Газораспределительное устройстводля многозонных аппаратов спсевдоожиженным слоем

Газораспределительное устройстводля многозонных аппаратов спсевдоожиженным слоем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-еу— E (22) Заявлено 20Л379 (23) 2738852/22-02 (51)M. КЛ с присоединением заявки Йо

F 27 В 15/02

Государствеииый комитет

СССР оо деяам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 300 81.бюллетень М

Дата опубликования описания 300381 (53) УДК 669.181 ° .002.5(088,8) (72) Авторы

В.Д. Вижа нский, В. A,Шурхал Покотило овченко

Е,П. «Л Л I Îë (54} ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

ДЛЯ МНОГОЗОННЫХ AIIIIAPATOB

С ПСЕВДООХ(ИЖЕННЫМ СЛОЕМ

Изобретение относится к обработке дисперсных материалов в псевдоожиженном (кипящем) слое, в частности к восстановлению рудных материалов .

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является гаэораспределительное устройство для многозонных аппаратов с псевдоожиженным слоем, .содержащее решетку в виде усеченного конуса с боковыми отверстиями, закрепленную в боковых стенках аппарата с помощью опорного фланца Г13 .

Однако известное устройство не исключает забивания отверстий решет- 15 ки снизу подрешеточным материалом, требуется поддержание:на заданном уровне высоты слоя материала под решеткой и регулирование схода (перетока) материала иэ одной зоны в дру- 20 гую.

Цель изобретения - обеспечение стабильной работы устройства.

Укаэанная цель достигается тем, что устройство снабжено расширяющим- 25 ся книзу патрубком, закрепленным к нижнему меньшему основанию решетки, длина которого равна 0,32-1,6 периметра меньшего основания решетки, отношение площади сечения меньшего 39 основания решетки к суммарной площа" ди сечений боковых отверстий решетки равно 0,07-1,6, а отношение площади сечения меньшего основания решетки к площади сечения ее большего основания равно 0,0025-0,065.

На чертеже изображено предлагаемое устройств о.

Выпуклая книзу произвольной, преимущественно конусообразной форьы, решетка 1 при помощи опорного фланца 2 прикреплена к стенке 3 многозонного аппарата с псевдоожиженным слоем материала. К нижнему срезу решетки жестко прикреплен патрубок 4. На решетке и под нижним срезом прикрепленого к ней патрубка находится обрабатываемый материал в псевдоожиженном состоянии °

Отношение длины ? патрубка 4 к длине периметра L„ меньшего основания решетки выбрайо по результатам исследований, проведенных на лабораторной установке, исходя иэ условия, что при равенстве скоростей загрузки материалов в аппарат и выгрузки era иэ аппарата высота слоя материала под решеткой поддерживается на заданном уровне, выбранном по технологическим требованиям,и при этом не

817456 происходит э абйв ание отв ерстий в боковой поверхности решетки материалом подрешеточного слоя, т.е. дости-, гается устойчивая работа многоэонного аппарата„Опыты проводили íà ласобой холодную модель многозонного аппарата с псевдоожиженным слоем материала внутренним диаметром 56 мм.

В табл. 1 приведены результаты исследований, проведенных на лабораторбораторной установке, представляющей ной установке.

Т а блица 1

4»

В Опыт

Характеристика поведения материала подрешеточного слоя и пе- реток а (выгрузки) материала из одной эоны в другую

1 0,0 60 0

40ро

2 0,16

Материал находится на уровне нижнего среза патрубка. Всплески достигают боковой поверхности решетки,Картина повторяется как и в опыте 1, но за более продолжительный промежуток времени, 1 0 0

Материал находится на уровне нижнего ср еэ а и атруб ка . Шапки появляются редко и тут же сб иваются очередными всплесками.

Материал удовлетворительно перетекает из одной зоны в другую.

0,32

0,51

Материал находится на уровне нижнего среза патрубка. Материал хорошо перетекает из одной зоны в другую.

To Re

5 1,60

6 1 61 0 . Кострение материала, нарушение равномерности перетока через патрубок 4. о

Выбор соотношений площади сече- иэ одной зоны в другую в результате ния центрального отверстия решетки кострения частиц в патрубке.

