Датчик состояния полупроводникового вентиля

Датчик состояния полупроводникового вентиля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических республик

< >783907 (6! ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06,04.78 (21) 260l 034/24-07 с присоединением заявки М (51)М. Кл.

Н 02 Н 7/10

Н 02 М l/18

Гвеудеротеенный комитет асср

ID делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 30.1.l.80. Бюллетень М44

Дата опубликования описания 03Л 2.80 (53) УЛК62т.3 6. ,925.4:62 Ь, .3l4.572(088.8) (72) Авторы изобретения

В. П. Смирнов, В. Я. Заверюха и К). A. Беленький (""- " - М"

Ташкентский политехнический институт им. А. P. Беруни (7! ) Заявитель (54) ДАТЧИК СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ВЕНТИЛЯ

Изобретение относится к области защиты преобразователей.

Известно устройство контроля состояния полупроводниковых вентилей, содержащее стабилизатор напряжения, вход которого подключен к силовым зажимам вентиля, а выход через резистор соединен со светодиодом оптронв, фототранзистор которого через усилитель соединен с элементом задержки fig. Недостатком" то устройства является повышенное йотребление мощности.

Найболее близким к изобретению является устройство для контроля состоя1$ ния полупроводникового вентиля, содержащее стабилизатор напряжения, вход которого подюпочен к силовым зажимам вентиля,-а выход через резистор соединен со светодиодом оптрона, фотоприемник которого соединен со входом интегральной микросхемы И-НЕ (2).

Недостатком этого устройства является малое быстродействие.

2 цель изобретения — йовышение быстродействия.

Эта цель достигается тем, что оптрон выполнен тиристорным, причем фототиристор оптрона включен между соединительными входными зажимами и отрицательной шиной питания микросижы.

На чертеже представлена схема датчика.

Если контролируемый силовой вентиль включен, напряжение нв входе датчика равно остаточному напряжению на вентиле и недостаточно для того, чтобы стабилитрон l вошел в зону стабилизации. Ток базы транзистора 2 мвл и ток эмиттера недостаточен для свечения светодиода оптрона 3. Неосвещенный фототиристор заперт, что соответствует логической единице на входе интегральной схемы

И-НЕ 4 и логическому нулю на ее выходе. Если контролируемый вентиль выключен, входное напряжение датчика достаточно для того, чтобы стабилитрон 1 вошел в зону стабилизации. Эмиттериый ток

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Х. Патент ФРГ М 2137129, кл. 24. d 2, опублик. 1973, 15 2. Патент США М 3852656, кл. H 02 М 1/18, опублик.,4974. (прототип) .

Формула изобретения

Датчик состояния полупроводникового вентиля, содержащк стабилизатор напряжения, вход которого подключен к силовым зажимам вентиля, а выход,.

Составитель Б. Литвиненко

Редактор Г. Прусова Техред Ж. Кастелевич КорректорМ немчик:

Заказ 8565/58 Тираж 783 Поднйсное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

li3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патейт, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 " " 783907 транзистора 2 увеличивается и становит- через .резистор соединен со светося равным номинальному входному току диодом оптрона, фотоприемник которого оптрона. Фототиристор включается и на- соединен со входом интегральной микропряжение на выходе микросхемы соответФ схемы И HE. отличающийся ствует логической .единице. Из-за боль- тем, что, с целью повышения быстродейшого входного сопротивления микросхемы ствия, оптрон выполнен тиристорным, фототиристор работает в режиме объемно- причем фототиристор оптрона включен. го заряда, что обеспечивает повышен- между соединенными входными зажиманое быстродействие. - - - ми Й отрицательной шиной питания микiO росхемы.