Способ измерения профиля концентра-ции носителей заряда b полупроводниках

Способ измерения профиля концентра-ции носителей заряда b полупроводниках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0П И(:АЯ И Е1п вШ28

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) дополнительное к авт свид-ву (22) Заявлено 02.04.79 (21) 2746007/18-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл.

G 01N 27/22 (43) Опубликовано 07.03.81. Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 07.03.81 (53) УДК, 621.382 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

О. Л. Колесник, В. И. Ефимов и С. Л. Криницкий (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ

НОСИТЕЛЕЯ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ГосУдаРственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для экспрессного измерения профиля концентрации носителей заряда в полупроводниках. 5

Известен способ измерения профиля концентрации носителей заряда в полупроводнике, основанный на измерении вольтфарадных характеристик с помощью трех ртутных контактов, образующих барьер 10

Шоттки на поверхности полупроводника (1).

Недостатком этого способа является его сложность, обусловленная необходимостью иметь три ртутных контакта к поверхности полупроводника.

Известен также способ измерения профиля концентрации носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерении вольтфарадных характеристик с помощью ртутного контакта к поверхности диэлектрика, нанесенного на поверхность полупроводника и удаляемого после измерений (2).

Недостатком этого способа является его сложность, обусловленная необходимостью создания тонкого диэлектрического слоя на поверхности полупроводника путем его окисления и связанная с этим недостаточная экспрессность измерений. 30

Целью изобретения является повышение экспрессности и упрощение способа.

Поставленная цель достигается тем, что перед измерением вольтфарадных характеристик на поверхность полупроводника наносят слой полимерного диэлектрического материала, полимеризующегося в нормальных условиях. Кроме того, на поверхность полупроводника наносят слой коллодия.

Пример. На поверхность полупроводника наносят кисточкой или окунанием коллодий в растворителе. После 5 — 10 мин просушки при комнатной температуре полученная структура типа диэлектрик-полупроводник приводится в контакт с ртутным контактом и измеряют вольтфарадную характеристику МДП структуры, по которой определяют профиль концентрации носителей заряда в полупроводнике. После измерений слой диэлектрика отделяют от полупроводника и удаляют.

Способ значительно сокращает время измерений профиля носителей заряда до 15—

25 мин и снижает трудозатраты.

Формула изобретения

1. Способ измерения профиля концентрации носителей заряда в полупроводниках, основанный на измерении вольтфарадных характеристик с помощью ртутного контакСоставитель Л. Смирнов

Техред О. Павлова

Корректор О. Тюрина

Редактор О. Филиппова

Заказ 359/18 Изд. № 185 Тираж 915 Подписное

НПО «Поиск» Государствепного комитета СССР по делам изобр.тоний и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4 5

Типография, нр. Сапунова, 2 ò1à К ПОВЕрХНоетн дИЭЛЕКтрИКа, НаНЕСЕННОГО па поверхность полупроводника и удаляемого после измерений, о т л и ч а:o шийся тем, что, с целью повышения экспрессности и упрощения способа, перед измерением вольтфарадных характеристик на поверхность полупроводника наносят слой полимерного диэлектрического материала, полимеризующегося в нормальных условиях.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на поверхность полупроводника наносят слой коллодия.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Пономарев В. А. Измерение концентра-. ции основных носителей заряда в эпитаксиальных пленках кремния, арсенида галлия и — и+ типа дифференциальным емкостным методом с тремя ртутными контактами. — «Электронная техника», сер, 3, «Полупроводниковые приборы», 19б8, вып. 3, 1р с. 88 — 95, 2, Cardwell М. 1., Peart R. F., «Electron

Lett», 9, № 4, P. 88 (1973),