Терморезистор

Терморезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(11)

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Соеетсккк

Социал ксткческкк

Респубпик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 26.09.78 (21) 2667201/18-21 (51) M. Кл.з

Н Ol С 7/04 с присоединением заявки №вЂ”

Гоеудлрствекиык кенитет

СССР. ао делан изебретекий и открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 07.04.81. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 17.04.81 (53) УДК 621.316..8 (088.8) о

А. М. Андриеш и В. В. Пономарь

Институт прикладной физики АН Молдавской СССс (72) Авторы изобретения

I ! (71) Заявитель

/ (54) ТЕРМОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к полупроводниковой технике и используется при изготовлении терморезисторов из халькогенидных полупроводниковых материалов.

Наиболее близок к предлагаемому терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент (1 ) .

Одним из существенных недостатков применения полупроводниковых кристаллов в качестве рабочего тела терморезистора является значительный разброс параметров термор "зисторов, обусловленный влиянием неконтролируемой примеси на величину электропроводности и энергии активации.

Цель изобретения — улучшение параметров терморезистора — достигается тем, что в терморезисторе, содержащем полупроводниковый термочувствительный элемент, в качестве термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стеклообразном состоянии в защитной стеклян-. ной оболочке. 20

Рентгеноструктурные исследования показали, что материал сердцевины волокон диаметром 10 — 600 мкм находится в стеклообразном состоянии, никаких кристаллических включений в полученных волокнах не обнаружено. Электропроводность волокон с сердцевиной из Sb@eq лежит в пределах (1 — 10) 10 4 Ом см . С уменьшением температуры электропроводность уменьшается по экспоненциальному закону, причем энергия активации равна 0,6 эВ.

Для изготовления терморезисторов непрерывные волокна из халькогенидных полупроводниковых материалов в защитной оболочке нарезают на отрезки необходимой длины (5 — 15 мм) и к концам волокна по обычной технологии (например, с помощью токопроводящего клея) . подсоединяют выводные контактные концы.

Пример. Непрерывные волокна с сердцевиной из ЬЬфеа и оболочкой из молибденового стекла диаметром 100 мкм нарезали на отрезки длиной 8 мм, протравили концы (по 2 мм) защитной стеклянной оболочкой в 60 %-ном растворе плавиковой кислоты и к концам волокна подсоединили с помощью акводага выводы из медной проволоки.

Полученные таким образом терморезисторы имели параметры: габаритные размеры: диа8!9825

Формула изобретения

Составитель Т. Баранова

Редактор Б. Федотов Техред А. Бойкас Корректор Ю. Макаренко

Заказ 1183/29 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4 метр 20 †6 мкм, длина 2 — 15 ; сопротивление при 20 С вЂ” 10а — 5 10з Ома; температурный коэффициент сопряжения в процентах на 1 С с(а 5.0 — 6,5; постоянная в (К), характеризующая температурную чувствительность термосопротивления, 4500 — 6500; максимально допустимая температура 250 С.

При использовании волокна для изготовления терморезисторов значительно упрощается технология изготовления рабочего тела терморезистора, получаемое рабочее

1О тело сразу имеет защитную оболочку. Благодаря существенному упрощению технологии изготовления рабочего тела терморезисторов, исключению из технологического процесса различных методов предвари- 15 тельной обработки материалов, используемых в качестве рабочего тела, проведению процесса вытяжки волокон в вакууме или в нейтральной атмосфере повышаются стабильность состава и стабильность работы терморезистора, исключается влияние неконтролируемой примеси на его параметры; благодаря отсутствию халькогенидных стеклообразных полупроводников примесной проводимости повышается радиационная стойкость, что обеспечивается высокой радиационной стойкостью стеклообразных полупроводников.

Терморезистор, содержащий полупроводниковый термочувствительный элемент, отличаюи4ийся тем, что, с целью улучшения параметров терморезистора, в качестве полупроводникового термочувствительного элемента используют волокна из халькогенидного полупроводникового материала в стеклообразном состоя. 1ии в защитной стеклянной оболочке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Кот М. В., Шутов С. Д. Высокотемпературные сопротивления из трехселенистой сурьмы, Экспресс-информация Кишинев, 1962, (прототип).