Коммутационное устройство

Коммутационное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

АНИЕ

< н786001

Союз Советских

Социалмстнческих

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву— (22) Заявлено 22.12.78 (2l) 2700323/18-21 (51)М. Кл.

: 3

Н 03 К 17/56 с присоединением заявки №вЂ”

Гоаударственный комитет (23) Приоритет по делам изобретений и открытий

Опубликовано 07 12.80 Бюллетень № 45

Дата опубликования описания 10.12.80 (53) УДК 681.326..34(088.8) (72) Авторы изобретения

A. M. Котляр, С. И. Москаленко и В. E. Ткачук (7I) Заявитель (54) КОММУТАЦИОННОЕ УСТРОЙСТВО слгю с Q-as --"" OTI É с

Изобретение относится к импульсной технике, может использоваться, например B тиристорных модуляторах формирующих импульсов с крутыми фронтами, Известно коммутационное устройство, содержащее последовательно соединенных %

М тиристоров, катод последнего из которых подключен к общей шине, параллельно каждому иэ которых подключена цепочка из последовательно соединенных резистора и конденсатора P) .

Известно также коммутационное устройство, содержащее последовательно со» единенные цроссель насыщения и Й тиристоров, катод последнего из которых соединен с общей шиной индуктивности, 15 конденсаторы и резисторы (21.

Известные коммутационные устройства обладают невысоким KHQ.

Целью изобретения является повыше20 ние КПД.

Цель постигается тем, что в комму тационное устройство, содержащее после» довательно соединенные Qpocceilb насы2 щения и И тиристоров, катод последнего из которых соединен с обшей шиной инцуктивности, конденсаторы и резисторы, формирующие линии, в каждую формир;ющую линию ввецены первый, второй, третий и четвертый циопы, при этом параллельно каждому из тиристоров, кроме последнего, подключена формирующая линия, состоящая из последовательно соединенных первого диода, конденсатора с вклю« ченным параллельно ему резистором и второго диода, причем точка соединения конденсатора и второго пиода каждой формирующей линии соецинена через третий диод, включенный последовательно с резистором с общей шиной, а между точками соединения первого диопа и конденсатора соседних цепей включены цепи из последовательно соединенных четвертого диода и индуктивности 1 при этом параллельно первому пиоду первой цепи включена индуктивность, а параллельно послепнему тиристору первой цепи включена цепь из последовательно соецинен786001 4

1 тока большой амплитуды. Ток поа отовки тиристоров 2 формируется эа счет раэряQB конденсаторов 4 через индуктивности

9, образующих линию формирования иэ

Я -того количества 1.С звеньев, первые циоцы 3 препятствуют разряду конценсаторов 4 через включенные соответствуюшие тиристоры 2 в начальной стации формирования тока подготовки, а о вторые диоцы 5 - в конечной его стадии, третьи диоцы 7 замыкают разрядную цепь каждого иэ конденсаторов 4 на обшую шину. В таком случае ток разряда кажаого из конденсаторов 4 про15 текает через все В тиристоров 2 на общую шину и замыкается третьим диодом 7. ных первого диода и конаенсатора с включенным параллельно ему резистором

На чертеже привецена принципиальная электрическая схема коммутационного устройства.

Устройство содержит цроссель 1 насы щения, последовательно соединенные тиристоры 2, первый диод 3, конденсатор

4, второй анод 5, резистор 6, третий циод 7, четвертый циод 8, индуктивность

9.

Устройство работает слецуюшим образом.

В статическом соотношении при закрытых тиристорах 2 каждый иэ кон(енсаторов 4 заряжен до напряжения —, гле 0 — напряжение, подаваемое на все

h коммутационное устройство. Выравнивание напряжений на тиристорах 2 осуществляется с помощью резисторов 6. Заряд конденсаторов 4 осуществляется через первый и второй диоды 3 и 5, четвертые аиоаы 8 являются развязывающими для смежных конденсаторов 4, а третьи диоды 7 — относительно общей точки.

Дроссель насыщения перемагничен в обратном направлении.

В момент подачи импульса запуска на управляющие электроды тиристоров 2 послецние включаются. Из-за разброса их времен включения на тиристорах 2, включаюшихся позже других, возможно кратковременное возрастание напряжений (всплески напряжений), значительное увеличение которых может привести к 35 пробою соответствуюшего тиристора 2.

Сглаживание этих всплесков осуществляется с помо.цью конценсаторов 4. TBK как прямое пацение напряжений на аиоцах 3 и 5 очень мало (составляет еди 0 ницы вольт), то напряжение на любом из тиристоров 2 будет определяться величиной н»пряжения на соответствующем конденсаторе 4, а величина емкости этого конденс»тора должна быть такой, что 45 бы постоянная времени его заряда была больше алительности всплесков напряжсиий, чем обеспечивается хорошее их сглаживание. При полностью включенных тиристор»х 2 напряжение питания (на50 пример, напряжение накопителя резистора в линейном модуляторе) будет полHocTblo приложено к аросселю насыщения, представляющего собой большое сопротивление в его ненасышенном состоя55 нии. Такое состояние будет до тех пор, пока ароссель н»сышения 1 не насытится. В течение этого времени происходит поаготовк» тиристоров 2 к пропусканию

В момент насышения цросселя 1 ток разряда конденсатора 4 прекращается, так как длительность формируемого линией импульса Г сопряжена с цлительностью ненасышенного состояния дросселя 1, полупроводниковая структура тиристоров 2 полностью включена, что оказывает минимальное влияние на форму коммутируемого тока значительной амплитуды. В результате получаем импульс тока с крутым передним фронтом.

Формула изобретения

Коммутационное устройство, соцержашее последовательно соединенные дроссель насыщения и Ч тиристоров, катод последнего из которых соединен с обшей шиной инауктивности,- конденсаторы и резисторы, формирующие линии, о тл и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью увеличения К ПД, в ка жцую форм ируюшую линию ввеаены первый, второй, третий и четвертый циоцы, при этом параллельно кажцому из тиристоров, кроме последнего, поцключена формируюшая линия, состоящая из последовательно соединенных первого циоца, конценсатора с включенным параллельно ему резистором и второго диода, причем точка соединения конценсатора и второго диоца каждой формируюшей линии соединена через третий диод, включенный послеаовательно с резистором с об.цей шиной, а межау точками соединения первого диода и конденсатора соседних цепей включены цепи из последовательно соединенных четвертого дива» и индуктивности, при этом и»р»лпе»i,ио первому циоау первой цв» i включена гиауктипность, и»р»ллел,»o ио786001 следнему тиристору включена цепь из последовательно соединеннык первого диода и конденсатора с включенным параллельно ему резистором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Кремниевые управляемые вепгилитиристоры, Текническнй справочник, перевод с английского. М.-Л., "Энергия, 1964. с. 105-107.

2, Патент Великобритании

М 1260967, кл. Н 3 Т, 1973 (прото.тип) .

В НИИ ПИ Заказ 886 3/59

Тираж 995 Подписное

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4