Способ изготовления стеклопластика
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВ ВТВЛЬСУВУ (е1) Дополнительное к авт. сеид-ву в 601177 (22) Заявлено 2901.79 (21) 2718929/23-05
Сеез Севетскнк
Социалистических
Реаеубпнк (11802068
М K ç с присоединением заявки Йо
В 29 G 7/00
Государственный коннтет
СССР но делан нзобретеннй н открытнй (23) Приоритет
Опубликовано 0702.81, Бюллетень ЙЯ 5
Дата опубликования описанмя 1 ÎÐ2,81 (5З) УДИ 621. 7. .044(088.8) (72) Авторы мзобретеиия делов
В.Н. Шалыгин, Г.В. Алексеев, О.Н. Макаров (73) Заявитель
Ленинградский ордена Красного Знамени меха институт (5 4 ) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТЕКЛОПЛАСТИКА
Изобретение относится к производ:ству армированных пластиков и может быть использовано при изготовлении несущих деталей из стекло-, боро-, углепластиков и других конструкционных полимерных материалов.
Известен способ изготовления стеклопластика, включающий формование его контактным давлением при одновременном воздействии постоянного магнитного поля (11 . Однако получаемый при этом стеклопластик имеет недостаточно высокую трансверсальную прочность и прочность при.межслоевом сдвиге.. 15
Ближайший к изобретению способ изготовления стеклопластика по авт. св. В 601177, обеспечивающий высокую трансверсальную прочность и прочность при межслоевом сдвиге, заключакщимся 2О в формовании слоев стеклоткани, пропитанных эпоксидным связующим, контактным двалением при одновременном воздействии постоянного магнитного поля.
Формование производят при напряженности постоянного магнитного поля
800-900 3 и угловой ориентации вектора напряже н ности постоянного магнитного поля относительно действующего контактного давления 7-22 (2).
Эффективность способа недостаточно высокая.
Цель изобретения — повыаение эффективности производства.
Эта цель достигается тем, что по способу изготовления стеклопластика, включающему формование слоев стеклоткани, пропитанных эпоксидным связующим, контактным давлением при одновременном воздействии постоянного магнитного поля, формование производят при напряженности постоянного магнитного поля 800-900 Э и угловой ориентации вектора напряженности постоянного магнитного поля относительно действующего контактного давления
7-22, воздействие постоянного магнитного поля осуществляют в течение
3-5 мин при 80-100 С после приложения контактного давления.
Пример . Апробирование способа производят прн прессовании плит толщиной 50 мк п и контактном давлении 12-15 кгс/см, напряженности магнитного поля 850 3 и углом между вектором напряженности магнитного поля и действующим контактным давлением
802068
Эпоксидная диановая смола (ЭД-20)
Алифатическая эпоксидная смола (ДЭГ-1)
Триэтаноламинтитанат (ТЭАТ) 100
10
По авт. св.
Р 601177
В течение всего процесса
189
315
20-25
0,75
177
267
247
0,06
IIo изобретению
0,07
191
0 15
314
0,25
195 187
189
15
323
311
316
0,35
0,42
90
165
250
0,20
174
194
181
268
0,20
0,20
0,20
0,20
120
326
321
304
ВНИИПИ Заказ 10478/16 Тираж 785 Подписное
Филиал ППП "Патент", r. ужгород, ул. Проектная, 4
Время воздействия постоянного магнитного поля и температуру прессуемого стеклопластика варьируют в предлагаемых пределах.
В качестве исходных компонентов для изготовления стеклопластиковых плит берут стеклоткань ТС-8/3-250 и полимерное связующее ЭДТ-10 следующего состава, вес.ч.:
Формула изобретения
Способ изготовления стеклопласти- Ы ка по ав. св. 9 601177, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью пои ыцения эффективности производства, во@действие постоянного магнитного поля осуществляют в течение 3-5 мин 5$ при 80-100 С после приложения контактного давления.
Прочностные свойства apampo5398o= го пластика представлены в таблице.
Анализ результатов апробирования способа согласно изобретению позволяет сделать вывод о том, что при обеспечении прочностных свойств стеклопластика таких же, как для стеклопластика по авт. св. Р 601177, технология изготовления армированного пластика значительно эффективней. Об этом свидетельствует снижение энергозатрат на каждый образец не менее чем в три раза, значительно снижается также изнашиваемость используемого оборудования для создания постоянного магнитного поля.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
9 398408, кл. В 29 G 7/00, 1972.
2. Авторское свидетельство СССР
9 601177., кл. В 29 6 7/00, 1976 (прототип).