Устройство для измерения электри-ческих параметров матричных электрон-ных элементов

Устройство для измерения электри-ческих параметров матричных электрон-ных элементов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

118И! 59

ИСАН И Е

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 27.10.77 (21) 2538191/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.03.81. Бюллетень № 9 (45) Дата опубликования описания 07,03 1 (51) М. Кл,з

6 01R 31/26

Государственный комитат (53) УДК 621.382.2 (088.8)

"© ®мзда

Ау по делам изобретений и открытий

I 4б °, (72) Авторы изобретения С. Н. Андреев, Е. В. )Келбакова, Н. В. Малютин и } .,-.А„Шу йин" /

Р i./ (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ МАТРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к технологии электрических испытаний полупроводниковых диодов и диодных матриц и может быть использовано, в частности, при измерении электрических параметров матрич- 5 ных электронных элементов.

Известны устройства (1) для измерения электрических параметров электронных элементов, состоящие из блока задания режима и измерительного прибора. Эти уст- 10 ройства не рассчитаны на измерение электрических параметров диодных матриц.

Ближайшим известным техническим решением является устройство (21 для изме- 15 рения электрических параметров диодных матриц, содержащее коммутаторы строк и столбцов, блок задания режима, измерительный прибор и блок управления. Однако оно не обеспечивает высокой точности 20 измерений, так как при измерении параметров матричных электронных элементов большой степени интеграции — диодных матриц — ток от блока задания режима разветвляется через измеряемый диод и через суммарное обратное сопротивление всех диодов невыбранных столбцов и невыбранных строк, в результате чего изменяется режим измерения и увеличивается погрешность измерения. 30

Целью настоящего изобретения является увеличение точности измерения, Поставленная цель достигается тем, что в устройство введен источник опорного напряжения, подключенный к невыбранным строкам матрицы через коммутатор.

На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 поясняется процесс измерения.

На схеме изображены объект контроля 1, коммутатор 2, блок задания режима 3, измерительный прибор 4, блок управления 5 и источник опорного напряжения 6.

Устройство работает следующим образом.

Блок управления 5 поочередно подключает через коммутатор 2 выбранный столбец и выбранную строку матрицы 1 к блоку задания режима 3 и измерительному прибору 4. Невыбранные строки подсоединяются к источнику опорного напряжения

6, полярность которого противоположна полярности напряжения на измеряемом диоде.

Величина опорного напряжения равна ожидаемому падению напряжения на измеряемом диоде. Блок задания режима 3 при измерении прямого падения напряжения на диоде матрицы 1 задает ток через измеряемый диод, а измерительный прибор 4 показывает значение прямого падения напря811159

Формула изобретения

47иг, Я

Составитель А. Пурцхванидзе

Техред Л. Куклина

Корректоры: Л. Орлова и Н. Федорова

Редлктор Б. Федотов

Заказ 222/6 Изд. № 172 Тираж 749 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 3(-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 жения на диоде. Подключение к невыбранным строкам матрицы 1 источника опорного напряжения 6 и выполнение условия /оп = — Л:ь где U<> — опорное напряжение;

UD — напряжение на диске, практически позволяет получить равенство токов 1 = 1 >, т. е. сохранить заданный режим измерения и получить меньшую погрешность измерения.

Устройство для измерения электрических параметров матричных электронных элементов; содержащее коммутаторы строк и столбцов, блок задания режима, измерительный прибор и блок управления, о тл ичающееся тем, что, с целью увеличения точности измерения, в устройство введен источник опорного напряжения, подключенный к невыбранным строкам матрицы через коммутатор.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1о 1. ГОСТ 18986-73. Полупроводниковые диоды. Методы и измерения электрических параметров.

2. Андреева Э. Методы и установка контроля статических параметров диодных мат15 риц, в сб. «Автоматизация измерений параметров полупроводниковых приборов», Рига, 1969, с. 25 (прототип).