Ячейка памяти для полупостоянногозапоминающего устройства

Ячейка памяти для полупостоянногозапоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОИ:КОМУ СВИ ВТИЛЬСЗВУ

Союз Советсник

Социалистических

Республик (i@8054 14

I (61) Дополнительное н авт. свид-ву (22) Заявлено,06. 03. 79 (21) 2734896/18-24 (53)М. Кл з

Q11 С 17/00 с присоединением заявки N9Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (23} Приоритет

Опубликовано 150281. Бюллетень М 6

Дата опубликования описания 15. 02. 81 (53) УД1 681. 327. 66 (088.8 ) (72) Автор: изобретения

Л. К. Сафронов (71) Заявитель (54} ЯЧЕЙКА ПЛИЯТИ ДЛЯ ПОЛУПОСТОЯННОХ О ЗАПОИИНИОЩЕТ О

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении полупостояиных запоминающих устройств (ППЗУ). Известна ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитбпровод, выполненный из двух различных материаловмагнитомягкого и магнитотвердо"

ro 1). акие ячейки памяти очень устойчивы к вибрациям и воздействию сильных магнитных полей, что обуславливает целесообразность использования их в особо трудных условиях эксплуатации, но имеют весьма существенный недостаток — сложность изготовления.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопровод, выполненный из термомагннтного. материала (2 ).

Запоминающие устройства на основе подобных носителей характеризуются. высокой надежностью, но при использовании эффекта Керра или Фарадея имеют сложную технологию изготовления.

Цель изобретения — упрощение н повышение надежности ячейки памяти для

ППЗУ.

Поставленная цель достигается тем, что ячейка памяти для ППЗУ, содержащая магнитопроводы с расположенным между ними магнитомодуляционным элементом прошитые шинами записи, считывания и числовой шиной, и замыкающее ярмо, содержит токоароводящую термомагнитную ленту иэ магиитотвердого материала, расположенную между магнито1О проводамн н замыкающим ярмом.

На фиг.1 приведена конструкция ячейки памяти для ППЗут на фиг.2 характеристика термомагннтной ленTH °

15 Ячейка памяти для ППЭУ содержит магнитопроводы 1 и 2, между которыми расположен магннтомодуляцион- ный элемент, состоящий нз перемычек 3 — 5, токопроводящую термо20 магнитную ленту б. из магиитотвердого материала, замыкающее ярмо 7 и шины записи 8, считывания 9 н числовую 10.

До тех пор, пока температура ленты

2э меньше критической тк, коэрцитивная сила Н ленты равна Н, а при некотором превькаении Тк коэрцитивиая сила равна Н>, причем

30 формула изобретения

+иа. 2.

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Л. Повхан Техред А.Бабинец Корректор Л. Иван

Заказ 10914/76 Тираж 656 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Ток записи выбирается таким, чтобы носитель перемагничивался в области значений Н и не перемагничивался в области значений Н . Носитель магнитной записи намагничивается в перпендикулярном направлении. Работа предложенной ячейки памяти для ППЗУ осуществляется следующим образом.

При записи информации в ячейку через ленту 6 пропускается электрический ток смещения I, и лента 10 нагревается до температуры, несколько большей Тк . Затем подается в шину записи 8 ток записи Т нужной полярности, например положительной полярности, которой соответствует 15 намагниченность J (символ "Т" ), а отрицательной полярности соответствует намагниченость — 3 (символ "0").После окончания записи токи снимаются, и носитель хранит 20 записанную информацию. если в шине

8 (по координате f ) ток Тс отсутствует, то информация в ячейку одним током Уз в по координате х не записывается, чем и обеспечивается надежность и простота записи информации.. При подаче в шину 9 считыва ния тока считывания, в числовой шине

10 вследствие изменения магнитного сопротивления ячейки наводится выходной сигнал, соответствующий записан- ЗО ной информации.

При считывании информации тока считывания недостаточно для разру-. шения информации, записанной на магнитотвердой ленте. 35

Использование предложенной ячейки памяти упрощает процесс изготовления

ППЗу,так как лента проходит через столбец ячеек памяти после предвари-. тельной установки магнитопроводов в технологической плате,а затем прижимается ярмом в области расположения ячейки. Процесс записи полутоками весьма упрощается по сравнению с известными ячейками с магнитной модуляцией сопротивления. Использование магнитотвердой ленты повышает устойчивость ячейки к воздействию вибраций и внешних магнитных полей, т.е. повышает надежность хранения информации.

Ячейка памяти для полупостоянного запоминающего устройства, содержащая магннтопроводы с расположенным между ними магнитомодуляционным элементом, прошитые шинами записи, считывания и числовой шиной, и замыкающее ярмо, отличающаяся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности ячейки памяти, она содержит токопроводящую термомагнитную ленту иэ магнитотвердого материала,расположенную между магнитопроводами и замыкающим ярмом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Бабак О. В., Болотов Б. В.

Магнитные аналоговые регулирующие и запоминающие устройства с составными сердечниками, Киев "Наукова

Думка", 1970, c. 15.

2. Патент США Р 3453646, кл. 340-174, 1969 (прототип).