Носитель информации

Носитель информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

АНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

МВталтнс.-т .,;,.-,,;, Союз Советских

Социалистических

Республик

<,798922 к авторском свидип:-льствь (61} Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 270? 79 (21) 2731425/18-24 с присоединением заявки Йо (23} Приоритет

Опубликовано 230131 Бюллетень Йо 3

Дата опубликования описания ?301.81 (51)М. Кл.з

G 06 К 19/02

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.12 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. М. Панасюк, ф. И. Пасечник, О. В. Пелевин и В. Г. Суринов

Кишиневский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В.Й. Ленина (71) Заявитель (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к технике регистрации оптической информации и, в частности, касается регистрирующих сред, на которых фотографическое изображение формируется в виде остаточной деформационной картины в

ИК-области электромагнитного излучения.

Известны носители информации, содержащие подложку с проводящим слоем, фотопроводящий слой и из триселенида мышьяка и термопласти-. ческий. слой на внешней поверхности (1), Недостатбк устройства — запись оптической информации осуществляется в видимой области электромагнитного излучения.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является носитель информации, содержащий фоточувствительный полупроводниковый слой аморфный или кристаллический и визуалиэирующий диэлектрический слой с термопластическими свойствами. Для изготовления полу" проводникового слоя применяют сульфиды, селениды и теллуриды мышьяка, сурьмы, висмута или германия. Устройство обеспечивает регистрацию оптической информации в диапазоне длин волн 5300-7100 нм.

Недостаток носителя — ограниченный класс используемых полупроводниковых материалов, область спектральной чувствительности включает только видимый диапазон электромагнитного излучения.

Цель изобретения — расширение диапазона спектральной чувствительности носителя.

Поставленная цель достигается изготовлением носителя информации, содержащего запоминающий термопластический слой, при этом фоточувствительная пластина из монокристаллического полупроводникового материала, на поверхности которой выполнен слой из аморфного полупроводникового материала, расположенный со стороны запоминающего термопластического слоя.

Носитель представляет собой слоистую структуру, содержащую фоточувствительную пластину из монокристаллического полупроводникового материала 1, в котором создан слой иэ аморфного полупроводникового материала 2, и налепленного на него запоминающего термопластического слоя 3.

798922.

Формула изобретения

Составитель Т.Ничипорович

Техред A. Ач. Корректор Н.Григорук

Редактор В. Еремеева

Тираж 756 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, .Раушская наб., д. 4/5

Заказ 10062/72

Филиал ППП . Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

В качестве монокристаллического полупроводника берут пластину фото чувствительного полупроводникового материала, например арсенида галлия толщиной около 0,5 мм. На одной стороне этой пластины создают тонкий слой аморфного арсенида галлия толщиной 0,1 — 1,0 мкм одним из известных способов, например ионной имплантацией.

В качестве полупроводникового слоя может быть также использован. любой фоточувствительный полупроводник, например кремний, германий, фосфид галлия и индия и др.

Для записи оптической информации на поверхность носителя наносят рав-. 1Ъ номерный электрический заряд пои одновременном экспонировании изображения. Фотопроводимость полупроводни-, кового материала приводит к перераспределению электрических зарядов 20 .и к образованию скрытого электроста-. тического изображения.

Выполнение полупроводникового слоя в виде монокристалла, в котоРом создан подслой вещества .н амоРА- 25 ном состоянии, обеспечивает более полное поглощение света с квантовым выходом, близким к единице, что повышает фотограАическую чувствительность носителя и обеспечивает высокое разрешение электростатического изображения, так как носители, генерируемые светом, свободно проходя в область аморфного состояния крис-. талла, накапливаются на границе с термопластиком, образуя электростатический рельеф. Свободное прохождение носителей в область аморфного состояния обеспечивается отсутствием резкой границы раздела между аморйным и кристаллическим состоянием 40 полупроводникового материала.

Малая подвижность носителей заряда в аморФном слое приводит к локализации зарядов в освещенных участках носителя. 45

Для проявления изображения термопластический слой нагревают до температуры размягчения, при которой пондеромоторные силы электрического юля вызынают деформацию термопластика в соответствии с экспонированием изображения; . Фиксирование деформаций осущестнляется охлаждением термопластического слоя до температуры затвердевания. Так как область спектральной фотографической чувствительности носителя определяется спектральным распределением фо-. тоотнета полупроводникового материала, то выполнение его из монокристалла обеспечивает регистрацию оптической информации в ИК-области электромагнитного излучения, как за счет собственной, так и за счет примесной проводимости полупроводника.

Такое выполнение носителя информации позволило расширить диапазоны его спектральной чувствительности в ИК-области электромагнитного излучения до 2,5 мкм при комнатной температуре.

Носитель HHAopMaIIHH, содЕржащий запоминающий термопластический слой, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона спект;. ральной чувствительности носителя, он содержит Фоточувствительную пластину из монокристаллического полупроводникового материала, на поверхности которого выполнен слой из аморфного полупроводникового материала, расположенный со стороны запоми нающего термопластического слоя.

Источники информации, принятые во внимание .при экспертизе

1..Патент CIIIA Р 3819369, кл. 340-173, опублик. 1974.

2. Патент Великобритании

Р 1387177, кл. G 2 Н, опублик.

1975 °