Способ контроля параметров пленки в процессе осаждения

Способ контроля параметров пленки в процессе осаждения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Совет сник

Социалистическик

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1)789632 (61 ) Допол н ительное к а вт. с вид-ву (22) Заявлено 1l.01. 79 (21) 2710685/l8-23. (53)M. Кд. с присоединением заявки.%

С 23 С ll/02

Н 05 К Q/l8:, Гооударстееиный комитет (23) Приоритет по делам изобретений и открытий

Опубликовано23.12 80. Бюллетень №47

Дата опубликования описания 25 .l2.80 (53) УДК 621. °.793Л 4 (088.8) Н. И. Четвериков, В. Н. Черняев и А. М. Сержантов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54). СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛЕНКИ

В HPOIIECCE ОСАЖДЕНИЯ т5

Изобретение относится к технике, связанной с процессами осаждения пленок из газовой фазы для целей микроэлектроники, радиотехники, вычислительной техники и т.д.

Известен резистивный способ контроля

5 параметров пленки в процессе осаждения по - датчику-свидетелю Я.

Однако этот способ:невозможно использовать для. контроля параметров пленки в процессе ее осаждения из газовой фазы.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ. контроля параметров пленки в процессе осаждения на подложку, включающий измерение сопротивления между контактными площадками датчика-свидетеля f2).

Недостаток известного способа— низкая точность измерения параметров пленки.

Цель изобретения — повышение точности измерения параметров пленки.

Поставленная цель достигается благодаря тому, что согласно способу контроля параметров пленки в процессе осаждения на подложку, включаюшему измерение сопротивления между контактными плошадками датчика-свидетеля, дополнительно измеряют сопротивление между любой контактной площадкой датчика-csmдетеля и подложкой, а сопротивление датчика-свидетеля определяют из соотношения где R — сопротивление между контактными плошадками датчикасвидетеля Я, — сопротивление между любой контактной плошадкой датчикасвидетеля и подложкой.

На фиг. l показана эквивалентная схема замешения; на фиг. 2 — более упрощенная эквивалентная схема замещения через конечное число сопротивлений.

На схеме обозначены контактные площадки l и 2 датчика-свидетеля и контакт 3 подложкодержателя, К вЂ” часть сопротивления пленки на поверхности между контактными площадками, часть сопротивления пленки на боковых сторонах датчика-свидетеля.

При первом измерении выражение для Я, можно получить путем преобразования треугольника сопротивлений в звезду

2#k

1- PA+ а при втором измерении для Ц по схеме последовательно-параллельного соединения можно записать

789632

1О

ХЬь ЯЗ t +4г + Р

Решая совместно эти два полученные уравнения, можно найти 2 Rg, т.е. щ получаем формулу сопротивления датчиха- свидетеля. Подкоренное выражение больше нуля при условии, что — gR<4<> $< ф, Данное условие практически вйполняется всегда при изготовлении датчика-свидетеля с Кф = l и длиной контактных площадок примерно в два раза меньшей их ширины.

Пример. Проводят контроль поверхностного сопротивления пленок воль- 5а фрама и молибдена, осаждаемых из газовой фазы термическим разложением соответствующих гексакарбонилов. Датчиксвидетель изготавливают из ситалла

СТ-50-l с Кф а l и помешают рядом с нагреваемой подложкой, на которую осаждается пленка. Измерение сопротивления

В1 и R производят двумя ампервольтомметрами P-386, с выхода которых сигнал в кодовой форме поступает на ЭВМ, > Электроника-70", и сопротивление датчика-свидетеля, а значит и поверхностное сопротивление пленки (так как Кф з1) регистрируются на экране Электроника-70 . Вычисление Rg можно произ- 45 водить и через небольшие аналоговые преобразователи с выходом на стрелочный прибор или вручную с помощью рассчитанных номограмм. Точность измерений поверхностного сопротивлении пленки во всех случаях не хуже + 5%, что обеспечивает изготовление пленочных резисторов на основе карбонильных пленок вольфрама и молибдена заданного номинала с допуском

+ 5% в интервале поверхностйых сопротивлений от 20 до 1.0000 Ом/кв.

Использование предлагаемого способа контроля параметров пленки эа счет повышения точности измерения параметров пленки в процессе ее осаждения иэ газо вой фазы решает проблему оперативного контроля на установках осаждения пленок из газовой фазы. При этом сам способ осаждения пленок из газовой фазы становится более управляемым и воспроизводимым, что ведет к снижению себестоимости операции осаждения пленок из газовой фазы эа счет уменьшения процента брака при осаждении пленок заданного номинала. Таким образом, использование предлагаемого способа контроля способствует внедрению в промышленность экономичных: производительных и доступных методов осаждения пленок из газовой фазы. Данный способ контроля может также использоваться во всех тех случаях, когда осаждение пленки производится иэ рассеянного потока вещества, а среда осаждения непроводящая. формула изобретения

Способ контроля параметров пленки в процессе осаждения на подложку, включающий измерение сопротивления между контактными площадками датчика-свидетеля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения параметров пленки, дополнительно измеряют сопротивление между любой контактной площадкой датчика-свидетеля и подложкой, а сопротивление датчика-свидетеля определяют из соотношения

«<- ??(> 5+9« /(«« "«,) ), где Ъ - сопротивление между контактными площадками свидетеля; сопротивление между любой контактной площадкой свидетеля и подложкой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Минаков В. И., Коган М. 3. Производство тонкопленочных микросхем. Jl

"Энергия, l973, с. 92-98.

2. Гимпельсон В. Д., Родионов Ю. А.

Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники м., "Машиностроение", 1976, с. 99 (прототип) .

789632

Фиа2

Составитель й. Белый редактор И. Николайчук ТекредN.Òàáàêîâè÷ КорректорС. Шекмар

Заказ 9006/32 Тираж 1074 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

li3035, Москва. Щ-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектнаа, 4