Электрофотографический материал

Электрофотографический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.06.78 (21)2627901/28-12 (51)м Кл с присоединением заявки 89(23) Приоритет—

G 03 G 5/08

Государственный комитет

СССР но делам изобретений н открытий

Опубликовано 231180. Бюллетень М 43

Дата опубликования описания 231180 (5З) ЮН(772. 93 (088.8) (72) Авторы изобретения

Б.A.Òàýåêêîâ, E.C.Aðòoáîëåâñêàÿ,Е.А.Писарева,И.В.Анфилов, И.Б.Шнейдман,A.A.Ìêðòè÷àí и В.В.Браницкий

Всесоюзный научно-исследовательский институт полиграфического машиностроения и Грозненское производственное объединение "Оргтехника" (71) Заявители (54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к производству электрофотографических носителей изображения, используемых в копировально-множительной аппаратуре, фото- 5 наборных машинах, устройствах для регистрации выходных данных ЭВМ.

Известен электрофотографический материал, содержащий металлическую подложку с последовательно нанесен- 10 .ными на нее слоями фотополупроводника из сплава селена с теллуром и диэлектрика из поликарбонатной смолы с толщиной слоев соответственно 70 и 10 мкм (1).

13

Однако, из-за большой темновой релаксации потенциала фотополупроводника, скрытое изображение в нем формируется только на диэлектрическом слое при совмещении с операцией экспонирования изображения на фотопроводник и перезарядки диэлектрика, что значительно ограничивает область применения (например, материал нельзя применять в фотонаборных машинах25 с импульсным источником света и технологическом процессе с разделением во времени операций экспонирования иэображения на фотополупроводник и . перезарядки диэлектрика). 30

Поскольку селен-теллуровые композиции подвержены усталости, для вакуумного напыления фотопроводника на металлическую подложку требуется сложная технология, позволяющая контролировать изменяющееся содержание теллура в направлении от подложки к свободной поверхности фотопроводника. По сравнению с чистым селеном материал имеет пониженную чувствительность в синей области спектра Q.=400500 нм), что в ряде случаев ограничивает область его применения (например при регистрации изображения с экранов ЭЛТ в фотонаборных машинах).

Цель изобретения — создание материала С высокой светочувствительностью в синей области спектра (Л.=400500 нм) и расширенными технологическими возможностями, позволяющими формировать скрытое изображение не только на диэлектрическом слое, но и на фотополупроводнике, а также использовать последний как однократно, так и многократно после обработки диэлектрическим слоем заданного тиража отпечатков.

Поставленная цель достигается тем, что в электрофотографическом материа781750

Формула изобретения

Pl уФ ф / P / ф фф ф Р уГ ф

Составитель Л. Врублевская

Техред Н. Граб Корректор М.Шароши

Редактор A.Øèøêèíà

Заказ 8130/51 Тираж 526 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Й «ф

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ле, состоящем из электропроводной подложки, слоев фотополупроводника и

-диэлектрика, в качестве фотополупроводника использован (-селен, расположенный на подложке, и семен, легированный кислородом, расположенный на слое 4.-селена; а в качестве диэлектрика — Фторопласт на основе фтолонового лака, не содержащего ацетон.

При изготовлении светочувствите- льного материала на металлическую подложку 1 (из сплава алюминия )l в вакууме наносят слой 2 особо чистого d. -семена, чистоты 99,998%, толщиной 50-150 мкм, поверхность которого 3 затем насыщают кислородом на глубину 0,5-5 мкм, с концентрацией . . 5 кислорода 10 — 10" моль.Ъ, посредством термообработки Фотопроводника в атмосфере воздуха при температуре

80 + 0,5ОC в течение 5-10 мин. Затем на поверхность селена наносят плен- щ ку 4 из второпласта толщиной 1030 мкм методом вытягивания фотопроводника из фтолбнового лака на основе сополимеров винилденфторида и . трифторхлорэтилена, не содержащего ацетона, которую затем термообрабатывают при температуре 75-85 С в течение 10-20 мин в вакууме, при полу чении неразъемного соединения диэлектрика с селеном, или на воздухе при разъемном соединении. зо

Материал. испытывают в фотонаборной машйне с импульсным источником света по технологической схеме — за рядка диэлектрика--Hà свету, перезарядка диэлектрика в темноте, экспо- 35 нирование изображения на Аотопроводник, — зануление поверхности диэлектрика, засветка фотопроводника. Полученное иэображение проявляют и переносят на бумагу. Качество изображения по контрасту оптической плотности и плот ности вуали не уступает качеству изображения, полученного в классическом варианте электрофотографического про цесса.

Такое же качества изображения получается при совмещении операций экспонирования изображения на фотопроводиик и перезарядки диэлектрика (в Канон и Кацурагава процессах).

В случае разъемного соединения фотопроводника с диэлектриком после получения нескольких сот отпечатков последний снимали и на его место присоединяли новый слой,-Качество изображения при этом не ухудшалось. . Предложенный светочувствительный материал может быть использован в самых различных устройствах для регистрации изображения практически во всех известных вариантах электрофотографического процесса на двухслойных фоторецепторах с источником света как с непрерывнйм, так и с импульсным излучением (например, в фотонаборных машинах, устройствах регистрации изображения ЭВМ, в копировально-множительной технике материал обеспечивает не только однократное, но и многократное воспроизведение . проявленного изображения при однократной записи скрытого изображения).

Электрофотографический материал, состоящий из электропроводной подложки, слсев фотополупроводника и ди электрика, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительность материала в синей области спектра и расширения его технологических возможностей, з качестве. фотополупроводника использован ф;селен, расположенный на подложке, и селен, легированный кислородом., расположенный на слое d -селена, а в качестве диэлектрика — фторопласт на основе фтолонового лака, не содержащего ацетон.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент СССР 9 449516, кл. G 03 G 5/08, 1970.