Резистивный материал на основетитаната бария для изготовлениятерморезисторов

Резистивный материал на основетитаната бария для изготовлениятерморезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Саюэ Советских

Социалистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ

<»>817758

-,O (63) Дополнительное к авт. саид-ву(22) Заявлено 300б78 (2! ) 2634952/18-21 с присоединением заявки Йо(53)М. Кл.

Н 01 С 7/02

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) ПриоритетОпубликовано 3003.81.Áþëëâòåíü т4Я 12 (53) УДК ббб.б38 (088.8) Дата опубликования описания 300381

Б. Б.Лейкина, Г.Н.Текстер-Проскуряксва и И.Т. ефтелв .

С (72) Авторы изобретения

"1 (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ

THTAHATA БАРИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ТЕРИОРЕЭИСТОРОВ!

Изобретение относится к техноло" гии изготовления терморезисторов с .положительным температурным коэффици" ентом сопротивления (ТКС).

Известен полупроводниковый резистивный материал для изготовления терморезисторов (1).

Недостатком известного резистивного материала является высокая температура разогрева при работе .с на- 10 пряжением 220 В.

Наиболее близким по технической сущности является резистивный материал на основе титаната бария для изготовления терморезисторов, содер- $5 жащий твердый раствор BaTiO>-А@О, . где A — Sr; Q — Sn, Zr,Hf, Ge,ëåãè-рованный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окисЬ мар" ганца (2). 20

Недостатком известного резистивного материала является ограничение величины рабочего напряжения и нестабильность параметров термореэисто-,.25 ров эа счет перегрева в рабочем режиме.

Цель изобретения — повышение стабильности сопротивления терморезистора. ЗО

Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал на основе титаната бария для изготовления терморезисторов, содержащий твердый раствор ВаТ1О -АЯО, где A — Sr, РЬ1 Я вЂ”

Sn, Zr, Hf Ge легированный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окись марганца, дополнительно содержит окись кальция и двуокись . титана при следующем соотношении компонентов, вес.В:

ВаО 35,000-54,000

AO 0,100-20,000

Яо 0,100-20,000

У103 . 0,010 2 500

Бз.О 0,100- 2,000

А12ОЪ 0,100- 3,480

ИпО 0,010- 0,100

СаО 0,100- 10,000

ТзО 21,000-31,400

Технологический процесс получения резистивного материала состоит в следующем.

Смешивают мокрым способом в необходимой пропорции соли и окислы соответствующих металлов, например титанилоксалатов бария, стронция, кальция, азотнокислый иттрий, гидрат окиси алюминия. Шихту сушат при 100-120 С в течение 2-4 ч, затем прокаливают

817758

Формула изобретения

Составитель Т.Баранова

Редактор Н.Кешеля Техред Н.Майорош Корректор М.Коста

Заказ 1476/67 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

nd делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП "Патент", r.Óæãoðîä, ул.Проектная, 4 на воздухе при 1000-1200 С в течение

1-5 ч. После прокалки в порошок добавляют окись (или соли) марганца и подвергают помолу. Иэ полученного порошка иэгЬтавливают образцы необходи-< мой формы и размера, которые обжигаются в окислительной атмосфере при

1350-1400 С в течение 1-3 ч.

На оснОве предлагаемого резистивного материала могут быть созданы резисторы на рабочее напряжение

500 В и более, причем резисторы при напряжении 250 В разогреваются до темпераТуры не выше 150 С. Максимальная мощность рассеяния — 1,2 Вт °

Резистивный материал на основе титаната бария для изготовления терморезисторов, содержащий твердый 20 раствор BaTiO> AQ03, где A-Sr,Ph;

Я-Яп, Zr, Hf, Ge, легированный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окись марганца, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления терморезистора, он дополнительно содержит окись кальция и двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

ВаО 35,000 -54,000

АО 0,100-20,000

ЯО: 0,100-20,000 фЗ 0,010-2,500

Яз 02 0,100-2,000

А1 0з 0,100-3,480

MnO 0,010-0,100

СаО 0,100-10,000

TiOy 21,000-31,400

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

9 557678, кл. H 01 С 7/02, 02.06 ° 75.

2. Патент Франции Р 2287758, кл. Н 01 С 7/02, 24.06.76 (прототип) .