Накопитель для доменного за-поминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<я801103

К АЗВ©РСК©МУ СВ ТИЛЬЮТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд-еу(22) Заявлено 300379 (2l) 2743644/18-24 с присоединением заявки К9 (23) ПриоритетОпубликовано 3001,81, Бюллетень Й94

Дата опубликования описания 300181

Р1)М. К.з

G 11 С 19/08

Государствеиицй комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.6 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. С. Левицкий, Г. С.Щучкин, Ю. Б.Лебедев, B.Ê.Këåéìåíîâ, В.И.Noposoa и Ю.В.Сурин

1 (71) Заявитель (54) НаКОПИтЕЛЬ ДЛЯ ДОМЕННОГО.

ЗАПОМИНАК4цЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике н может быть применено в запоминающих устройствах на основе цилиндрических магнитных .цоменов.

Известны накопители доменных запоминающих устройств Ц3.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является ус1 ройство, содержащее источники постоянного магнитного поля, элементы коррекции постоянного магнитного поля в виде пластин из магнитомягкого материала, источники переменного магнитного поля и доменосодержащий элемент f23..

Недостатками таких накопителей являются большие габариты, так как источники переменного магнитного полЯ имеют площадь однородной области поля (с однородностью не хуже 1 1%), рав- 2й ную 30-40% от общей площади внутренней полости накопителя. В связи с этим

60-70% общего объема не используется из-за превышения допуска по однородности переменного магнитного поля.

Кроме того, недостатком устройства является повышенное потребление тока. питания источником переменного магнитного поля, а надежность накопителя, мала.

Цель изобретения — повышение надежности накопителя для домечных запоминающих устройств.

Поставленная цель достигается тем, что в накопителе, содержащем источник постоянного магнитного поля, элементы коррекции постоянного магнитного поля, источники переменного магнитного поля и доменосодержащий элемент, расположенный между источниками переменного магнитного поля в постоянном магнитном поле, элементы коррекции постоянного магнитного поля размещены внутри источников переменного магнитного поля °

Элемент коррекции постоянного магнитного поля выполнен в виде параляельно расположенных пластин из магнитомягкого материала.

На фиг. 1 изображен вариант накопителя с разомкнутым магнитопроводом истОчника постоянного магнитного поля; на фиг. 2 — вариант накопителя с замкнутым магиитопроводом.

Накопитель доменного запоминающего устррйства содержит источник 1 посто" днного магнитного поля, элементы 2 коррекции постоянного магнитного поля, иа которых размещены источники 3 переМенного магнитного поля. доменосодерВ01103

Формула изобретения 1$

Фие.r фие. Л

Составитель В.Гордонова

Редактор E.Ëóøíèêoâà Техред Е.Гаврилешко Корректор М.Немчик:

4 «4

Заказ 10441/71 Тираж 656 Подписное

ВНИЧПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 жащий элемент 4 помещен между источниками постоянного магнитного поля, а накопитель заключен в магнитный экран 5.

Работа накопителя для доменных запоминающих устройств осуществляется при одновременном воздействии на до4 еносодержащий элемент постоянного и переменного магнитных полей. Постоянное магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости доменосодержащего элемента. Переменное магнитное поле направлено вдоль его плоскости, при этом искажение поля не наблюдается.

1. Накопитель для доменного запоминающего устройства, содержащий источник постоянного магнитного поля, элемента коррекции постоянного магнитного поля, источники перещенного поля магнитного поля и доменосодержащий элемент, расположенный между источниками переменного магнитного поля в постоянном магнитном поле, отличающийся, тем, что, с целью повышения надежности устройства, элементы коррекции постоянного магнитного поля размещены внутри источников переменного магнитного поля.

2. Накопитель по п. 1, о т л и— ч а ю шийся тем, что элемент коррекции постоянного магнитного поля выполнен в виде параллельно расположенных пластин из магнитомягкого материала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. IEEE Transaction on Magnetic, vol.MAG-13, 95, September, 1977.

2. Computer Design, September, 1976, v.15, 99 (прототип) .