Способ газовой обработки сапфира

Способ газовой обработки сапфира

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сема Советскик

Социалистических

Республик

<"> 795961

Ф .Ф

К АВТОРСКОМУ СВИ ИТВЛЬСИЖ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 101178 (21) 2686 305/29-33 с присоединением заявки N9 (23) Приоритет

Опубликовано 15.0181, Ьииаетеиь HQ 2

Дате опубликования ойисаиия 180181 р )м. к .з

В 28 0 5/00

ГосударственныЯ комитет

СССР но делам нзобветеннй н. открытнЯ (53) УДК 679.8 ° 028 (088.8) (72) Авторы изобретения

В.Н. Батыгин и В.И. Куликов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ГАЗОВОЙ ОБРАБОТКИ САПФИРА

Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к способам газсвой обработки сапфира.

Известен способ обработки сапфира, включающий травление в нарах буры з при 1000-1200 С Щ .

Недостаток этого способа заключается в образовании на поверхности кристалла инородных включений и пленок, что вызывает увеличение трудоем- 1О косты за счет введения дополнительной очистки.

Наиболее близким к предлагаемому является способ газовой обработки сапфира, включающий нагрев в среде т5 сухого водорода и выдержку при заданной температуре (2 .

Недостаток указанного способа заключается в необходнмос и использования остроосушенного водорода, влаж- 2О ностью по точке росы -80 С и температуре нагрева свыше 1900 С, что по.вышает трудоемкость и снижает производительность °

Цель изобретения — снижение тру- 25 доемкости и повышение производительности

Поставленная цель достигается тем, что в способе газовой обработки сапфара, включающем нагрев в среде сухо- 30 2 го водорода и выдержку при заданной температуре, перед нагревом вводят в среду сухого водорода графитовые элементы, нагрев осуществляют до

1500-1600 С со скоростью 500 град/ч, а выдержку — в течение 25-30 мин.

Такое выполнение способа обработки сапфира обеспечивает снижение тем о пературы обработки на 300-400 С и возможность использования сухого водоо рода с влажностью по точке росы -50 С, что снижает трудоемкость и повышает производительность обработки в 1,52 раза.

Пример. Термическая обработка сапфировых изделий осуществляется в промышленных водородных колпаковых печах типа ЦЭП-240 с реэистивным на-, гревом. Образцы сапфира помещают в реакционный объем на специальной молибденовой этажерке. Графнтовые элементы в форме пластин, вводимые в реакционный объем, располагаются на расстоянии 5-10 мм от сапфировых изделий. Допустимо использование графитового кольца или стакана, окружающего сапфировые изделия. Термообработку проводят в сухом водороде (влажность по точке росы -50ОC). Скорость подъема и снижения температуры

795961

Составитель В. Холопов

Редактор А, Лежнина Техред Е.Гаврилешко .:Корректор С. шекмар

Тираж 638 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113д35, Москва, й-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 9565/22

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 составляет 500 град/ч. Выдержка при

1500-1600 С в течение 25-30 мин.

Исследования качества структуры поверхности сапфировых подложек на электронном микроскопе УЕИ-6А показали, что поверхностный слой после термообработки в водороде преобразо-. ван в,монокристаллический, а размер микронеровностей поверхности не превышает 0,025 мкм, что соответствует

14 классу чистоты.

Введение графитовых элементов обеспечивает при температуре выше

1000 С поглощение иэ водорода примеси кислорода и кислородсодержащих соединений, способствуя тем самым глубокому осушению водорода, причем при температуре выше 1200 С выделяется окись углерода — активный восстановительный по отношению к сапфиру газ, что позволяет снизить температуру обработки.

Формула изобретения

Способ газовой обработки сапфира, 3 включающий нагрев в среде сухого водорода и выдержку при заданной температуре, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и повнаения производительности, Щ. перед нагревом вводят в среду сухо- °

ro водорода графитовые элементы, на грев осрцвствляют до 1500-1600 С сб скоростью 500 град/ч, а выдержку— в течение 25-30 мин.

И Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Q6A Э 3753775, кл. 117/213, 1973,.

2. Патент США 9. 4038117, кл. 156-2, 1977.