Селектор импульсов по длительности
Иллюстрации
Показать всеРеферат
о и и " А" Й "и
Союз Советских
Социалистических
Республик
ИЗОБРЕТЕНИЯ
«»790271
К АВТОРСКОМУ CSH ЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 050279 (2! ) 2722291/18-21 с присоединением заявки М (23) Приоритет
Опубликовано 231280. Бюллетень Но 47
Дата опубликования описания 30. 12. 80 (51)М. Кл 3
Н 03 К 5/26
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 375.
° 4 (088.8) (72) Автор изобретения
В.В.Мигалкин
Институт космофиэических исследований и аэрономии
Якутского филиала Сибирское отделение AH СССР (71) Заявитель (54) CEJIEKTGP ИМПУЛЬСОВ ПО ДЛИТЕЛЬНОСТИ
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах автоматического управления и телемеханики.
Известен селектор импульсов по длительности, состоящий иэ блокинггенератора на транзисторе с автоматическим смещением, у которого хронирующий конденсатор одной обкладкой соединен непосредственно с эмиттером транзистора и через резистор с источником питания. Между другой обкладкой и земляным проводом включен входной транзистор, нормально открытый напряжением смещения, за- 15 даваемого резистором, подключенный к базе и источнику питания.
В этом селекторе при заданной длительности порога селекции точность селекции импульсов по длитель- 20 ности пропорциональна напряжению разряда-хронирующего конденсатора, которое, в свою очередь, в исходном состоянин равно напряжению смещения блокинг-генератора (1) . 25 ..Недостаток указанного селектора импульсов по длительности — уменьшение амплитуды выходных сигналов при повышении точности селекция импульсов по длительности. 30
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является се-. лектор импульсов по длительности, содержащий блокинг-генератор на транзисторе, эмиттер его через резистор соединен с одной обкладкой времязадающего конденсатора, вторая обкладка которого подключена к выводу базовой обмотки блокинг-трансформатора и через диод — к коллектору транзистора P) .
Недостаток известного селектора импульсов заключается в низкой точности селектирования.
Цель изобретения — повышение точности селектирования.
Поставленная цель достигается тем, что в селектор импульсов по длительности, содержащий блокинггенератор на транзисторе и-р-и типа проводимости, эмиттер которого через резистор соединен с первой обкладкой времязадающего конденсатора, вторая обкладка которого подключе-Ф на к выводу базовой обмотки блокингтрансформатора и через диод — к коллектору входного транзистора и-р-и типа проводимости, база которого соединена со входной шиной, введены транзистор р-и-р типа проводимости, 790271
ЗО
3$
55 дополнительный диод и два резистора, через которые база транзистора p"n-p, типа проводимости соединена соответственно с шиной питания и коллектором входного транзистора и-р-и типа проводимости, причем эмиттер транзистора р-n-p типа проводимости соединен с шиной питания, а его коллектор через дополнительный диод подключен к точке соединения упомянутых резистора и первой обкладки времязадающего конденсатора.
На чертеже представлена принципиальная схема селектора импульсов.
Селектор импульсов по длительности состоит из блокинг-генератора на транзисторе 1 с цепочкой 2 автоматического смещения. Времязадающий конденсатор 3 одной обкладкой соединен через диод 4 с коллектором входного транзистора 5, база которого подключена через резистор 6 к шине питания. Селектор также содержит дополнительный транзистор 7, коллектор которого соединен через диод 8 и резистор 9 с эмит ером транзистора 1 блокинг-генератора, а база соединена через резистор 10 с шиной питания и через резистор 11 †.с коллектором входного транзистора 5.
Селектор импульсов работает следующим образом.
В исходном состоянии входной транзистор 5 открыт и насыщен за счет смещения, задаваемого резистором б.
Так как коллекторной нагрузкой транзистора 5 являются резисторы 10 и
11, то так же открыт и насыщен дополнительный:транзистор 7. Времязадающий конденсатор 3 при этом заряжен до напряжения источника питания
Е„дщ. Поскольку (в данном случае) правая обкладка времязадавщего конденсатора 3 в исходном состоянии подключена к общей шине через открытый транзистор 5, то условие генерации блокинг-генератора не выполняется. При этом подбором резисторов
9 и 2 устанавливается минимальное напряжение смещения, при котором надежно закрыт транзистор 1 блокинггенератора. С приходом входного положительного импульса на базу транзистора 5, последний закрывается.
Закрывается также дополнительный транзистор 7. Времязадавщий конденсатор
3 перезаряжается от источника питания.Еп„ через резистор 12, вторич- пищ
I ную обмотку трансформатора 13, резистор 9 и цепочку 2 автоматического смещения. Так как суммарное сопротивление резисторов 9 и 2 намного меньше сопротивления резистора 12 (т.е. йонас й„ ), то напряжение U на времяэадающем конденсаторе 3 приложено
"плюсом" к базе транзистора 1, который продолжает оставаться в закрытом состоянии.. Постоянная времени перезарядки времязадающего конденсатора
3 легко регулируется изменением номинала резистора 12. Введение дополнительного транзистора 7 сводит к минимуму время восстановления (заряда) времязадавщего конденсатора 3.
Если длительность входного импульса мала, то в течение этого времени времязадающий конденсатор 3 не успевает разрядиться до нуля и блокинггенератор не срабатывает. Если же длительность входного импульса большая, то времязадающий конденсатор
3 успевает разрядиться до нуля и на выходе блокинг-генератора появляется импульс выходного напряжения, амплитуда которого равна.Е ..
Введение дополнительного транзистора в зарядную цепь времязадавщего конденсатора повышает точность селекции импульсов по длительности в два раза при наибольшей амплитуде выходных сигналов (О "- Е„„,.), Кроме у, пнт того, уменьшается время восстановления в 20-30 раз. формула изобретения
Селектор импульсов по длительности, содержащий блокинг-генератор на транзисторе n -р-и типа проводимости, эмиттер которого через резистор соединен с первой обкладкой времязадающего конденсатора, вторая обкладка которого подключена к выводу базовой обмотки блокннг-трансформатора и через диод — к коллектору входного транзистора n-p-и типа проводимости, база которого соединена со входной шиной, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности селектирования, в него введены транзистор р-n-p типа проводимости, дополнительный диод и два резистора, через которые база транзистора р-и-р типа проводимости соединена соответственно с шиной питания и коллектором входного транзистора и-р-и типа проводимости, причем змиттер транзистора р-и-р типа проводимости соединен с шиной питания, а его коллектор через дополнительный диод подключен к точке соединения упомянутых резистора и первой обкладки времязадающего конденсатора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
9 307507, кл. Н 03 К 5/18, 04.02.71.
2. Авторское свидетельство СССР
9 459849, кл. Н 03 К 5/18, 09.02.72.
790271
Составитель В.Чижов
Техред E.Ãàâðèëåøêo Корректор О.Ковинская
Редактор О.Малец
Филиал ППП Патент, r. ужгород, ул. Проектная, 4
Заказ 9072 64 Тираж 995 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5