Пассивный модулятор добротности резонатора лазера
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 11 818423
Союз Советских
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.08.79 (21) 2828624/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51) АА К з
Н 01S 3/11
Государственный комитет
Опубликовано 07.05.82. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 07.05.82 (53) УДК 621.375.8 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения В. М. Хулугуров, Б. Д. Лобанов, В. А. Чепурной, Ю. М. Титов, Н. А. Иванов и И. А. Парфианович
Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете
41д; тч;т" >(54) пАссиВный ИОдулятОР ДОБРО 14тстзфтВ:;ри .; -
РЕЗОНАТОРА ЛАЗЕРА
ВИЙЛИ0
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к пассивным модуляторам добротности резонаторов лазеров, и может быть использовано при получении частотно-периодических режимов 5 лазерного излучения.
Известен пассивный модулятор добротности из стекол с примесными ионами, например КС-19 с примесью уранила (1).
Недостатками такого пассивного модуля- lo тора являются его низкие оптическая прочность и фототермическая устойчивость, вследствие чего он быстро разрушается, а также не может работать в частотно-периодическом режиме излучения с частотой вы- 15 ше 05 Гц.
Известен пассивный модулятор добротности резонатора лазера на основе раствора органического красителя (2).
Недостатком такого модулятора является 20
его низкая фототермическая устойчивость, вследствие чего он недолговечен и не может работать в частотном режиме без принудительной прокачки. Применение прокачки значительно усложняет конструкцию моду- 25 лятора и ухудшает его эксплуатацию.
Наиболее близким по технической сущности к данному изобретению является пассивный модулятор резонатора лазера на основе органического красителя — броми- з0 рованный фталоцианин металла, растворенный в бромистом аммонии (3). Для частичного повышения фототермической и фотохимической стабильности пассивного модулятора в состав растворителя введен галоидалкил, например бромистый метил. Раствор находится в стеклянной или кварцевой кювете с параллельными плоскими окнами, которая помещена между 100% зеркалом и головкой осветителя лазерного активного элемента.
Пассивный модулятор пропускает 20% на длине волны лазерного излучения (Х =
= 1,06 мкм).
Несмотря на введение в раствор модулятора дополнительного стабилизирующего вещества — галоидалкила, затвор меняет свои свойства в течении 240. ч (без введения добавки — в течении 2,5 ч). Кроме того раствор не способен работать в частотном режиме с частотой выше 0,1 — 0,5 Гц.
Целью изобретения является повышение фототермической и фотохимической устойчивости пассивного модулятора добротности резонатора лазера.
Цель достигается тем, что в пассивном модуляторе добротности резонатора лазера на основе среды, содержащей поглощающие центры, среда пассивного модулятора добротности выполнена из кристалла
818423
Сб м эм ам о э о
Ю о,,О
tg m э а а.
o»m - o э о о и \э
cd са о д - э э
cd
2 сб э
@ -д о (<о м
cd m М
ы ао о дэ с
v v
mo х
cd
&»
2 м(3
m o.—
v mA о
cd
cd а э «О
m m э к
<о аэо
2 и.> э д
С0
И а -» х
cd
z о о
=o«
cd
yvэ
«m o. э О
° ( м х ю
Ф
oc+ о а
1,, с о
2 mv
Одэ
cd с» и д э
t«o
-Н .Н -Н о oo э m
И э " о эО а,g а>,а ч о м %co о о
2 <.Н
О О
+I 1 -И
td а э
1 (:> о щ о
Н cq сч о э «Ж
2om
m Io ао
m v э э
CD иЪ
С>
-Н
cD
cD со .Н
-Н .Н э
v о э
cd»о
2 о
v о
cd O
X а
И э
v Я
v а и д
0 о
2 м д
v о с
2 о э
cd Э аэ о о к
1 ъ э ь ь(O cd
2 m д ц» 2 э э О (m д к а< ь(» cd
_#_ х х а д О
Б х д с» о, о, эа э 1 и м ао а5 o
М к аvg
o, 2
<о
% 2х
m э
О v
Щ м, о
1"-.
>Ъ ь о
Р» И»
Л Л
+ч
Р» М» (т, Л
2
Ю « о
2 и м о
o g о
4 о
» аБ
>ж ф
2 о ю ь(о о
Д.«о а о эЯ о э
f»
cd O а
v М
О э
+ v
3 фтористого лития, содержащего F>+ центры окраски или lz центры окраски, или & и
1 — центры окраски одновременно.
Центры окраски в пассивном модуляторе добротности резонатора лазера, среда которого выполнена из кристалла фтористого лития, созданы путем облучения ионизирующим излучением (-лучи, рентгеновские лучи, релятивистские электроны, нейтроны).
