Коммутатор

Коммутатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (»)788381

Союз Советскик

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04.01.79, (21) 2707494/18-21 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.з

Н 03 К 17/60

Государственный комнтет (53) УД К 681. 32 (088.8) Опубликовано 15.12.80. Бюллетень № 46

Дата опубликования описания 25.12.80 по делам изобретений и открытий

Э. М. Войтянов, Б. Г. Гаврилов, В. А. К и А. Н. Тынын (72) Авторы изобретения

Одесский ордена Трудового Красного Знамени пri ".1ит :."".;(:..а(..с1 ий институт (71) Заявитель (54) КОММУТАТОР

Изобретение относится к автоматике и коммутационной технике.

Известны коммутаторы, содержащие транзисторы р-и-р и п-р-п типа проводимости, резисторы, диод и конденсаторы (1) .

Недостаток этого устройства — низкая

5 помехоустойчивость.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является коммутатор, содержащий первый и второй транзисторы п-р-и типа проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к коллектору 10 третьего транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питания, а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора п-р-п ти15 па проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен с минусовой шиной источника питания, которая через третий резистор подключена к базе пятого транзистора р-п-р типа проводимости. эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллек- гв тор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора п-р-и типа проводимости, база первого транзистора и-р-и типа проводимости соединена с входной .((ной, а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-и-р типа проводимости, эмиттер которого через параллельно включенные пятый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питания, которая через шестой резистор подключена к коллектору второго транзистора и-р-и типа проводимости через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, которая через последовательно включенные восьмой резистор и второй конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питания, при этом база второго транзистора п-р-и типа проводимости подключена к выходной шине, а база пятого транзистора р-и-р типа проводимости через девятый резистор подключена к шине управления (2).

Недостаток известного устройства -- низкая помехоустойчивость.

Целью изобретения является повышение помехоустойчивости коммутатора.

Цель тости: ается тем, что в коммутаторе, -(т,ержа:i(— . первый и второй транзисторы ..-",.-и ..::.,: .:.оводимости, эмиттеры ко—,îðû. »; úå::-,:: -,.:;. подключены к коллекллу,- .ть;- -". ; э(.стора и-р-п типа про788381 водимости, эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питания, а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора п-р-и типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен минусовой шивторой резистор соединен с минусовой шитий резистор подключена к базе пятого транзистора р-и-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора и-р-и типа проводимости, база первого транзистор" и-р-п типа проводимости соединена с входной шиной, а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого через параллельно включенные пятый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питания, которая через шестой резистор подключена к коллектору второго транзистора и-р-и типа проводимости, через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-и-р типа проводимости, которая через последовательно включенные восьмой резистор и второй конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питания, при этом база второго транзистора п-р-и типа проводимости подключена к выходной шине, а база пятого транзистора р-п-р типа проводимости через девятый резистор подключена к шине управления, введены пять дополнительных транзисторов, шесть резисторов и третий конденсатор, при этом база первого дополнительного транзистора и-р-и типа проводимости через третий конденсатор соединена с общей шиной, а через первый дополнительный резистор с эмиттером четвертого транзистора и-р-и типа проводимости, эмиттер через второй дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питания, а коллектор — к базе второго р-и-р типа проводимости и коллектору третьего п-р-и типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор к коллектору шестого транзистора р-п-р типа проводимости, базе четвертого и-р-п типа проводимости и коллектору пятого р-п-р типа проводимости дополнительных транзисторов, коллектор первого из которых через четвертый дополнительный резистор соединен с плюсовой шиной источника питания, а эмиттер с базами третьего и-р-п типа проводимости и пятого р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-и-р типа проводимости и пятого р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-и-р типа проводимости дополнительных транзисторов и выходной шиной, при этом коллектор второго дополнительного транзистора р-п-р типа проводимости через пятый дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питания, а эмнттеры третьего и-р-п типа проводимости и пятого р-и-р типа проводимости дополнительных

16

zo

25 эо

Зэ

45 зо

5$ транзисторов объединены и через шестой дополнительный резистор соединены с общей шиной.

На чертеже представлена принципиальная схема коммутатора.

Устройство содержит следующие элементы: первый 1 и второй 2 транзисторы и-р-и тина проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к коллектору третьего транзистора 3 и-р-и типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор 4 соединен с минусовой шиной 5 источника питания, а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора 6 п-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор 7 соединен с минусовой шиной 5 источника питания, которая через третий резистор 8 подключена к базе пятого транзистора 9 р-и-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной !О, а коллектор через четвертый резистор 11 подключен к базе транзистора 6, база транзистора 1 соединена с входной шиной 12, а коллектор через диод 13 подключен к базе шестого транзистора 14 р-п-р типа проводимости, эмиттер которого через параллельно включенные пятый резистор 15 и первый 16 конденсатор соединен с плюсовой шиной 17 источника питания, которая через шестой резистор 18 подключена к коллектору транзистора 2, через седьмой резистор

