Устройство для охлаждения полу-проводниковых приборов

Устройство для охлаждения полу-проводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

<и>801331

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 080179 (21) 2709489/18-21 (51)М. Кл. с присоединением заявки N9

Н 05 К 7/20

Н 01 Ь 23/34

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано 300181 Бюллетень Мо 4 (53) УДК 621. 396.

6.017.72 (088.8) Дата опубликования описания 3001,81 исследовательского и проектно-конструкторс института горнорудного машиностроения (54) .УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах для охлаждения полупроводниковых- приборов. 5

Известно устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее теплоотвод с установленными на нем изоляторами из диэлектрика и держатели полупроводниковых приборов 1 .(p

Однако устройство не обеспечивает эффективного охлаждения.

Цель изобретения — повышение эффективности охлаждения.

Цель достигается тем, что в устройстве для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащем теплоотвод с установленнйми на нем изоляторами из диэлектрика и держатели полупроводниковых приборов, в изоляторе выполнены пазы с поперечным сечением в форме трапеции, а держатели полупроводниковых приборов выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах изолятора. 25

На чертеже показано устройство для охлаждения полупроводниковых приборов; разрез.

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов содержит тепло- отвод 1,выполненный в виде оболочки, на наружной стороне стенки которой размещены ребра 2, установленные в на теплоотводе 1 изолятора 3 из диэлектрика с большой теплопроводностью и высоким электрическим сопротивлением, например окись магния, и держатели 4 полупроводниковых приборов

5, которые выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах 6 изолятора 3, которые выполнены в форме трапеции.

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов работает следующим образом.

Полупроводниковые приборы 5 крепятся на держателях 4 с их меньших сторон и устанавливаются в пазах 6 изолятора 3 на расстоянии между собой и относительно стенки теплоотвода 1, которое определяется диэлектрической прочйостью диэлектрика, из которого выполнен изолятор 3, при этом расстояние между меньшими основаниями держателей определяется условиями допускаемой электрической прочности между разноименными полюсами по поверхности изолятора 3.

801331

Формула изобретения

Составитель В.Богданов

Редактор Л.Пчелинская ТеХРеД И. Асталош Корректор Н. Бабинец

Заказ 10462/82 Тираж 900

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Тепло, выделяемое полупроводниковыми приборами 5, передается на держатели 4, затем от их больших оснований через слой диэлектрика изолятора 3 на стенку теплоотвода 1, после чего на ребра 2 а затем в окружаю- 5 щую среду.

Изобретение эффективно передает тепло от полупроводниковых приборов в окружающую среду, а количество;переданного тепла при точном конструк-1 тивном выполнении элементов устройства увеличивается на 40-50%. При грунтовом размещении полупроводниковых приборов передача тепла происходит вдоль держателей, что приводит к перераспределению тепла между ними, а следовательно,к улучшению охлажденйя загруженных полупроводниковых приборов за счет менее загруженных.

Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащее теплоотвод с установленными на нем изоляторами из диэлектрика и держателей полупроводниковых приборов, а т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения эффективности охлаждения в изоляторе выполнены пазы с поперечным сечением в форме трапеции, а держатели полупроводниковых приборов выполнены с трапецеидальным поперечным сечением и размещены в пазах изолятора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР по заявке.9 2559013/18-21, кл. Н 05 К 7/20, 21.11.77.