Способ получения рентгеновских дифракционных топограмм

Способ получения рентгеновских дифракционных топограмм

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О ll И С А Н И Е () 75216l

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Сеяиалистических

Ресщ(блик (61) Дополнительное к авт. свид-ву 300817 (22) Заявлено 26.12.77 (21) 2559163/18-25 (51) М.Кл. G 01 N 23/207 с присоединением заявки (23) Пр.иоритет—

Государавеиеый комитет

СССР ло делам изобретений а аткрытий (43) Опубликовано 30.07.80. Бюллетень М 28 (53) УДК 548 73 (О88.8) (45) Дата опубликования описания 07.09.80 (72) Авторы изобретения

Ю, Н. Ведерников, Л. Л. Гаврилова, Н. С. Мотора, 3. ф. Смирнова, Е. В. Соловьева, В. М. Гундырев и В. О. Есин

Ленинградское научно-производственное объединение «Буреве стник» и Институт физики металлов УНЦ АН СССР (71) .Заявители (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ

ДИФРАКЦИОННЫХ ТОПОГРАММ

Изобретение относипся х методам исследоваяия реалыной структуры кристаллов:и являепся усавер(шенствованивм способа получения .рентквнавских дифракпионных толограмм пю авт. св. № 3008i17. 5

Основные лреб ава ния, предъявляемые к спасабам лолучения рентгеновских дифракционных топопрамм для исследования реальной структуры кристаллов — это высокое разрешение и эиспресаность.

10 .Изввстные способы, в которых оба эти требования выполняются одновременно за счет наложввия на фотопленке (фокусиров. ки) .изо ражвний кристалла, формируемых при вго сканировании в характеристичесиом излучении лучами различных длин волн.

Способ, саатоящ ий .в линейном лере мещеHHIH кристалла я фотопленки с различными скоростями, обладает тем недостатко м, что фокусировка изображения осуществляется 20 только при определенном соотношении скорастей движения Юристалла и ллвнии, зав1исящем от соотнашения линейных,расстояний источник излучения —. юристалл и кристалл — ллвниа. Кроме токо, этот апоаоб имеет 25 ограничеяное лр1имвнвние только для аиммвтричной геаметрви дифраиции.

В основном,изобретении по авт. ов. № 300817 описан способ, состояш нй во вращвоин кристалла воируг оси, лежащей в зО плоскости его поверхности лри вращении фотопленки относителыно той же оси в том же направлении со сиаростью, удвоенной по сравнению с угловой акоростью кристалла с одновременным .вращением фотоллвнки вокруг ааи, лежащей,в ее плоскости и параллельной оаи вращения иристалла, в противоположном направлении со .скоростью, равной скараспи вращения кристалла.

Для получения топограмм кристаллов большой площади (диаметрам до 100 мм) изввспный апасоб становится неэффективным. Чтобы осветить аднавремвнно всю поверхность большого ирис галла, необходимо либо иметь болышую расмодимость пучка рентген авскопо излучения, либо большое ,раастояние источник — кристалл. При боль шой горизонтальной ра сходимости лервкчного лучка ренпгвнов ского излучения разрешение различных учаспков топограмм неоднородно вследс пине различия горизонтальной прюеиции фокуса, «видимой» из разных участков образца. Большое же расстояяие н сточник — иристалл ведет к поте ре экспрвасности.

Цель, изобретения за ключается в там, чтобы повысить разрвшвние при получении тологра мм от кристаллов большой площади без потери экспресснасти.

752161

1О

l5

30

60 б5

Указа<иная цель достигаемся тем, что в предлагаемом способе получен<ия TorlorpaMM систему <кристалл — пленка дополнительно вращают Bfo

На фиг. 1 изображена <ренвгенооптическая схема съемки на IFpclclBåò для случая симметричной геометр<ии ди<фракции (отражающая пло<окость перпенд<икулярна поверх<ности к р<исталла); на фиг. 2 — то же, для съемки на отражение (отражающая плоскость па<раллельна поверхности кристалла).

Расходящийся пучок не<монохроматизирован<нoTQ рентгеновакого излучения, исходящего из точечного фокуса 1 рентгеновской трубки, .проходит через формирующую щель 2 <кюллиматора и падает на кристалл

8. Дифрапи<рюванный пучок падает на фотопленку 4, KoTopaH <в случае симметрич<и<ой геаметри<и днфракц<ни у<станавливается параллельно кри<сталлу. На чертежах показаны средние лучи обоих пучков. Первоначальные положения кристалла и пленки показа<ны спл<о<ш<ным<и л<иния<м<и, положения кристалла и пленки <В произвольно <выбранный.момент съемки показаны пункти<рными

1 линия<м<и. Стрелки указывают нап<равлен<ия

<вращений.

В начальный <момент lBpeMeHH,луч R0 падает в TwK

1 ди<фрагир<ует в точ<ке А крвсталла в,направлении АА ь параллельном Hallpa

00,.

Та<ним о<браз<ом,:в процессе .съемки отдельные части <к<ристалла последовательно ,отражают пучок, падающего рентгеновского нзлучения.

Пл<енка в llpqllefoce съемки одно<временно вращаепся: относительно оси О со скоростью 2а; относительно оси Оь лежащей в плоскости пленки, со скоростью — а; отиосительню .оси 02,в<ращения системы кристалл — пленка со скоростью — а, Наложение трех указанных вращений относительно

IIapa JIJ1eJlblIBIx осей также дает.поступательное llefpeMellreHHe. В момент <времени t пленка за|ни<мает положение, параллельное ее

<первоначальн<ому <положению, <причем точка

Of пленки, fcове<р<шив IIQIBopoT ютноаительно оси 02 на угол — Ы и;поворот относительно о<си О на угол <2Ы,.переходит в точку Îl.

Д<и<фрагированный в,момент 5 луч АА; попадает,в точку А< пленки.

При движении по предла<гаемой схеме перемещение пленки относительно кристалла <не отличаевся от соопвевст1в<ующего перемещения в схеме иавеспного споооба утлоBo

Следовательно, сох<равняется усло<вие,наложения на плен<ке изображений кристалла, формируемых лучами разных длин волн (у<словие фокусировки) независимо от ли.нейных расстояний источник — кри<сталл и

fKpH

tg(n — а<) =. tg a, а <-Ь

lIae а — угол наклона отражающих плос<костей <К поверхности кристалла; а вЂ,расстояние .источник — образец;

Ь вЂ” расстояние образец — пленка.

Фор<мула спра<ведлнва как для съемки на просвет, так,и на отражение.

Та<иим образом, отличие предлагаемой схемы от известной со<стоит во 1введениидополнительного вращения систвмы Kp

Следовательно, Bslcc

Ф ор мула изо бретения (пег. 2

Составитель К. Кононов

Техред А. Камышннкова Корректор С. Файн

Редактор Н. Коляда

Заказ 978/1119 Изд. № 418 Тираж 1033 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. аПатент» провождается потерей в экспрессности ее .получения.

Способ получения:рен пгеновских дифракциоьных топограмы по авт. св. № 300817, отличающий с я тем, чпо, с целью повышения разрешения при получении топот рамм от кристаллов большой алощади, систему и рясталл — плевка дополнительно вращают вокруг оаи, проходящей через $0IKgic рентгеновской трубки H параллельной оси вращения, кристалла, с угловой скоростью, равной скорости вращения криб сталла и противоположной ей ло направлению.

Источник ин формацли, принятый Бо в ниман ие при экспертизе:

1О 1. Авторское свидетельспво СССР № 300817, кл. G 01 N 23/207, 1969.