Способ изготовления запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах

Способ изготовления запоминающего устройствана цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(iu824309

Союз Советск и к

Социапистическик

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61 ) Допол н и тел ьное к а вт. с вид-ву—

3 (22) Заявлено 1 1,06.7p (21) 2801725/18-24 (Q) ) Я. Кл.

Q 11 С 11/14 с присоединением заявки РЙ— (23) Приоритет

3Ъвудврстваииый камитвт

СССР ио делан изобретений и открытий (53) УДК681.327..6 6 (088. 8) Опубликовано 23 04.81. Бюллетень М 15

Дата опубликования описания 25.04.81 (72) Авторы изобретения

Е. П. Паринов и Г. К. Чиркин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

QON ЕНАХ!

Изобретение относится к вычисЛитель ной технике и может бйть использовано при создании тверцотельных накопителей информации на цилиндрических магнитных . доменах (UMg).

Известен способ изготовления запоми3 нающего устройства (ЗУ) íà UMQ, ос-"

3 1 кованный на нанесении на магнитооцноос- ную пленку раэцелительного слоя циэлекФрика и слоя немагнитного ь еталла. После провецения фотолитографии металлическая

t0 пленка уцаляется методом травления в соответствии с рисунком маски, в результате чего остаются только токовые.проводники (11.

Оцнако наличие токовых провоцннков

И приводит к образованию рельефа при на-. несении послецуюших пленочных слоевциэлектрика и пермаллоя, что снижает нацежность работы устройств на OMQ.

Наиболее близким к прецлагаемому цо технической сущности является способ йзготовления ЗУ. на БМД, основанный на послецовательном нанесении на мацщуо/ оцноосную пленку слоя из немагнитного металла, слоя диэлектрика и ферромагнитного слоя и формировании токопровошещих шин и управлякацих. аппликаций В известном способе после формирования методом травления рисунка гоиовых проводников напыляют пленку диэлектрикаокиси кремния, не снимая резиста с проводников. Толщина наносимой пленки . диэлектрика делается равной толщине слоя токовых провоцииков, либо. несколько меньшей — в прецелах, при которых не ухудшается цоменопроцвижение, но оказывается достаточным цля нровецения операции точного совмещения при фотолитографии по слою пермаллоя. После тцаления с поверхности токовых провод нико5 циэлектрика вместе с .реэистом: последующие операции и применяемые материалы нв отличаются от общепринятых в технике UMQ устройств. В известном способе устранена рельефность слоев и вызванное ею снижение надежности функционирования t2).

824309 4 м устройстве. Кроме того, увеличенная во много раз плошадь балластной части шин эффективно выполняет роль радиатора, отводящего тепло от активных шин и равм 5 номерно распределяющего его по всей ле- площади устройства. Это приводит к снио- жению температуры узких участков токоем проводящих шин и уменьшает вероятность их теплового разрушения, а также ослвб10 ляет локальный разогрев магнитоодноосес - ной пленки.

Однако это достигается значительнь усложнением технологии изготовления.

Бель изобретения — упрощение изготовления ЗУ на БМД.

Поставленная цель достигается путе того, что в известном способе изготов ния ЗУ на БМД формирование токопров дяших шин осуществляют BblTpBBJ!HBsHH разделительных промежутков в слое из немагнитного металла, формирующих замкнутый контур протекания электрич кого тока.

На фиг. 1 и 2 изображена конструкция

ЗУ на БМД, выполненного в соответствии с предлагаемым способом.

ЗУ HB БМД содержит токопроводяшие шины 1 из немагнитного металла, балластные участки .1 шин, активные участки 1 шин, образованные вытравливанием

И в слое из немагнитного металла разделительных промежутков 2, причем ширина последних в местах совмещения с управляющими аппликациями 3 соизмерима с их критическими размерами. Реперные знаки Ф формируются в слое немагнитного металла. С остальной плошади магнитоодноосной пленки 5 слой из немагнитного металла не удаляется. Токопроводящие шины 1 расположены между пленкой 5 и аппликациями 3, от которых они отделены соответственно слоями 6 и 7 диэлектрика.

Формирование разделительных промежутков 2 можно осуществлять также анодным окисидованием алюминия, так как при этом изменение уровня оказывается весьма незначительным..

В предлагаемом способе электросопротивление токопроводяших шин уменьшается в несколько раз за счет снижения доли балластной их части, что приводит

К уменьшению тепла, выделяющегося в

Указанные преимущества повышают надежность ЗУ на ЦМД и упрощают их изготовление.

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающего

20 устройства на цилиндрических магнитных доменах, основанный на последовательном нанесении на магнитдодноосную пленку слоя из немвгнитного металла, слоя диэлектрика и ферромагнитного слоя и фор25мировании токопроводящих шин управляю-. щих аппликаций, о тли ч ающи й— с я тем, что, с целью упрощения изготовления запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах, фор30 мирование токопроводящих шин осуществляют вытрввливанием разделительных промежутков в слое из немагнитного металла, формирующих замкнутый контур протекания электрического тока.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 7EEE Т "опа. йоши.,чоР. NAG-, яд„ йй6, .6

2.. Х Арф. Йж Y.4 9(9}, 4978, (OPPT0TMf7). р. 1930 (прототип).