Раствор для травления резистивных сплавов

Раствор для травления резистивных сплавов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП И

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (ц 77 7887

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.78 (21) 2651483/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.11.80. Бюллетень № 41 (45) Дата опубликования описания 07.11.80 (51) М. Кл.з

Н 05К 3/26

С 09К 13/06

Государственный комитет

СССР (53) УДК 621.396.6. .002.2 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения Л. А. Сучкова, T В. Руденко, Н. А. Клименко и H Е. Черкашина (71) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ СПЛАВОВ

Этиленгликоль 20 — 27

Фтористый аммоний (насыщенный раствор) остальное

Азотная кислота 28 — 33

Метакриловая кислота 15 — 20

Лимонная кислота 2 — 7

Изобретение относится к изготовлению тонкопленочных микросхем.

Наиболее близким по технической сущности является раствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду (1l.

Недостатком известного раствора является неравномерность травления, что приводит к повреждению ситалловых подложек.

Целью изобретения является повышение равномерности травления.

Поставленная цель достигается тем, что раствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты — фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес. %):

Пример ы. Для получения схемного рисунка проводят химическое травление тонкой пленки резистивного сплава марки

P 37 — 10, содержащей 37% хрома, 10% никеля, остальное кремний. В качестве за10 щитного слоя используют фоторезист

ФП-PH-7.

Составы травильных растворов и результаты травления сведены в следующую таб15 лицу.

Температура травления комнатная. После травления подложки тщательно отмывают. Процесс травления протекает равномерно, происходит полное вытравливание

20 слоя тонкой пленки без повреждения ситалловой подложки во всех трех случаях.

Использование данного изобретения обеспечивает мольное равномерное вы25 травливание резистивного сплава без повреждения ситалловой подложки, а следовательно, получение тонкопленочных схем высокого качества.

Таблица

Соотношение ингредиентов, вес. у, Степень растравливания, %

Время травления, сек.

Номер образца

Состав травильиого раствора

Азотная кислота (HNOs)

Метакриловая кислота (СаН,COOH)

Лимонная кислота (CeHаО,)

Этиленгликоль (CH,ОН вЂ” СН,OH) 28

25 — 30

20 фтористый аммоний (VH,F) насыщенный раствор

Остальное

Азотная кислота (НИО,)

Метакриловая кислота (C,Í,ÑOOÍ)

Лимонная кислота (C Í,O„)

Этиленгликоль (СНзОН вЂ” СНяОН) 10 — 15

27 фтористый аммоний (NH,F) насыщенный раствор

Остальное

Азотная кислота (HNOs)

Метакриловая кислота (С,Н,COOH)

Лимонная кислота (С,НаО,)

Этилеигликоль (CHsOH — СН,ОН) 15 — 20 фтористый аммоний (NH4F) насыщенный раствор

Лимонная кислота

Этиленгликоль

Фтористый аммоний (насыщенный раствор) 2 — 7

20 — 27

Формула изобретения остальное.

Составитель Т. Баранова

Техред И. Заболотиова

Редактор Б. Федотов

Корректор В. Дод

Заказ 2537/19 Изд. № 573 Тираж 889 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР ло делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Раствор для травления резистивных сплавов, содержащий азотную кислоту, соли плавиковой кислоты и воду, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения равномерности травления, он дополнительно содержит метакриловую кислоту, лимонную кислоту и этиленгликоль, а в качестве соли плавиковой кислоты — фтористый аммоний, при следующем соотношении компонентов (вес. %):

Азотная кислота 28 — 33

Метакриловая кислота 15 — 20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

I0 1. Гимпельсон В. Д., Радионов Ю. А.

Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники, изд-во

«Машиностроение», M., 1976, с. 153 (прототип).