Мультивибратор

Мультивибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

п.сеСОЮз :с

Союз Советских

Социалистичвски»

Республик

Х 1ИЧЕМАБ

ЛК така БА (1)773913

О П

ИЗОБРЕТЕНИЯ к лвтовскомю свидетвльствь (61) Дополнительное к ввт. свид-ву— (22) Заявлено 07. 03. 79 (21) 2733915/18-21 с присоединением заявки Ио— (23) Приоритет—

Опубликовано 231030, Бюллетень Но 39

Дата опубликования описания 23.10.80 (51)М. Кл.з

Н 03 К 3/282

Государствеииый комитет

СССР

00 делам изобретеиий и открытий (53) У@К 621.374.14 (088.8) (72) Автор изобретения

В. П. Заярный (71) Заявитель (54 ) МУЛЬТИВИЕРАТОР

Изобретение отнОсится к импульсной технике и может быть использовано в качестве источника мощных сигналов прямоугольной формы.

Известен мультивибратор, который может быть использован в качестве источника мощных импульсов прямоугольной формы. Мультивибратор собран по схеме симметрично мультивибрато- 1п ру с коллекторно-базовыми связями с выходным трансформатором (1) .

Недостатком этого мультивибратора является большие габариты и вес.

Ъ

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является мультивибратор, который собран на транзисторах с коллекторно-базовыми емкостными связями и содержит эмиттерные повторите- 20 ли в цепях заряда времязад<".ющих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами основных транзисторов и времязадающими конденсаторами, и резисторы 2з в цепях коллекторов основных транзисторов. При работе мультивибратора на выходе эмиттерных повторителей образуются импульсы напряжения прямоугольной формы A). 30

Недостатком этого мультивибратора является ограниченная амплитуда выходных импульсов напряжения изэа неполного насыщения транзисторов эмиттерных повторителей, которое обусловлено тем, что минимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора равно сумме напряжения на его переходе база-эмиттер и падению напряжения на резисторе в цепи коллектора основного транзистора при его закрытом состоянии и связанные с этим потери мощности.

Цель изобретения - увеличение амплитуды импульсов выходного напряжения .и повышение коэффициента полезного действия.

Поставленная цель достигается тем, что в мультивибратор, содержащий два транзисторных инвертора, охваченные емкостными коллекторно-базовыми обратными связями, дополнительные транзисторы в цепях заряда времязадающих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами транзисторов инверторов и времязадавщими конденсаторами, в каждый из его каскадов введены дополнительный диод и конденсатор, причем дополнительный

773913 диод включен последовательно в коллекторную цепь между коллекторным резистором и шиной питания, а конденсатор включен между анодом разделительного диода и общей точкой коллекторного резистора и дополнительного диода.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит инверторы, собранные на транзисторах 1 и 2, резисторы .3-6 и конденсаторы 7 и 8.

Базы дополнительных транзисторов

9 и 10, которые включены по схеме с общим коллектором, подключены соответственно к коллекторам транзисторов 1 и 2. К эмиттерам транзисторов 9 и 10 одним выводом подключены времязадающие конденсаторы 7 и 8, другие выводы которых соединены с базами транзисторов 1 и 2, а между зп эмиттерами и базами транзисторов 9 и 10 включены разделительные диоды

11 и 12. Резисторы 3 и 4 одним выводом соответственно через диоды 13 и

14 соединены с клеммой источника питания и через конденсаторы 15 и 16 с эмиттерами транзисторов 9 и 10.

Мультивибратор работает следующим образом.

Пусть в произвольный момент времени транзистор 1 открыт, а транзисторы З

2 и 9 соответственно закрыты. Конденсатор 15 заряжается от источника питания через диоды 13 и 11 и транзистор

1 до напряжения Е„ . Напряжение на выходе этого плеча U@ö„ минимальное З5 и равно сумме напряжений на диоде 11 и переходе коллектор-эмиттер открытого транзистора 1 : U, = U + U . Конденсатор 16 в этот момент времени разряжается через резистор 4 и 4п переход база-эмиттер транзистора 10, обеспечивая глубокое насыщение транзистора 10.

Диод 14 под действием приложенного через открытый тринзистор 10 напряжения конденсатора 16 смещен в обратном направлении, исключая возможность разряда конденсатора 16 через источник питания и цепи нагрузки мультивибратора. 50

Напряжение на выходе второго плечгО „,„т максимальное и равно разности напряжения питания и напряжения коллектор-эмиттер насыщенного транзистора 10:U = Е-U 55

После опрокидывания мультивибратора открыт транзистор 2, а транзис- торы 1 и 10 соответственно закрыты.

Конденсатор 15 в этот момент времени разряжается через резистор 3 и переход база-эмиттер транзистора 9,обеспечивая глубокое насыщение транзистора 9, диод 13 смещен в обратном направлении, а выходное напряжение первого плеча максимальное и равно разности напряжения питания и напряжения коллектор-эмиттер транзистора 9

U „„„= Е„- U В этот же момент конденсатор 16 заряжается от источника питания через диоды 12 и 14 и транзистор 2, а напряжение на выходе второго плеча минимальное и равно сумме напряжений на диоде 12 и переходе коллектор-эмиттер транзистора 10:

U b,-„ = UA + U Таким образом,введеййе дисдов 13 и 14 и конденсаторов

15 и 16 позволяет снизить напряжение коллектор-эмиттер транзисторов

9 и 10 за счет обеспечения их глубокого насыщения, тем самым увеличить амплитуду выходных импульсов и уменьшить мощность рассеяния на этих транзисторах..

Формула изобретения

Мультивибратор, содержащий два транзисторных инвертора, охваченные емкостными коллекторно-базовыми обратными связями, дополнительные транзисторы в цепях заряда времязадающих конденсаторов, разделительные диоды, включенные между коллекторами транзисторов инверторов и времязадающими конденсаторами, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения амплитуды импульсов выходного напряжения и коэффициента полезного действия, в каждый из его каскадов введены дополнительный диод и конденсатор, причем дополнительный диод включен последовательно в коллекторную цепь. между коллекторным резистором и шиной питания, а конден. сатор включен между анодом разделительного диода и общей точкой коллекторного резистора. и дополнительного диода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 369685, кл. Н 03 К 3/282,14.07.71.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 502483, кл. Н 03 К 3/282,11.04.74.

773913

Составитель Е.Мосолков

Редактор М.НеДолуженко Техред T.MaTo Ka Корректор В. Синицкая

Заказ 7531/79 Тираж 995 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.Ужгород, ул.Проектная,4