Способ контроля качества магнитных материалов

Способ контроля качества магнитных материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ

«„767627 (61) Дополнительное к авт. свид-sy (22) Заявлено 09.0977 (21) 2524408/18-09 с присоединением заявки М (23) Г)риоритет (51) М. Кл.

G 01 N 22/00

G 01 и 27/72

Государственный комитет

СССР ио деяам изобретений и открытий (5Э) УДК 621.317..39(088.8) Опублмковано 30.0980. Бюллетень Ì9 3б

Дата опубликования описания 300980.(72) Авторы изобретения

Ю.И.Беснятых, В.И.Зубков, И.М.Котелянский и В.В.Тарасенко

Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА МАГНИТНЫХ МАТЕРИ

10 Аб

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться для контроля за качеством магнитных компо= нентов.

Известен способ контроля качества магнитных материалов, основанный на помещении исследуемого образца в постоянное и сверхвысокочастотное электромагнитные поля (11.

Однако известный способ не обладает необходимой точностью, производительностью измерений и широтой функциональных возможностей.

Цель изобретения — повышение точ- 1к ности, производительности измерений и расширение функциональных воэмож- ностей.

Для этого в способе контроля качества магнитных материалов, основан-20 ном на помещении исследуемого образца в постоянное и сверхвысокочастотное электромагнитные поля, возбуждают в материале две сверхвысокочастотные монохроматические поверхностные вол- 25 ны с неравными волновыми векторами, измеряют величины волновых векторов

К 1 и Ко и величины затухания этих воли Г< и Го и определяют ширину ре,зонансной линии 2 дНс, и константу поверхностной анизотропии А по формулам мгм.а « Дг,е «а -«,.г„e, " 1 b. X«,-«;) где d - толщина образца; ни йо — намагниченность насышения; — отношение внешнего маг41с мо нитного поля к намагниченности насыщения;

0 — константа неоднородного обмена магнитного материала при этом по ширине резонансной линии судят о качестве материала, а по константе поверхностной анизотропиио состоянии его поверхности.

На фиг. 1 представлена структурная электрическая схема устройства для реализации предложенного способа;

767627

Формула изобретения

АМ 8 k ГС

&,6ВЦ +<)(-21(„д. - 2 3(Й

,Ый Г„Е " -Г2Е

) на фиг. 2 - конструкция преобразователей сверхвысокочастотной (СВЧ) электромагнитной волны в поверхностную н обратно.

Устройство для реализации предложенного способа содержит модулятор 1, генератор 2, вентиль 3, четыре одинаковых переключателя 4 и 5, магнитный образец 6, магнит 7, две.одинаковые платы 8, калиброванный аттенюатора 9, приемник 10 и осциллограф 11 (Фиг.1).

Переключатели 4 служат для направления СВЧ волны либо через исследуемый материал, либо через калибро вайный аттенюатор 9. Переключатели 5 служат для направления СВЧ волны на платы 8.

На общую плату 8 нанесены два преобразователя 12,и 13 для преобразования СВЧ электромагнитной волны в поверхностную и обратно в виде структур типа меандр с разными пространственными периодами. Пространственный период структуры задает волновое число К возбуждаемой поверхностной волны. В устройство для реализации пред.ложенного способа входят две одинако,вые платы 8, так как преобразователи

СВЧ волны в поверхностную и обратно идентичны. Платы 8 расположены на противоположных концах поверхности магнитного материала.

Реализация предложенного, способа осуществляется следующим образом.

Возбуждение двух поверхностных волн осуществляется с помощью генератора 2, модулятора 1 и преобразователей 12 и 13. Первые два возбуждают

СВЧ электромагнитную волну, промодулированную по амплитуде прямоугольным импульсОм, два вторых преобразуют эту волну в два поверхностных с различными волновыми числами К (и с тем же законом модуляции по амплитуде). Измерение затухания поверхностных волн производится сравнительным где d — толщина образца;

4 НО - намагниченность насыщеН вЂ” — отнбшение- внешнего маг4Ю Мо нитного поля к намагниченности насыщения;

Р - константа неоднородного обмена магнитного материала

При этом по ширине резонансной линии судят о качестве материала, а по конI методом. Для этого на экране осцилло.графа 11 Фиксируются последовательно амплитуды огибающих поверхностных волн и СВЧ волны, прошедшей непЬсредственно через калиброванный аттенюатор 9. Введением аттенюатора 9 добиваются равенства этих амплитуд для

СВЧ и каждой из поверхностных волн и, таким образом, узнают затухание СВЧ тракта между двумя переключателями 4.

Зная потери переключателей 5 и преоб10 разователей 12 и 13 (или измеряя их независимо тем же сравнительным методом), узнают потери каждой из поверхностных волн. Дальнейшая обработка результатов производится по алгорит)$ му предложенного способа и рассчитываются пНс и А>, По аНО оценивается качество материала, по А - качество поверхности.

Технико-экономическая эффектив® ность способа контроля качества магнитных материалов заключается в повышении точности, производительности измерений и расширении Функциональных возможностей.

Способ контроля качества магнитных материалов, основанный на помещении исследуемого образца в постоянЗО ное и сверхвысоко4астотное электромагнитные поля, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности, производительности измерений и расширения Функциональных воз35 можностей, возбуждают в материале две сверхвысокочастотные монохроматические поверхностные волны с неравными волновыми векторами, измеряют величины волновых векторов К и

40 К2 и величины затухания этих волн Г и Г и определяют ширину резонансной линйн 2 аНо и константу поверхностной анизотропии А< по формулам

2х а „ Г -а „а )

Я.

"„- 2)

) 55 станте поверхностной йнизотропни - о состоянии его поверхности.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Сафантьевский А.It. и др. Влияние поверхностных неодйородностей на порог нестабильности магйитостатических волн. - "Физика твердого тела", 1971, т. 13, 9 7, с. 1927-1931.

767627

Фиг. 1 та

Рие. Я

Составитель В.Маврин

Редактор Н.Суханова Техред Ж. Кастелевич Корректор М.Демчик

Закаэ 7184/39 Тираж- 1019 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам иэоЬретений и открыТий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4