Резистивный материал

Резистивный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.11. 78 (21) 2683023/18-21

<1 790027 (53}М. Кл. с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Н 01 С 7/06

Н 01 В 1/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 231280 Бюллетень г(о 47 (53) УДК621. .316.8 (088. 8) Дата опубликования описания 231280 (72) Авторы изобретения

Ю. Г. Зайнулин, Т. В. Дьячкова и С. И. Алямовский

Институт химии уральского научного центра AH СССР (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫИ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области электротехники в частности к разра- ботке реэистивных материалов с температурным коэффициентом электро-. сопротивления (ТКС), близким к нулю, которые могут использоваться в низкоомных (1-10 Ом) резисторах.

Известен материал на основе карбида ванадия состава ЧС

Недостатком указанного материала является то, что в области температур 25-1000оC его температурный коэф фициент электросопротивления положителен (абсолютное электросопротивление изменяется в пределах 0,65- - 15

1,5-10 Ом см )1что не позволяет использовать его в объемных резисторах.

Наиболее близким по технической сущности является резистивный материал, включающий порошок ванадия и 20 окисел ванадия.

Однако температурный коэффициент сопротивления известного материала является положительной величиной и диапазон удельного сопротивления недостаточно широк.

Цель изобретения — снижение температурного коэффициента сопротивления и расширение диапазона удельного электросопротивления. 30

Предлагаемый резистивный материал готовят следующим образом.

Рассчитанные количества исходных карбида ванадия ЧСр и окисла ва3 надия Ч О тщательно перемешивают, брикетируют и спекают в атмосфере инертного газа (Р„ .д = 760 мм рт.с при 1500оС в теченИе 10-15 ч c,ïåðåбрикетировкой через 5 ч спекания.

Из полученного оксикарбида ванадия изготовляют штабик размером 5х3х х15 (мм) наносят на образец электроконтакты, а затем измеряют температу1 ную зависимость удельного электросопротивления и рассчитывают TKC.

Метод приготовления резистивного материала предлагаемого состава с различным содержанием компонентов и их основные характеристики приведены в примерах.

Пример 1. Для приготовлени . оксикарбида ванадия смешивают и брикетируют 72,4 вес.% карбида ванадия, 13,15 вес.% полутораокиси V 0>

14,45 вес ° % металлического порошко вого ванадия. Брикет спекают в атмосфере инертного газа (Рн

760 мм. рт. ст.) при 1500 С в течение 15 ч с перебрикетировкой через

5 ч спекания . Получают оксикарбид со

790027

Формула изобретения

Составитель

Редактор Н. Кбнчицкая Техред М.Кузьма

Корректор Е. Папп

Заказ 9046 52 Тираж 844

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент" г. Ужгород, ул. Проектная, 4 тава ЧС „ 0 . Его электросопротивление, измеренное на лабораторной установке в интервале температур

25-1000 С, изменяется в пределах

4,10-4,13- 10 "OM-см. Температурный коэффициент электросопротивления (ТКС) практически равен нулю.

В интервале температур 25-1000ОС удельное электросопротивление изменяется от 4,98 до 5,00.

Пример 2. Берут 18,6 вес.Ъ карбида ванадия, 65,52 вес.% пс1лу- tO тораокиси V 0 и 16,42 вес.Ъ металлического йорошкового ванадия.

Проводя операции аналогично примеру

1, получают оксикарбид состава ЧС п0 с практически нулевым ТКС. 15

Из результатов испытаний следует, что предлагаемый токопроводящий материал имеет ТКС близкий к нулю в интервале температур 25-1000 С. Таким образом, при вакуумной изоляции предла- gb гаемого материала возможна работа резисторов объемного типа на его основе при 25-1000 С.

Резистивный материал, включающий порошок ванадия и окисел ванадия, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного электросопротивления, в качестве окисла ванадия он содержит полуторную окись ванадия и дополнительно содержит карбид ванадия при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

Полуторная окись ванадия 13,15-65,52

Карбид ванадия 18,06-72,40

Порошок ванадия Остальное.