сборок в одном кристалле с идентич- 40 ными параметрами„ что позволяет получить разность Пбэ3-Пбэ2, весьма близ . кую к нулю.

Базовые токи транзисторов 3 и 8 протекают через эмиттерно-коллекторные переходы транзисторов 4 и 7., ток коллектора транзистора 4 приблизительно равен току базы транзистора 3, а ток коллектора транзистора

7 — току базы транзистора 8, Ток кол- лектора транзистора 7, .пройдя через переход коллектор — змиттер транзистора 5, складывается на. выходе с током коллектора транзистора 8. Сумма этих токов равна стабильному току эмиттера транзистора 8. Транзисторы б и 5 обеспечивают постоянство напряжения на коллекторах транзисторов

7 и 8 от изменения напряжения на нагрузке. Транзисторы 2 и 7 представляют собой источник смещения для пита- ц) ния коллектора транзистора 4 и базы транзистора 5.

Предлагаемое устройство обладает

> значительно лучшей термостабильностью, так как в контур, задающий ток, входят не четыре р-п перехода, как у прототипа, а всего два (транзисторы

3 и 8) . Поскольку предлагаемое устройство в основном состоит из одинаковых элементов, его удобно выполнить в виде гибридной или монолитовой микросхемы, где опорный источник и токозадающий резистор могут быть внешними элементами. В случае использования в аппаратуре нескольких генераторов опорный источник может быть общим. Удобно в качестве опорного источника применять термокомпенсированный стабилитрон. Стабильность других источников питания может быть невысокой.

Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока, содержащий транзисторы, первые два из которых образуют составной транзистор, коллектор которого соединен с шиной источника питания, а эмиттер первого тран-. зистора через коллекторно-эмиттерный переход третьего транзистора соединен с базой четвертого транзистора,коллектор которого соединен с эмиттером составного транзистора, а эмиттер четвертого транзистора через токозадающий резистор соединен с общей шиной источника питания, источник смещения на двух последовательно соединенных транзисторах в диодном включении, резистор, источник опорного напряжения, второй источник питания, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности, в него введены два транзистора, баэо-эмиттерный переход первого из которых соединен пераллельно коллекторно-базовому переходу второго, эмиттер которого через источник опорного напряжения подключен к первому источнику питания, база соединена с эмиттером третьего транзистора, база которого соединена с базой первого дополнительного транзистора, а коллекторы дополнительных транзисторов соединены с эмиттерами транзисторов источника смещения, коллектор первого из которых соединен с базой составного транзистора и через .резистор— с шиной второго источника питания.

750746

Составитель В.Фомин

Редактор М.Рогова Техред Ж. Кастелевич Корректор H.Èócêà

Заказ 4671/46 Тираж 995 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР .по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Рауюская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. ужгород, ул. Проектная, 4