Оптико-электронный преобразователь с памятью

Оптико-электронный преобразователь с памятью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Применение интегральных микросхем памяти динамического типа, выполненных по f^-МОП технологии, в качестве оптико-электронного преобразователя с памятью.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК, (19) (111 (51)4 С 11 С 13/04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

Н ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2802300/18-24 (22) 26.07. 79 (46) 15.08.87. Бкл. N - 30 (71) Физический институт им.П.Н.Лебедева (72) В.В.Квашнин, А.И.Кузнецов, А.А.Малютин,.В.И.Пелипенко, А.Н.филиппов и С.M.Øïóãà (53) 681.327.66 (088.8) (56) Секен К., Томпсет М."Приборы с переносом заряда", 1978, М., "Мир", с. 156. (54) ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЙ ПР@ЭБРАЗОВАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ. (57) Применение интегральных микросхем памяти динамического типа, выполненных по «1 -МОП технологии, в качестве оптико-электронного преобразователя с памятью.

1 2 ячейка памяти состоит из нескольких (2-х или 3-х) МОП транзисторов. На емкости затвора одного из транзисторов осуществляется запоминание информаций, другие транзисторы служат для органиэации, считывания и записи информации.

По старому назначению работа происходит следующим образом. В исходном состоянии емкости затвора ячеек памяти заряжены или разряжены, что соответствует определенной информации, записанной в ОЗУ. С течением времени заряженные емкости постепенно разряжаются; поэтому для правильного хранения информации необходимо периодически производить регенерацию (восстановление) содержимого каждой ячейки. Период регенерации составляет 2 мс. В промежутках между регенерациями может производиться запись и считывание информации из ячеек памяти. Доступ к ячейкам памяти — произвольный.

По новому назначению работа осуществляется следующим образом. В исходном состоянии все емкости затворов заряжены. Если в период времени между регенерациями ячейка памяти подвергается воздействию со стороны внешнего источника излучения, например источника света, то происходит ускорение разряда емкости затвора.

Если количество энергии, полученное ячейкой, превышает некоторое пороговое значение, то в процессе очередной регенерации (ТЗ) емкость этой ячейки воспринимается, как разряженная. Таким образом, после регенерации в ячейках памяти, подвергшихся облучению, находится информация, соответствующая разряженному состоянию емкости затвора, в остальных ячейках памяти остается прежняя информация (соответствующая заряженному состоянию емкости) .

Эксперименты показали, что:

1) чувствительность ячеек кристаллов к световому излучению в видимом диапазоне длин волн на единицу площади составляет величину .порядка10 з Дж/мм .

2) разброс чувствительности ячеек одного кристалла в видимом диапазоне длинн волн является незначитЕльным.

1 82268

Изобретение относится к области электронных устройств, чувствительных к излучению, а именно к полупроводниковым устройствам, содержащим большое количество однотипных элементов, воспринимающих и запоминающих излучение.

Известны оптико-электронные преобразователи, выполненные на приборах с переносом заряда и представляющие собой матрицы однотипных фотоприемных элементов, объединенных каналами считывания информации.

Общий недостаток;.присущий этим устройствам, состоит в том, что они предназначены в .основном для преобразования излучения в электрическую информацию без запоминания, поэтому они не могут использоваться для непосредственного управления работой электронной системы с помощью излучения.

Другим недостатком известных устройств является то, что в них обес- 25 печивается последовательный доступ к ячейкам матрицы приемников излучения. Это означает, что потребуется . значительное время для передачи информации из преобразователя в память ЗО

ЭВМ.

Предлагается в качестве оптико- электронного преобразователя с памятью использовать интегральные мик-росхемы памяти динамического типа, выполненные по -МОП технологии.

Обычно интегральные микросхемы памяти динамического типа (например микросхемы 565РУ1) используются для построения оперативных запоминающих 4б устройств, входящих в состав ЭВМ, или автономных устройств. Управление микросхемой при этом осуществляется посредством электрических сигналов.

ИнтегРальные микРосхемы памяти 45 динамического типа представляют собой. набор ячеек памяти, каждая из которых служит для хранения одного бита информации, со схемами адресации и управления записью, регенерацией и счи-! тыванием информации, выполненными на одной подложке. Ячейки памяти расположены на подложке в виде матрицы..

Количество ячеек, например в микросхеме 565РУ1, составляет 4096. Размер подложки примерно 4х4 мп. Каждая

ВНИИПИ Заказ 3612/2

Производств.-полиграф. пред-е, г.

Тираж 589 Подписное

Ужгород, ул. Проектная, 4