Устройство для измерения термоэдс горячих носителей заряда в полупроводнике

Устройство для измерения термоэдс горячих носителей заряда в полупроводнике

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. KB.Ç (22) Заявлено 150278 (21) 2582347/18-09 с присоединением заявки №

01 R 23/24

Гоеутитретвеннтяй нолти те

СССР оо яелви и тобре-енин и o I tt ð û Tè è (23) Приоритет

Опубликовано 150 )80 Бколлетень ¹ 34

Дата опубликова ти- описания 150980 (53) УДК 621. 317 (088. 8) (72) Авторы изобретения

K.K. I iit -т и Р jt! П к т

Ордена Трудового К!.аснстго Знамени ин-..титут физики полутпроводников А!! Литовской Ci .P (11) Заявитель (. 4 УС:ТРОИ . ТЛО:I i Я " 3 41:. Гл!! iR ТЕРттΠ— ЭД

ГОГ!!Ч ИХ I!t«C I!TI- IIKII о! РЧ>ч,л "3 ПО!! !3Pt 80 „!ЯИКАМ !

20

30

Изобретение относится к ".åõíèêå радиоизмерений.

Известно устройство дпя измерения термо-ЭДС горячих нос;:телей заряда в полупроводнике, содержа.тее отрезок прямоугольного волновода с размещенными внутри него зондом из исследуемого полуптроводника и ин— HzaTop L 1

Однако известное устройство не обеспечивает измерения Обьемной составляющей термо-ЭДС.

Цель изобретения — измерение объемной сос-.авляющей термо-ЭДС.

Для этого в устройстве для измерения термо-ЭДС горячих носителей заряда в полупроводнике, содержащее отрезок прямоугольного волновода с размещенным внутри него зондом из исследуемого полупроводника и индикатор,зонд выполнен в виде двух взаимно перпендикулярных стержней, образующих Т-образное соединение, один из которых установлен по оси, проходящей через середины широких стенок поперечного сечения отрезка прямоугольного волновода, а его концы выведены через отверстия в широких стенках отрезка прямоугольНОГО ВОлновОда и снабжены кОнтаi

ОДН От>тУ ИЗ ВХОДСГ> т1 НДИ!«7TOPa а К 0

НЕЦ ДРл:ГОГО СтЕРжНЯ ВЫВЕДЕН ЧЕРЕЗ

Отворстие в узкой стенке отр>езка прямоугольного волновода и снабжен кон" акт ным элементом „подключенным к другому входу индика-,ора, .".а чертеже приведена структурная схема устройства.

Устройство для измерения -.eðìo-ЭДС горячих носителей заряда в полупроводнике содержит индикатор 1 и отрезок 2 прямоугольного волновода с размещенным внутри него зондом из исследуемогo полупроводника, выполненным в виде двух взаимно перпендикулярных стержней 3,4, образующих

Т-образное соединение, при этом стержень 3 установлен по оси, прохоДЯЩЕй ЧЕРЕЗ СЕРЕДИНЬт. ЩИРОКИХ СтЕнок поперечного сечения отрезка

2 прямоугольного волновода, а его концы выведены через отверстия в широких стенках отрезка " прямоугольного волновода и снабжены контактными элементами 5„6, подключенными к одно и" входов индикатора 1, а конец стержня 4 выведен через отS698jO

1?С ТО Т И!1 1

BHHHHH Заказ 6274/39 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 верстке в у":êîé стенке отрезка 2 прямоугольного волн овода и снабжен контактным элементо?(? 7, гюдклю(?енн??м к другому входу и иди кат Ора 1.

Устройство работает следуюшим образом. ?:а(как пo отрезку 2 прямоугольного волновода распространяется волна типа H,,то стержеHü H 3 9 между

j х 8 и, отмене H«ых 11 ." F? к > и— ром на чертеже. Вследствие этого изз а перепада =.ëåêòðîííûõ температур на участках 8, 9 воз I?IF(a " термодиффузионные токи. Наряду с тем возникают термоэлектр??<еские поля,. а вместе с тем омические = îj

8 термоэлектрическое поле п>арал— лельно а на т,, »»а> » 1(е 9 п?» -, ° <>е><д?11. 1—

1 лярно к электрическому СВЧ полю.

Парат?лелье10е термОэлект 1?ч "=<"Koc п<э?1< так же, как H СЗЧ поле, разогревает нОсители 3 Bpj>äB ii вмес:те с тем иd меняет их подвижность,, иначе говоря, параллельное электрическому СБЧ полю

ТЕРМОЭЛЕКТОИЧЕСКОЕ Г10т?Е»>а<ЭТ СМЕЩЕ ние на нелинейн"-й симметричной вольт-амперной характеристик полупроводника, вследствие чего воз вякает детекция СВЧ сигнала,. пропорциональн ая смещак?Шему термоэлектрическому полю, На стержне 4 термоэлектр«ческое поле не участвует в допол— ните,г?1 ном разогреве горячих носителей заряда в полупроводнике ввиду перпен—

j реюшего СВЧ эл< ктрического полей и вклада в детек—

ЦИЮ HH ДаЕт, Ввиду этого пс измерен»

«ому продетектированному сигналу между контактными элементами 5 и 7

Опреде Iяют внутреннее термОэ??ектричес кое поле, т. е. объемную ссставлящую

1О т ермо- ЗДС горячих и осит елей ". àðÿäà.

Формула изобретения

УсTpoAOTF?0 для измере??ия терMo — ЭДС горячих носителей заряда H полупроводнике, содержа?1?ее отрезок прямо— у ОльнОГО вОЛНОвОдз с оазме1>?е иными внутри него зондом из исследуе.ог0

1?олупроводника и индикатор, o T— и ч а ю 11 е е с я тем, ч?0, с цел?.. î HB Iopåj? I?FI сб не?иней сос: а вляю111<. и т< рмо-ЗДС, 3 <?нд выло?:нe I! в виде двух вэ аимно нерпе нди кулярннtx с TåpæI=--й, образуюших Т вЂ” образ F?oe <.0 »Fl 1?ettH<: ?? ???h ???? ???????? ?????? j ????????????????>? ИО

ОСИ, ПРОХОДЯЩЕЙ ЧЕРЕЗ С<=РЕЛИНЫ ".?ИРОКИХ СТЕНОК ПОПЕРР 1«ОГО CE . IÐH«ß

oTðå". 1<а пря<м".зу ольно-, o вслновода, ЕГО КОНЦЫ ВЫВЕДС1-Ы ЧЕРЕЗ ОТВЕРСТ>«1.; широких стенках отрезка прямоу- оль—

:10 1 0 F? О>;Н OH Ogj B H <.1? i ?м?? к .:лнс>му иэ входсз и Иди <атора, а j((онец другого стержня выведен ч<?р< ... .-в ст Iе в узкой OTAL tt;.- Отр-:.з ::. 1?< 1?м;— угол?»F;OT0 вся«свода -. снаб» < -: <ОНT B ICI j?ЫМ ЗЛЕ IЕ < ТОМ, !10" I(Л t11?1- 1 к другому входу и?лик тора.

Цсточнi.l j(H,<;?(t>дрм„. ци>?

1 -.>. иня" ?е вО вl?«мание 1?ри экс;?е" т из е

1>toil(e а >< . Нi

:;..;ек--роны, > j. «раж 10 19 Подписное