S к суммарной площади сечения бо- При 8,„: ZS+- ольше 1,6 нарушаетковых отверстий решетки XSp и к пло- 55 ся однородность и устойчивость псевщади верхнего среза решетки 8 в ука- доожижения материала и возникает так занных выше пределах обусловлен необ- называемое центральное кипение, ходимостью поддержания устойчивого при. котором у боковых станок адцараоднородного ожижения надрешеточного та образуется кольцо, неподвижного материала с одновременной равномер- щ материала, который постепенно слежиной его выгрузкой через центральное вается,а в высокотемпературном проотверстие решетки с заданной скорос- цессе спекается. Выбор предела в сотью, отношении S : й8g произведен по реПри 8 . а8а . меньше 0. 07 наруша- зультагам экспериментальных исследоется равйомерность схода материала gg ваний, приведенных в табл. 2.

Отношение длины пат рубка(1 ) к перимет ру центра льного от в ерстия решетки (L„) оличество боковых отверстий решетки, покрываемых шапками из частиц материала,%

В нижней зоне многозонного аппарата материал держится на уровне нижнего среза решетки. Всплески материала достигают боковой поверхности решеток. Боковые отв ерстия покрывают шапками, состоявшими -из конгломератов частиц материала. Со временем они покрывают большую часть боковых отверстий. Сход материала через центральное отверстие прекращается.

817456

Таблица 2

Опыт

Бц . X Б

Характеристика ожижения и выгрузки материала

Выгрузка материала иэ одной зоны в другую затруднена из-эа кострения частиц в патрубке.

0,06

0,07

Ожижение материала однородное, выгрузка материала из одной зоны в другую свободная

0,20

То же

0,72

«!!»

1,00

1,60

1,78

Выгрузка материала протекает нормально, ожижение неоднородное.

Выгрузка материала. нормальная. Наблюдалось центральное кипение материала с образованием по периферии решетки кольца неподвижного материала.

2,28

Для устойчивой работы многозонного аппарата с псевдоожиженным слоем, необходимо, чтобы отношение площади меньшего основания решетки к площади ее большегр основания было

0!0025 » (Б,„! Я . 0 065.

В табл. 3 приведена характерис- тика охлаждения материала в зависимости от отношения Б .Б .

Разораспределительное устройст- 4Q во обеспечивает однородное псевдоожижение. .материала без покрытия боковых

Таблица 3

Характеристика ожижения матери- . ала на решетке

Опыт

Наблюдается залегание материала над центральным отверстием Ожижение материала однородное

То же. 0,0720

Неоднородное ожижение .материала

Центральное кипение .материала

О, 0921

0 0020

0 0028

0 0079

0,0318

0,0538 отверстий решетки конгломератом частиц, позволяет выдерживать заданный уровень подрешеточного слоя материала и равномерное перетекание материала из одной зоны в другую без частичного охлаждения материала. устройство позволяет производить быструю выгрузку материала при вы— нужденных остановках многоэонного аппарата с псевдоожиженнйм слоем, . ,предотвращая слеживание материала .и его спекание в высокотемпературных процессах.

817 456

Формула изобретения

Составитель С.Ягодинец,Редактор A Мотыль Техред Н,Майорош Корректор Г.назарова

Заказ 1311/52 Тираж 658 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Про ктная, 4

1. Газораспределительное устройство для многозонных аппаратов с псевдоожиженным слоем, содержащее решетку s .виде усеченного конуса с боковыми отверстиями, закрепленную в боковых стенках аппарата с помощью опорного фланца, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что с целью стабильной работы устройства, оно снабжено расширяющимся книзу патрубком, закрепленным к нижнему меньшему основанию ре.шетки, длина которого равна 0,32,1,6 периметра меньшего основания ре.шетки.

2. Устройство по п. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что отношение площади сечения меньшего основания решетки к суммарной площади сечений боковых отверстий решетки равно 0,071,6, 5 3. Устройство по и, 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, чт6 отношение площади сечения меньшего основания решетки к площади сечения ее большего основания равно 0,0025-0,065 °

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент CtIIA 9 3370361, кл. 3457, 1977.