Сегнетоэлектрический керамическийматериал

Сегнетоэлектрический керамическийматериал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Соииалистических

Республик

О П И С А Н И Е (11)8!064!

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.08.79 (21) 2658153/29-33 с присоединением заявки— (23) Пр иоритет— (51) М.Кл.з С 04 В 35/00

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 07.03.81. Бюллетень № 9 (53) УДК 666.655 (088.8) (45) Дата опубликования описания 09.04.81 (72) Авторы изобретевия!

С. И. Урбанович, Л. Г. Никифоров, А. И. Акимой, Н. М. Олехнович и Э. Б. Ракицкий

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики

АН Белорусской ССР (71) Заявитель (54) СЕГН ЕТОЭЛ ЕКТР ИЧ ЕСКИ Й

КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, в частности, для изготовления конденсаторов.

Известны сегнетоэлектрики на основе сложных танталатов свинца с величиной диэлектрической проницаемости 60 и точкой Кюри — 50 С (1), известны такие сегнетоэлектрики как РЬ СоТаОв с величиной диэлектрической проницаемости 100 и точкой Кюри при 200 С (2).

Общим недостатком сегнетоэлектрических материалов является малое значение диэлектрической проницаемости и низкие значения точек Кюри. Указанные недостатки не позволяют использовать отмеченные составы в практических целях.

Техническим решением, наиболее близким к данному является сегнетоэлектрик

РЬ СгТаОв, синтезированный при высоком давлении (3).

Однако указанный сегнетоэлектрический материал имеет верхнюю точку

Кюри — 50 С и низкое значение диэлектрической проницаемости — 80.

Целью изобретения является увеличение диэлектрической проницаемости.

Указанная цель достигается тем, что известный сегнетоэлектрнческий керамический материал на основе Pb CrTa06 дополнительно содержит L40, причем состав материала, соответствует формуле

РЬгСг1 хТа1лхО„., где Х =0,03 — 0,05.

Для получения материала было приготовлено несколько смесей, содержащих

1О каждая, д. а) PbO 57, Сг20з 9; Та О5 27;

14СО, 7; b) PbO 59, Сг Оз 7, Таз05 30;

1 4СО, 4, с) PbO 59, Сг О, 9; ТазОв 30, 1 4СО, 2.

Каждую смесь тщательно перемешивали, подвергали обжигу по обычной херамической технологии, затем производили обжиг в условиях высокого давления от 30 до 40 кБр и температуре 700 — 1000 С. После снятия давления на образцы наносили

20 электропроводящую пасту и идентифицировали их на наличие сегнетоэлектрических свойств. В результате выполненных иссле, сванпй установлено, что во всех трех случаях образуется сегнетоэлектрический ма25 териал.

Значения диэлектрической проницаемости для состава с Х = 0,04 приведены в таблице, а частотная и температурная зависимости, диэлектрической проницаемости

ЗО соответственно на фиг. 1 и 2.

810641

Прототип

Предложенный материал

1500

/а

Па ам ь Точка КюРи, ДиэлектРическаЯ араметры С проницаемость — 50 ( выше+ 200

Формула изобретения

Сегнетоэлектрический керамический материал на основе Pb CrTaOq, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит Li>0, причем состав материала соответствует формуле:

5 Pb Cr i „Та1 1,,0е, где Х = 0,03 — 0,05.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

i0 1. Патент США № 3400072, кл. 252-629, 19б8.

2. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 10, 1359, 1974.

810641 юг. 2

Составитель Н. Соболева

Техред И. Пенчко

Корректор С. Файн

Редактор И. Квачадзе

Тнп. Харьк. фил. пред, «Патент»

Заказ 345/352 Изд. ¹ 226 Тираж 661 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )K-35, Раушская наб., д. 4/5