Полупроводниковый переключатель

Полупроводниковый переключатель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

3(50 Н 01 Ь 27/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и ILBTOPCKOHIV СВИДЕТИЗЬСТВМ

1 3 Р

Nu>.1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ.(21) 2708597/18-25 (22) 05.01.79 (46) 07.12 83. Ьюл. Р 45. (72) A.Ã. Абдуллаев, Э.А. Азимов, М.С. Гусейнова (71) Научный центр "Каспий" АН АЗССР (53) 621.382(088..8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

Р 244509, кл. Н 01 L 45/00, опубл.

1969.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке .92536475/25,кл. Н 01 L 27)02

1978

ÄÄSUÄÄ 772462 A (54 ) (57 ) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫИ ПЕРЕКЛЮ-, ЧАТЕЛЬ, представляюций собой структуру халькогенид меди-диэлектрикметалл,. отличающийся тем, что, с целью увеличения числа переключений и повьыения стабильности параметров, диэлектрик выполнен из твердого раствора закиси и окиси меди.

772462

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в вычислительной технике, телефонии, бортовых системах и т.д.

Известны полупроводниковые переключатели с памятью на основе халькогенидов меди, 1 . Конструктивно они представляют собой контакт полупроводника-халькогенида меди с металломалюминием или магнием.

Основной недостаток этих приборов в том, что они имеют только два стабильных состояния проводимости.

Известен также прлупроводниковый переключатель, выполненный в виде 15 структуры халькогенид меди-диэлектрик-металл (27.

Такое устройство является ближайшим к изобретению по технической сущности и достигаемому результату. 70

Его недостатками являются сравнительно небольшое число переключений (порядка 10 ), а также нестабильность и плохая воспроизводимость переключающих параметров, вызываемые 25

"застреванием" ионов меди в дефектах структуры диэлектриков окиси алюминия или кремния.

Цель изобретения - увеличение числа переключений и повышение стабильности параметров.

Поставленная цель достигается тем, что диэлектрик представляет собой твердый раствор закиси и окиси меди.

На фиг. 1 изображена схема полупроводникового переключателя; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика полупроводникового переключателя.

Полупроводниковый переключатель состоит из пленок халькогенида меди

1 и диэлектрика 2, заключенных 40 между двумя пленками металлических электродов 3 и 4.

Переключатель работает следующим образом.

Иэ пленки халькогенида меди- 1, которая имеет некоторую долю ионной проводимости (0,1-0,34 ), инжектируются ионы меди в слой диэлектрика 2, создавая приместные уровни и этим осуцествляя модуляцию проводимости в зависимости от амплитуды и длительности импульса записи.

Иэготавляется полупроводниковый переключатель следуюцим образом.

В пленке кремния, полученной на подложке из кремния, вытравливаются окошки, куда напыляется нижний металлический электрод 2. Затем электрохимическим методом из раствора осаждается халькогенид меди, который служит в данном случае анодом. В последующем, в растворен содержащем, г/л: Си ЯО 120; Н20 5; Н. $0+.

120; проводится оксидирование. Затей напыпяется верхний металлический электрод 4.

Измерение статистических характеристик переключения в импульсном режиме с применением в предлагаемом устройстве в качестве диэлектрика твердого раствора, содержацего Си О и С О, показали возможность увеличения числа переключений П-образными импульсами записи и стирания до 10 циклов, а синусоидальными импульсами до 10 циклов. Вольтамперные характеристики доказывают стабильность и воспроизводимость переключающих параметров полупроводникового переключателя. Считывающие короткие импульсы до 100 нс не влияют на проводимость структуры.

Предлагаемый переключатель найдет широкое применение в системах связи, вычислительной технике.

ВНИИПИ Заказ 10786/5

Тираж 703 Подписное

Филиал ППП "Патент",. г.ужгород,ул,Проектная,4