Устройство для моделирования температурныхрежимов гибридных микросхем

Устройство для моделирования температурныхрежимов гибридных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

„„819812

Союз Советскнх Соцналнстичесннх

Реслублнн (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.03;76 (21) 2328990/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М.К .з

G06 G7/56.Гасударственный келитет

СССР

Опубликовано 07.04.81. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 17.04.81 (53) УДК 681.333 (088.8) ае делан иаееретеиий и атхрнтий (72) Автор изобретения

А. А. Попов (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ТЕМПЕРАТУРНЫХ

РЕЖИМОВ ГИБРИДНЫХ МИКРОСХЕМ

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для определения температурных режимов элементов гибридных микросхем.

Известно устройство для определения температур элементов микросхем, испбльзующее методы физического моделирования (1) .

Недостатком этого устройства является низкая точность.

Наиболее близким к изобретению является устройство, содержащее чувствительный и нагревательный элементы, выполненные в виде транзистора и резистора (2).

К недостатку этого устройства следует также отнести низкую точность.

Целью изобретения является повышение точности моделирования температурных режимов гибридных микросхем. 15

Это достигается тем, что в устройстве, содержащем герметичный корпус с выводами и транзисторы, базы транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллекторы транзисторов подключены к одному из выводов корпуса, эмиттер каждого транзис- тора соединен с соответствующим выводом корпуса.

На фиг. 1 изображена схема устройства; на фиг. 2 — коммутационная подложка, установленная в корпуса (крышка корпуса условно снята).

Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, которые являются одновременно источником тепла и датчиком их температуры и включены по схеме с общей базой.

Коллекторы 2 транзисторов объединены в одну точку и выведены на вывод 3 для подключения источника питания, базы 4 транзисторов тоже объединены и через вывод 5 выведены на землю. Эмиттеры 6 каждого транзистора подключены к отдельным выводам корпуса 7, обеспечивая тем самым возможность устанавливать режим разогрева и измерения температуры каждого транзистора отдельно.

Вся коммутация производится, пленочными проводниками, нанесенными на коммутирующую подложку 8, которая установлена в корпус микросхемы.

Моделирование теплового режима исследуемых гибридных микросхем производится установкой транзисторов в точки тепловыделения и пропусканием через них разогревающего тока, а их температура определяется по изменению теплозависимого параметра Vea

819812

Составитель И. Загорбинина

Техред А. Бойкас Корректор Г. Решетник

Тираж 745 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор А. Бер

Заказ 1332/28

Количество транзисторов на подложке равно количеству тепловыделяющих источников и может меняться в зависимости от исследуемой схемы. Измерение температуры может производиться в условиях герметично закрытого корпуса микросхемы.

Принципиальная электрическая схема устройства предусматривает подключение к эмиттеру каждого транзистора отдельного генератора разогревающего тока и не зависит от электрической схемы моделируемого устройства.

Изобретение значительно повышает точность моделирования, так как моделируется тепловой режим внутри герметичного кори са.

У

Формула изобретения

Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем, содержащее герметичный корпус с выводами и транзисторы, отличающееся тем, что, с целью повышения точности устройства, в нем базы транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, коллекторы транзисторов подключены к одному из выводов корпуса эмиттер каждого транзистора соединен с соответствующим выводом корпуса.

Источники информации, 1О принятые во внимание при экспертизе

1. Guntlow V. T. Thermal design and

packaging of hybrid integrated circuits

«Electronic Components» 1969, № 9, р. 1046.

2. Авторское свидетельство СССР № 432541, кл. G 06 G 7/56, 1974 (прототип).