Способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах

Способ определения концентрации микрочастиц в фоторезистах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

со1оз ьоеЕГбйНХ

О Г И |= А Н И Е " ВОЗЬЗ7

ИЗОБРЕТЕНИЯ

СоциапистичесйиХ

Республик (61) Дополнительное к авт. сзпд-ву— (22) Заявлено 27,06.79 (21) 2787964/18-25 (51) Ч К з

6 01 N 21/00 с присоединением заявки ¹â€”

Государственный комитет (23) Приоритет—

СССР по делам изобретений и открытий (53? УДК 621.382 (088.8) Опубликовано 23.02.82. Бюллете;ш № 7

Дата опубликования описания 23.02.82

Г. С. Дубова, Т. В. Олейник, А. Я. Хайруллииа и Л. 3. Жалковская (72) Авторы изобретения

Ордена Трудового Красногo Знамени институт физики AH Белорусской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ

МИКРОЧАСТИЦ В ФОТОРЕЗИСТАХ

Изобретение относится и полупроводн.иковой текнике и может бь|ть использовано для ко нтроля качества фоторезис-,явныя материалов, применяемык при изготовлении по.тупро водн иковык приборов.

Известен способ для контроля стспсни очистки фоторезистов, основанныи на нанесении на о кисленную кремниевую подложку фото резиста, проведении процесса фотолитографии при исключении оиерац ги экспони рованстя, помещении подложки в контактное у1стройство фотослоем ввсрк, паложе нии на подложку фотобумаги, смоченной дистиллиро ва нной водой, подаче напряже.ния в течение определенного времени, проявлении фотобумаги, закреплешш, промыва|нии, сушке (1).

В этом способе подсчитывают кол,и сство отпечатков проколов в слое фоторезиста.

Недостатками этого способа являются

HH3KBH ToBHoicTb (<30 о), а также низкая экспр ессн ость.

Известен также способ определения коицентраци и микрочасгиц в фоторсзистак, осHolBBHlHbIH на освещении к1оветы с фоторезистом коллимирова гным излучением и измерении потока излучения, прошедшего через кювету с фоторезистом (2).

Недостатком этого способа является низкая экспрессность, TBK как измерения иеоб2 кодимо производить в 25 — 30 точкак с последующей обработкой данныи иа ЭВМ, на что потребуется 15 — 20 мип.

Цель|о изобретения является повышение точности и экспрсссиости.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе определения концентрации микрочастиц в фоторсэистак, основанном па освещении кюветы с фоторезистом

IO коллимирсванным излучением и измере гии потока излучения, прошедшего через кювету с фоторезистом, измеряют поток излучения, рассеянный в направлении 4 0,5 С от оси прямопрошедшего потока в телесном yrI5 лс 0,015= 0.005 стсрадиаи, и ио отношсшио рассеянного и прямопрошсдшего потоков определяют концентрацию микрочастиц.

На чертеже представлен градуировочный график зависимости отношения потоков из2С лучения рассеянного в направлении у=4 в телесном угле Ло = 0,015 стерадиан и пряF(Y) моирошсд|исго через фоторезист „в зависимости от концентрации микрочастиц в

25 фоторезпсте Х,, Выбор направления наблюдения рассеянного излучения в интергале у=4+-0,5 и в телесном угле Лю -0,015 0,005 стерадиан обусловлен тем, что для у)4 и Ле 0,0075 зе стерадиап нс прослеживается корреляция

803637 о из соотношения (1) Марка фоторсзиста

g/) t<

Л1, о

Fi Y) F (О), усл. ед.

F(0) )3 )0з

Х(т) ,- x,,7

У/с, () 4 an !

Составитель Л. Смирнов

Редактор О. Филиппова Техред А. Камышникова Корректоры: Л. Слепая и Т. Трушкина

Заказ 1286

Подписное

Изд ¹ 114 Тираж 883

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Загорская типография Упрполиграфиздага Мособлисполкома

ФП-383

ФП-388

ФП-Р)1-7

ФП-1 11 7

ФП-383

ФП-383

3,3 10

2,2 10

1,7. 10

2, 1 10 "

27 10

2,4 10

F(i ) уел ед. !

2,1 106

1,58 . 10

4.7 10

).74 ) 0

5 10"

2,2 10

26 10 — 4

72, )Q — 3

2,7. 10

7 .10 3

1,9. 10 4

93, 10 — 3

3/5 10з

)7 3 )0

4 3. )0з

8,6 10

4,3 10 ,l

Л, /!iiл предлагаемым способом

)3 7 )Оз

36 )0з

15 10

3,6 10

)P . 1P3

5 10з

5,1

3,3

11,3

13,6

20,4