Способ подготовки полупроводниковыхкристаллов k сборке

Способ подготовки полупроводниковыхкристаллов k сборке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I |л

ОПЙСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

". ск4ь." с

Союз Советсних

Социалистических

Республик

<щ796956

К АВТОРСКОМУ СВИ ТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 041174 (2Ö 207231.3/18-21

К„з

Н 01 L 21/00 с присоединением заявки Йо (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР но яеаам нзобретеннЯ н открытнЯ

Опубликовано 15,0181. Бюллетень Н9 .2 (53) УДК 621.382 (088.8) Дата опубликования описания 1 10181 (72) Авторы изобретения

Н. И. Никулин, И. И. Поярков и Н. С. Понарин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

КРИСТАЛЛОВ К СБОРКЕ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использованс при подготовке полупроводниковых кристаллов к сборочньм операциям при производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов.

Известен способ. подготовки полупроводниковых Крис таллов к сборке, включающий закрепление полупроводниковой скрайбированной пластины на термопластичной ленте, раэламывание пластин на кристаллы, растягиваиие ленты до образования зазоров между. кристаллами и снятие годных кристаллов с ленты с помощью вакуумного 15 присоса 111 .

В данном способе полупроводниковую пластину закрепляют путем прижатия ее к предварительно разогретой термопластичной пленке, в результа- 20 те чего пластина, а после разламывания и кристаллы удерживаются на пленке эа счет сил молекулярного сцепления. Для снятия годных полупроводниковых кристаллов и укладки их в 25 кассету или корпус прибора достаточно усилия вакуумного пинцета.

Недостатком данного способа является ненадежность удержания кристаллов, зависимость-сил сцепления крис- 30 таллов с термопластичной пленкой от ее физических свойств, температуры нагрева и других факторов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке, включающий закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезионным слоем, растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с ленты с помощью вакуумного присоса |.21.

В данном способе полупроводниковую пластину после операции скрайбирования закрепляют на ленте с адгезионным слоем, в результате чего полупроводниковые кристаллы после разламывания пластины надежно удерживаются на ленте.

Для снятия годных полупроводниковых кристаллов с лейты одного усилия вакуумного пинцета уже недостаточно, поэтому одновременно осуществляют подкалывание полупроводниковых крис-, таллов со стороны ленты с помощью специального инструмента — иглы или сферического наконечника. Это приводит к усложнению используемых устройств и технологического процесса

796956

Формула изобретения

Составитель О. Бочкин

Редактор Е. Дорошенко Техред T. Маточка Корректор A. Гриценко

Эак;..3 9790/72а Тираж 793 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

133035, Москва, E-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 подготовки полупроводниковых кристаллов к сборочным операциям.

Цель изобретения — упрощение технологического процесса.

Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, включающему закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгеэивным слоем, растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с,ленты с попощью вакуумного присоса, после растягивания ленты ее возвращают в исходное положение путем снятия растягивающих усилий.

Прн растягивании ленты и ее последующем возвращении в исходное положение происходит некоторое уменьшение сил сцепления между полупроводниковыми кристаллами, сохраняющими первоначальную ориентацию, и лентой с адгезивньюл слоем, что позволяет снимать годные кристаллы с помощью только вакуумного присоса, без дополнительного подкалывания полупроводниковых кристаллов со стороны ленты.

Способ подготовки полупроводниковых кристаллов к сборочным операциям осуществляют следующим образом.

Полупроводниковые кристаллы размером 0,7х0,7 мм предназначенные для наиайки на ножки .полупроводниковых нриборов, после операции разламывания иолупроводниковых пластин перегружают на липкую эластичную ленту. Ленту с закрепленными на ней кристаллами растягивают в горизонтальном направлении путем приложения усилий, а затем возвращают в исходное положение путем снятия растягивающих усилий, при этом сохраняется первоначальная ориентация полупроводниковых кристаллов, которые, таким образом, подготовлены для последующей сборочной операции. В дальнейшем годные полупроводниковые кристаллы снимают с ленты с помощью вакуумного присоса и переносят их на операцию напайки полупроводниковых кристаллов на ножки полупроводниковых приборов.

Способ опробован в производственных условиях, при этом технология подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке значительно упрощена без потери надежности закрепления полупроводниковых кристаллов на лен15 те с адгезивным слоем. щ Способ подготовки полупроводниковых кристаллов к сборке, включающий закрепление полупроводниковых кристаллов на ленте с адгезивным; слоем, растягивание ленты и снятие полупроводниковых кристаллов с ленты с помощью вакуумного присоса, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, после растягивания ленты ее возвращают в исходное положение.

ЗО путем снятия растягивающих усилий.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3727282, кл. 29-200 П, 17.04.73.

35 2. Патент Японии Р 48-36110, кл. 99(5) A 04, 01.11.73 (прототип).