Способ получения полупроводниковых структур

Способ получения полупроводниковых структур

Реферат

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.