19 к базе транзистора 14, которая через последовательно включенные восьмой резистор 20 и второй конденсатор 21 соединена с плюсовой шиной 17 источника питания, база транзистора 2 подключена к выходной шине 22, а база транзистора 9 через девятый резистор 23 подключена к шине 24 управления, база первого дополнительного транзистора 25 и-р-и типа проводимости через третий конденсатор 26 соединена с общей шиной 10, а через первый дополнительный резистор 27 с эмиттером транзистора 6, эмиттер через второй дополнительный резистор 28 подключен к минусовой шине 5 источника питания, а коллектор к базе второго 29 р-п-р типа проводимости и коллектору третьего 30 и-р-п типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор 31 к коллектору транзистора 14, базе четвертого 32 и-р-и типа проводимости и коллектору пятого 33 р-и-р типа проводимости дополнительных транзисторов, коллектор первого из которых через четвертый дополнительный резистор 34 соединен с плюсовой шиной 17 источника питания, а эмиттер с базами третьего 30 и пятого 33 и эмиттером второго 29 дополнительных транзисторов и выходной шиной 22, коллектор транзистора 29 через пятый дополнительный резистор 35 подключен к минусовой шине 5 источника питания, а эмиттеры транзисторов 30 и 33 объединены и через шестой дополнителный резистор 36 соединены с общей шиной 10.

788381

Формула изобретения

Коммутатор работает следующим образом.

При поступлении на шину 24 управления нулевого потенциала транзистор 9 открывается и на базе транзистора 3 устанавливается потенциал, при котором через транзисторы 1 и 2 протекает ток. В точке соединения диода 13 с резистором 19 устанавливается потенциал, обеспечиваюший усилительный режим транзистора 14. Изменение напряжения на резисторах 7 и 11 одновременно открывает транзистор 25, составляющий с транзистором 14 каскад сдвига уровня.

Режимы работы транзисторов 14 и 25 по постоянному току таковы, что через них протекают одинаковые по величине встречные токи от источников питания, обеспечивающие одинаковые по величине, но противоположные по полярности напряжения начального смещения транзисторов 29 и 32. В результате равенства напряжений смешения иа выходной шине 22 коммутатора устанавливается нулевой потенциал по постоянному току. Введение конденсатора 26, резистора

27 и транзистора 25 гриводит к одновременности возникновения и продолжительности выбросов при переключении, что устраняет коммутационную помеху на выходе коммутатора. При поступлении на шину 24 управления потенциала положительной полярности транзистор 9 закрывается, вызывая последовательное синхронное закрывание всех транзисторов коммутатора, что приводит к сохранению на выходной шине 22 нулевого потенциала.

Коммутатор, содержащий первый и второй транзисторы и-р-и типа проводимости, эмиттеры которых объединены и подключены к коллектору третьего транзистора и-р-и типа проводимости, эмиттер которого через первый резистор соединен с минусовой шиной источника питания, а база подключена к базе и коллектору четвертого транзистора и-р-п типа проводимости, эмиттер которого через второй резистор соединен с минусовой шиной источника питания, которая через третий резистор подключена к базе пятого транзистора р-п-р типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через четвертый резистор подключен к базе четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, база первого транзистора и-р-и типа проводимости соединена с входной шиной, а коллектор через диод подключен к базе шестого транзистора р-и-р типа

fS

20 н

Зо

4S проводимости, эмиттер которого через параллельно включенные пятый резистор и первый конденсатор соединен с плюсовой шиной источника питания, которая через шестой резистор подключена к коллектору второго транзистора и-р-п типа проводимости, через седьмой резистор к базе шестого транзистора р-п-р типа проводимости, которая через последовательно включенные восьмой резистор и второи конденсатор соединена с плюсовой шиной источника питания, при этом база второго транзистора и-р-и типа проводимости подключена к выходной шине, а база пятого транзистора р-и-р типа проводимости через девятый резистор подключена к шине управления, отличаюи ийся тем, что, с целью повышения помеxoустойчивости, введены пять дополнительных транзисторов, шесть резисторов и третий конденсатор, при этом база первого дополнительного транзистора п-р-п типа проводимости через третий конденсатор соединена с общей шиной, а через первый дополнительный резистор с эмиттером четвертого транзистора п-р-п типа проводимости, эмиттер через второй дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питания, а коллектор к базе второго р-и-р типа проводимости и коллектору третьего п-р-и типа проводимости дополнительных транзисторов и через третий дополнительный резистор к коллектору шестого транзистора р-п-р типа проводимости, базе четвертого и-р-п типа проводимости и коллектору пятого р-и-р типа проводимости дополнительных транзисторов, коллектор первого из которых через четвертый дополнительный резистор соединен с плюсовой шиной источника питания, а эмиттер с базами третьего п-р-п типа проводимости и пятого р-п-р типа проводимости и эмиттером второго р-и-р типа проводимости дополнительных транзисторов и выходной шиной, при этом коллектор второго дополнительного транзистора р-п-р проводимости через пятый дополнительный резистор подключен к минусовой шине источника питания, а эмиттеры третьего и-р-п типа проводимости и пятого р-и-р типа проводимости дополнительных транзисторов объединены и через шестой дополнительный резистор соединены с общей шиной.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Лвторское свидетельство СССР

М 315292, кл. Н 03 К 7/60, 01.10.71.

2. Авторское свидетельство СССР

Vo 413624, кл. Н 03 К 17 60, 15.03.74 (прототип) .

788381

17

Составитель В. Чачанидзе

Редактор N. Ткач Техред А. Бойкас Корректор Г. Назарова

Заказ 8380)70 Тираж 995 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4