Сверхвысокочастотный селективныйдатчик

Сверхвысокочастотный селективныйдатчик

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ оо813284 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 1З04.79 (21) 2752265/18-09 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет

Опубликовано 15,0 381.Бюллетень Мо 10

Дата опубликования описания 150 З81 (51)М. Кл э

G 01 и 21/09

Государственный комитет

СССР по делам..изобретений и открытий (53) УДК 62 1 З1 7 (088.8) веаС! Фч» .-:- / Ф

l3

11л",;-и "ус, A,Â. Вашковский, В.И., Зубков, В.Н. Кил и П.И. Кузнецов (72) Авторы изобретения

1

Ордена Трудового Красного Знамени институт-радиотехннки--и электроники AH СССР (71) Заявитель (54) CBEPXBblCOKOMACTOTHbIA СЕЛЕКТИВНЫЙ ДАТЧИК

Изобретение относится к технике

СВЧ и может использоваться при измерении и контроле параметров генератор— ных приборов и трактов для селек5 тивного детектирования, панорамной индикации мощности И измерения частоты.

Г

Известен сверхвысокочастотный селективный датчик „содержащий отрезок линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установлен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магцита, и полупроводниковый элемент (11.

Однако этот с в ерхвыс ок очаст от ный селективный датчик имеет ограниченный динамический диапазон и несовместим с планарными устройствами СВЧ.

Цель изобретения — расширение динамического диапазона.

Для достижения этой цели в сверхвысокочастот ном селективном датчике, содержащем отрезок линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установлен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магнита, и полупроводниковый элемент, ферритовый элемент выполнен в виде диска, а полупроводниковый элемент — в виде последовательно нанесен-ЗО ных на ферритовый диск металлической пленки, полупроводниковой пленки с р (или л) проводимостью, полупроводниковой пленки с и (или р) типом проводимости и металлической пленки, при этом ферритовый диск установлен на расстоянии, кратном половине длины рабочей волны от короткозамкнутого конца отрезка линии паредачи.

На чертеже приведена конструкция сверхвысокочастот ного селективного датчика, Сверхвысокочастотный селективный датчик содержит отрезок 1 линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установлен ферритовый диск 2, размещенный в поле постоянного магнита 3, и полупроводниковый элемент, выполненный в виде последовательно нанесенных на ферритовый диск 2 металлической пленки 4, полупроводниковой пленки 5 с р (или о) проводимостью, полупроводниковой пленки б с л (или p) проводимостью и металлической пленки 7, при этом ферритовый диск 2 установлен на расстоянии, кратном половине. длины рабочей волны от короткозамкнутого конца отрезка 1 линии передачн.

813284 формула изобретения

Составитель А, Кузнецов

Редактор С. Тимохина Техред М.Федорнак Корректор Г.Решетник

Тираж 732 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 765/55

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Сверхвысокочастотный селективный датчик работает следующим образом.

В ферритовом диске 2, намагниченном перпендикулярно к поверхности и расположенном в пучности СВЧ магнитного поля отрезка 1 линии передачи на

Ьаданной частоте сигнала 69 и при ве4J личине .магнитного поля ) + 1™о (где 3" — гиромагнитное отношение для электрона, 4 K Мп- намагниченность насыщения), возбуждается однородная 10 процессия намагниченности, компонента электрического поля которой детектируется распределенным р-и переходом, образованным полупроводниковыми пленками 5 и 6. 15

Сигнал с этого р-и перехода выводится на индикатор с помощью омичес- . ких контактов, образованных металлическими йленками 4 и 7, и подводящих проводов 8. 2а

Сверхвысокочастот ный селективный датчик выдерживает, не сгорая, мощность йе 30 рБ большую, чем известное устрой ство и вследствие точто Фн 1рдтоит "ç протяженных 25

I слоев феррьф@,и полупроводника легко совмещается с планарными устройстваMH СВЧ.

Сверхвыс оночас тот ный сел ектив ный датчик, содержащий отрезок линии передачи, короткозамкнутый на одном конце, внутри которого установлен ферритовый элемент, размещенный в поле постоянного магнита, и полупроводниковый элемент, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона, ферритовый элемент выполнен в виде диска, а полупроводниковый элемент — в виде последовательно нанесенных на ферритовый диск металлической пленки, полупроводниковой пленки с р (или n) проводимостью, полупроводниковой пленки с и (или р) типом проводимости и металлической пленки, при этом ферритовый диск установлен на расстоянии, кратном половине длины рабочей волны от короткозамкнутого конца отрезка линии передачи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Богданов Г.Б. Основы теории и применения ферритов в технике измерений и контроля, М., "Сов. радио", 1967, 5 1Х. 3, с. 340-343 (прототип)