Способ обогрева поверхностного слоя почвы при выращивании овощных растений
Патент 76757
Авторы
Классы МПК
Способ обогрева поверхностного слоя почвы при выращивании овощных растений
Иллюстрации
Реферат
.!1" 76757
Класс 45f, 9ев
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ Ь !
- - - - !з!ит!
1 ! I (!
1 !
Е. Д. Корольков
СПОСОБ ОБОГРЕВА ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ ПОЧВЫ
ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ОВОЩНЫХ РАСТЕНИЙ
Заявлено 21 июля 1947 года в Министерство сельского хозяйства С,.CP за И 240б (357436) Опубликовано 31 января 1950 года
Предмет изобретения
Редактор Ф. А. Синев
Отв. редактор М. М, Акншнн зо3
Предлагаемый способ обогрева поверхностного слоя почвы паром низкого давления при выращивании овощных растений заключается в том, что пар низкого давления пропускают по трубам, имеющим неплотности в стыках (или стенках), проложенным в поьерхностном слое открытого грунта на глубине до
10 си между рядками растений, с целью конденсации пара в почве для поддержания повышенной влажности почвы и воздуха в пр!наемном слое.
B качестве теплоносителя используется пар низкого давления, получаемый из паровых котлов, Для распределения пара в обогреваемом грунте прокладываются на глубине до 10 слг от тю!верхности трубы из любо|о малодефип!итного материала, например, дренажные керамиковые трубы, бетонные, асбесто-цементные !или бракованные металлические.
Под трубами грунт более уплотнен, чем под культурами, вследствие чего увеличивается теплопроводность грунта !и,имеется возможность . получать более высокую температуру его, обеспечивающую интенсивное тепловое излучение грунта и обогрев культур, располагаемых между трубами.
Способ может быть применен в теплицах, парниках и в открытом утепленном грунте.
Способ обогрева поверхностного слоя почвы при выращивании овощных растений в открытом грунте, отл и ч а ю щи и с я тем, что пар пропускают по трубам, уложенным между рядками растений на глубине до 10 сн от поверхности почвы и имеющим неплотности в стыках, с целью его конденсации в почве для поддержания повышенной влажности почвы и воздуха в призсмном слое.