Резистивный материал для тонко-пленочных резисторов

Резистивный материал для тонко-пленочных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

*

„/б - .г .

"«»"

К АВТОРСКОМУ СВИ ИЛЬСИЯР (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 020379 (23) 2733571/18 21 .(51)М

Н 01 С 7/00 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет

Государственны" комитет

СССР

00 делам изобретений н открытий

Опубликовано 28.02.81. Бюллетень ЙУ 8

Дата опубликования описания 07. 03. 81 (53) УДК 621.316..8 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н.Ю.Юсипов и В.Ф.Корэо (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЬЯ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ

РЕЗИСТОРОВ

1 2 3

45 56 35

1,2 1,8 0,3

Осталь ное

Хром

Углерод

Кремний

30

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, в частности к резистивным материалам для получения резистивиых пленок.

Известны резистивные материалы для получения реэистивных пленок (11 .

Однако они характеризуются недостаточной термостойкостью, а также значительным разбросом параметров резисторов при температурах выше

300ФС

Наиболее близким по технической сущности является реэистивный материал для тонкопленочных резисторов, содержащий сплав хрома и кремния (2 .

Недостаток известного резистивного материала — резкое изменение параметров тонкопленочных резисторов, эа счет недостаточной термостойкос- 20 ти резистивного сплава при температурах выше 400 С.

Цель изобретения — улучшение параметров резистивных пленок.

Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал для тонкопленочных резисторов, содержащий сплав хрома и кремния, дополнительно содержит углерод при следу-. ющем соотношении компонентов, вес.Ъ!

Хром 35-56

Углерод 0 3-1 8

Кремний Остальное

Пример. Приготовлено три смеси реэистивных материалов для тонкопленочных резисторов при следующих соотношениях компонентов, вес.Ъ:

Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния.

Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром

130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,4 ° 10 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхностнык сопротивлением 0,51 кОм/мм

Эксплуатационные испытания резиатс ров на основе сплава хром-углеродкремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10 Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8%.

Установлено, что оптимальная добавка углерода лежит в пределах 0,31,8 вес,Ъ, дальнейшее увеличение или уменьшение содержания углерода приво- О дит соответственно к снижению термостойкости и термостабильности материала, а также к раэбросу величины

TKC. Оптимальная добавка хрома лежит в пределах 35-56 вес.Ъ, дальнейшее увеличение содержания хрома снижает термостойкость и термостабильность резистивного материала и приводит к росту ТКС, к росту ТКС приводит также дальнейшее сопротивление материала, Использование предлагаемого иэоб- 20 ретения позволяет увеличить термостой. кость и термостабильность реэистивных материалов при температурах до

600 С, что дает возможность испольо зования тонкопленочных резисторов, ! . изготовленных иэ резистивного материала по данному изобретению. в схемах, работающих в интервале температур 400-600 С.

Формула изобретения

Реэистивный материал для тонкопленочных резисторов, содержащий сплав хрома и кремния о т л и ч а

/ ю шийся тем, что, с целью улучшения параметров реэистивных пленок, он дополнительно содержит углерод при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

Хром 35-56

Углерод 0,3-1, 8

Кремний Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3996551, кл. 338309 от 7.12.76.

2. ГОСТ 22025-76 "Резистивный сплав РС-4800" (прототип).

Заказ 443f70 Тираж 795 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 е м ); илиал ППП "Патент г. Ужго о л. П оектная

Ф

Р д у р

Ф Редактор К.Лембак Техред Ж.КастелевиЧ Корректор Г На аров