Пассивные модуляторы из фтористого лития с центрами окраски выполнены в форме параллелепипеда размерами 39 10 10, 26 13 13 и 30.10 10 мм . Рабочими поверхностями являются взаимопротивоположные грани параллелепипеда, которые полируются до достижения цвета (степень плоскостности поверхности) не более 1 кольца и непараллельности граней порядка lu — lо угловых секунд. Пассивные модуляторы дооротности располагаются в лазерном резонаторе между 1U0% зеркалом и лазерной головкой осветителя с активным элементом.
Начальное пропускание модулятора на длине волны лазерного излучения находится в пределах 10 — 90%. Оптимальное значение пропускания зависит от конструкции лазера и подбирается экспериментально, Монокристаллы пассивного модулятора добротности облучают различными дозами ионизирующего излучения (10 — 10 рентген) и имеют начальное пропускание 95—
100io.
Испытания работы модуляторов из монокристаллов фторида лития, содержащих
F +, F или Fä+ и F> — центры окраски, проводятся в резонаторах лазеров на рубине, на алюмоиттриевом гранате (АИГ) с 1Ч11 + и на <рос<ратном стекле с lid +. Измерения энергии импульсов генерации производятся с помощью измерителя энергии лазерного излучения ИК1 -1Н. Длительность импульсов излучения измеряется с помощью коаксиального фотоэлемента ФЗК-09 и осциллографов С1-(5 и И2- /. Испытания модуляторов во всех случаях проводятся при комнатной температуре без всякого специального охлаждения.
Основные рабочие характеристики пассивных модуляторов добротности резонатора лазера из монокристаллов фторида лития с центрами окраски приведены в таблице.
Пассивные модуляторы добротности из монокристалла фтористого лития с F>+ центрами окраски испытывают на стабильность в резонаторе рубинового лазера.
Наработка модулятора в процессе испытания составляет 10 импульсов, при этом не обнаружено ухудшения его модуляционных характеристик. Модулятор устойчиво работает при комнатной температуре в режиме с частотой повторения 2 Гц.
Монокристаллы фтористого лития с Р + центрами окраски испытывают на стабильность в резонаторе неодимового лазера
65 м
1» э
X а (cd
М д
И
Ж к о
Ю о
1 э
2 а а э
f» м э ь
1, р э х
+сч э
Ы (ъ о д 1 э и о а о
cd
0 х
cd л а о
О м ь(э о а э о о
o "m о
О э О о и о
Зо а « о (к
Е»
»Е о о
2 о са
2 а э »
818428
Формула изобретения
Составитель E. Куприянова
Редактор П. Горькова Текред А. Камышникова Корректор E. Хмелева
Заказ 711/17 Изд. М 1 50 Тираж 629 Подписное
НПО «Поиск» Го.ударственпого комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 (Хрен 1 >06 мкм) . Модулятор из фтористого лития с F> — центрами окраски устойчиво работает при комнатной температуре в режиме с частотой повторения 50 Гц. Общая наработка одного из модуляторов ссотавля- 5 ет 2 10 импульсов, при этом его модуляционные характеристики практически не изменяются.
Абсорбционные измерения показывают, что практически абсорбционные характери- 10 стики рабочих центров пассивных модуляторов добротности в процессе длительного хранения не изменяются.
Таким образом, пассивные модуляторы добротности резонатора лазера, среда кото- 15 рых выполнена из монокристаллов фтористого лития, содержащих Гв+ центры окраски или Р— центры окраски, или Р2+ и F2— центры окраски одновременно, обладают стабильностью в процессе длительного хра- 20 нения и эксплуатации по сравнению с известными пассивными модуляторами добротности, позволяют формировать гигантские импульсы с большой частотой повторения без применения устройств для принуди- 25 тельного охлаждения модулятора, нетоксичны, дешевы и просты в изготовлении.
Пассивный модулятор добротности резонатора лазера на основе среды, содержащей поглощающие центры, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения фототермической и фотохимической устойчивости, среда пассивного модулятора добротности выполнена из кристалла фтористого лития, содержащего F>+ центры окраски или F2 центры окраски, или F2+ и F центры окраски одновременно.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Smith W. V. and Sorokin P. P. Laser
М. С. Gsaw — Hill, N. 1. 1966, р. 125.
2. Авторское свидетельство СССР
Хо 304654, кл. Н 01$3/11, 1971.
3. Авторское свидетельство СССР
Ко 332789, кл. Н 01S 3/11, 1969 (прототип).